発表論文/Before 2007
高木・竹中研究室論文リスト2007年度以前:論文リストIndex
2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度
査読のある学会誌の掲載論文
- S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara
Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels
Solid-State Electronics, vol. 51 (2007.02.017) (2007) 526 - 536 - T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
Effect of Tensile Strain on Gate Current of strained-Si n-MOSFETs
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2122-2126 - T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2117-2121 - S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge
Microelectronic Engineering, vol. 84, Issue 9-10 (2007) pp. 2314 - 2319 - M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 9A (2007) pp. 5930 - 5934 - S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 1, pp. 21-39. Jan. (2008)
査読のある国際学会での受諾論文
- S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
(110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 57-58 - S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
Advanced CMOS technologies using high mobility channels based on column-IV materials (invited)
5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 137-139 - O. Weber and S. Takagi
New Findings on Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si nFETs and its Physical Understanding
VLSI Symp. (2007) p. 130-131 - S. Takagi
Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)
Device Research Conference (DRC), 20-22/6/2007, University of Notre Dame, South Bend, IN, USA, p. 5-8 - S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)
15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007) , June 20-23/2007, Athene, Greece, pp. 2314 - 2319 - S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices
presented in Second International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007), Faculty of Engineering, University of Peradeniya, Sri Lanka, 8-11/08/2007 - S. Takagi
Channel Engineering on Si-based CMOS Devices (invited)
7th International Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), September 4-7, 2007, Dresden, Germany - H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara and M. Takenaka and S. Takagi
Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method
Ext. Abs. SSDM, p. 18-19 (2007) - T. Hoshii, M. Deura, M. Shichijo, M. Sugiyama, S. Sugahara, M.Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
Formation of InGaAs-On-Insulator Structures by Epitaxial Lateral Over Growth from (111) Si
Ext. Abs. SSDM, p. 132-133 (2007) - S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)
4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Dallas, USA, 2007/9/25-28 - S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited)
ULSI Process Integration Symposium, 212th Electrochemical Society, 10/7-12/2007, Washington, DC. (S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
ECS Trans. Vol. 11, No. 6 (2007) pp. 61-74) - S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 132 (2007) - T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano, and S. Takagi
Control of Lateral and Vertical Selective Area Growth of InGaAs on (111) Si Substrates using MOVPE for III-V FET Applications
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 164 (2007) - S. Takagi
High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials (invited)
International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices, 2007/11/9, Tokyo, p. 92-113 (2007) - S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and Shinichi Takagi
Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 233-234 (2007) - S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka
Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation
the 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 65-66 (2007) - O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
Examination of Additive Mobility Enhancements for Uniaxial Stress Combined with Biaxially Strained Si, Biaxially Strained SiGe and Ge Channel MOSFETs
Tech. Dig. IEDM, p. 719-722 (2007) - S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, K. Usuda, N. Hirashita, M. Takenaka and N. Sugiyama
Carrier-Transport-Enhanced CMOS using New Channel Materials and Structures (invited)
presented in International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) Dec. 12-14 (2007)
国内学会・研究会
- 高木信一
非シリコン半導体とシリコンテクノロジー ~ Ge/III-V族半導体チャネル高性能CMOS技術 ~
2007年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM)ショートコース「Emerging Silicon Technology」, 2007年9月18日、つくば国際会議場, p. 55-82 - Sanjeewa Dissanayake, Hiroshi Kumagai, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara and Shinichi Takagi
(110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
7p-ZL-2, 2007年秋季応用物理学会【講演奨励賞受賞記念講演】 - Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method
7p-ZL-3, 2007年秋季応用物理学会 - Olivier Weber,高木信一
<110>方向一軸ひずみSi MOSFETにおける伝導帯ワーピングの実験的検証
7a-ZL-6, 2007年秋季応用物理学会 - 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
GeO2/Ge MIS界面における界面準位密度のエネルギー依存性に与える界面形成方法の影響
7p-ZM-10, 2007年秋季応用物理学会 - 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
微小孔を介したSi基板上InGaAs成長におけるモフォロジー向上
7p-E-13, 2007年秋季応用物理学会 - 出浦桃子,杉山正和,星井拓也,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭
Si 上III/V 族化合物半導体の選択MOVPE における初期核発生過程の観察と制御
7p-E-14, 2007年秋季応用物理学会 - 高木信一, 竹中充, 杉山正和
異種半導体材料とシリコンの融合で拓く先端デバイス ~ Si上のGe/III-VチャネルCMOSを核としたEverything On a Chip の夢
「先端知機能材料デバイスラボ・フォーラム2007」, 2007.11.16, 武田ホール - 高木信一
高移動度チャネルMOSトランジスタ技術の現状と将来(プレナリートーク)
「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第13回研究会), 2008 年1月14-15日, 東レ総合研修センター, p. 7-12 - 高木信一
Ge MOSFETの現状と課題
28p-G-22, 008年春季応用物理学会 - 灰本隆志、竹中充、高木信一
SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性
30a-H-9, 2008年春季応用物理学会 - 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性
29p-H-12, 2008年春季応用物理学会 - 杉山正和,出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,田尻寛男,木村滋,中根了昌, 竹中 充,菅原聡,高木信一,中野義昭
微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析
28p-ZT-15, 2008年春季応用物理学会 - 中川翔太,横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充,高木信一
InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
29p-H-19, 2008年春季応用物理学会 - 森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定
29a-P11-15, 2008年春季応用物理学会 - 竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一
高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング
29a-P11-25, 2008年春季応用物理学会 - 田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価
28p-ZR-9, 2008年春季応用物理学会 - 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成
28p-ZT-17, 2008年春季応用物理学会 - 笹田崇,松原寛, 竹中充,高木信一
GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性
29p-H-13, 2008年春季応用物理学会 - 中北要佑,中根了昌,竹中充,高木信一
Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製
29a-P11-24, 2008年春季応用物理学会 - 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭
微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響
28p-ZT-16, 2008年春季応用物理学会
2006年度
2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度査読のある国際学会での受諾論文
- T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of strained-Si n-MOSFETs
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 164-165
- H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida and S. Takagi
Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 398-399
- T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1050-1051
- S. Takagi and S. Sugahara
Comparative Study on Influence of Subband Structures on Electrical Characteristics of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MISFETs
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1056-1057
- M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1088-1089
- S. Takagi
High Performance CMOS Device Technologies in Nano CMOS Era (invited)
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2006. 10. 22-25, Gyeongju, Korea, p. 86-87
国内学会・研究会
- S. Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures
31p-ZG-15, 2006年秋季応用物理学会 - S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
(110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
2007年春季応用物理学会 - 田辺聡, 上原貴志, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一
GOI (Ge-On-Insulater) MOSチャネル中の正孔の速度−電界特性
2007年春季応用物理学会 - 上原貴志, 田辺聡, 松原寛, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一
原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善
2007年春季応用物理学会 - 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭
Si上高品質III/V 族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPE バッファ層の初期成長過程観察
2007年春季応用物理学会 - 星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一
Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性
2007年春季応用物理学会 - 熊谷寛, 七条真人, 松原寛, 菅原聡, 高木信一
Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性
2007年春季応用物理学会 - 松原寛, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価
2007年春季応用物理学会 - 西川昌志, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe MOS構造の電気特性
2007年春季応用物理学会 - 高木信一, 杉山正和, 菅原聡
III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較
2007年春季応用物理学会
2005年度
2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度査読のある国際学会での受諾論文
- S. Takagi, K. Takeda, S. Sugahara and T. Numata
Examination of the Universality of Hole Mobility in Strained-Si p-MOSFETs
Ext. Abs. SSDM (2005) p. 38-39
国内学会・研究会
- 熊谷寛、七条真人、石川寛人、星井拓也、菅原聡、高木信一
Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と電気特性
2005年秋季応用物理学会 - S. Takagi, K. Takeda and S. Sugahara
Carrier Transport Properties of Si-Based High Mobility/Velocity Channel MOSFETs for Future CMOS
International Symposium on Advanced Electronics for Future Generations − Secure-Life Electronics for Quality Life and Society −, 2005年10月11−12日, 武田ホール, p. 147-152 - 高木信一
新構造チャネル高性能CMOSデバイス技術
先端知機能材料デバイスラボラトリーズF&RICオープンフォーラム2005「知の融合と開放」, 2005年11月11日, 東京大学武田先端知ビル5階 武田ホール - 熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価
ゲートスタック研究会 — 材料・プロセス・評価の物理 —(第11回研究会), 2006年2月3日(金)〜4日(土), 東レ総合研修センター, p. 177-182 - 高木信一
高速/低消費電力CMOSのための基板・デバイス・プロセス技術
2006年春季応用物理学会 - 上原貴志, 松原寛, 菅原聡, 高木信一
低温MBE成長を用いた超薄層Ge-on-Insulator(GOI) p-channel メタルS/D MOSFET
25a-X-11, 2006年春季応用物理学会 - 菅原聡, 中根了昌, 高木信一
オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET
25a-X-12, 2006年春季応用物理学会 - 高木信一, 菅原聡
III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi n-MOSFETの電気特性の比較
26p-X-1, 2006年春季応用物理学会 - 七条真人, 菅原聡, 高木信一
III-V on Insulator (III-V-O-I) MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法
26p-X-2, 2006年春季応用物理学会 - 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果
26a-X-7, 2006年春季応用物理学会
2004年度
2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度査読のある国際学会での受諾論文
- S. Takagi
Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
Ext. Abs. SSDM2004, p. 10-11
国内学会・研究会
- 高木 信一, 熊谷 寛, 西川 昌志, 武田 浩司, 菅原 聡
Ge系MOSトランジスタへの期待
30p-S-2, 2005年春季応用物理学会 - 武田 浩司, 熊谷 寛, 西川 昌志, 菅原 聡, 高木 信一
ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ
31a-P5-26, 2005年春季応用物理学会 - 熊谷 寛, 西川 昌志, 武田 浩司, 菅原 聡, 高木 信一
SiN/Ge MIS キャパシタのCV特性に与える基板タイプの影響
1a-P6-28, 2005年春季応用物理学会
2003年度
2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度国内学会・研究会
- 高木信一
極薄GOIチャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力に与える面方位の効果
2004年春季応用物理学会 - 高木信一
極薄GOI (Ge-On-Insulator) チャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力
2004年春季応用物理学会