TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

Japanese / English


発表論文/Before 2007

高木・竹中研究室論文リスト2007年度以前:論文リストIndex

2007年度  2006年度 2005年度 2004年度 2003年度

2007年度

査読のある学会誌の掲載論文

  1. S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara
    Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels
    Solid-State Electronics, vol. 51 (2007.02.017) (2007) 526 - 536
  2. T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
    Effect of Tensile Strain on Gate Current of strained-Si n-MOSFETs
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2122-2126
  3. T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
    Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2117-2121
  4. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
    Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge
    Microelectronic Engineering, vol. 84, Issue 9-10 (2007) pp. 2314 - 2319
  5. M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
    Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 9A (2007) pp. 5930 - 5934
  6. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
    Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance
    IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 1, pp. 21-39. Jan. (2008)

査読のある国際学会での受諾論文

  1. S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
    (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 57-58
  2. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
    Advanced CMOS technologies using high mobility channels based on column-IV materials (invited)
    5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 137-139
  3. O. Weber and S. Takagi
    New Findings on Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si nFETs and its Physical Understanding
    VLSI Symp. (2007) p. 130-131
  4. S. Takagi
    Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)
    Device Research Conference (DRC), 20-22/6/2007, University of Notre Dame, South Bend, IN, USA, p. 5-8
  5. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
    Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)
    15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007) , June 20-23/2007, Athene, Greece, pp. 2314 - 2319
  6. S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices
    presented in Second International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007), Faculty of Engineering, University of Peradeniya, Sri Lanka, 8-11/08/2007
  7. S. Takagi
    Channel Engineering on Si-based CMOS Devices (invited)
    7th International Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), September 4-7, 2007, Dresden, Germany
  8. H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara and M. Takenaka and S. Takagi
    Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method
    Ext. Abs. SSDM, p. 18-19 (2007)
  9. T. Hoshii, M. Deura, M. Shichijo, M. Sugiyama, S. Sugahara, M.Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
    Formation of InGaAs-On-Insulator Structures by Epitaxial Lateral Over Growth from (111) Si
    Ext. Abs. SSDM, p. 132-133 (2007)
  10. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
    Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)
    4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Dallas, USA, 2007/9/25-28
  11. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
    Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited)
    ULSI Process Integration Symposium, 212th Electrochemical Society, 10/7-12/2007, Washington, DC. (S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
    Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
    ECS Trans. Vol. 11, No. 6 (2007) pp. 61-74)
  12. S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
    Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs
    34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 132 (2007)
  13. T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano, and S. Takagi
    Control of Lateral and Vertical Selective Area Growth of InGaAs on (111) Si Substrates using MOVPE for III-V FET Applications
    34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 164 (2007)
  14. S. Takagi
    High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials (invited)
    International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices, 2007/11/9, Tokyo, p. 92-113 (2007)
  15. S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and Shinichi Takagi
    Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 233-234 (2007)
  16. S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka
    Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation
    the 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 65-66 (2007)
  17. O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Examination of Additive Mobility Enhancements for Uniaxial Stress Combined with Biaxially Strained Si, Biaxially Strained SiGe and Ge Channel MOSFETs
    Tech. Dig. IEDM, p. 719-722 (2007)
  18. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, K. Usuda, N. Hirashita, M. Takenaka and N. Sugiyama
    Carrier-Transport-Enhanced CMOS using New Channel Materials and Structures (invited)
    presented in International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) Dec. 12-14 (2007)

国内学会・研究会

  1. 高木信一
    非シリコン半導体とシリコンテクノロジー ~ Ge/III-V族半導体チャネル高性能CMOS技術 ~
    2007年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM)ショートコース「Emerging Silicon Technology」, 2007年9月18日、つくば国際会議場, p. 55-82
  2. Sanjeewa Dissanayake, Hiroshi Kumagai, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara and Shinichi Takagi
    (110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    7p-ZL-2, 2007年秋季応用物理学会【講演奨励賞受賞記念講演】
  3. Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method
    7p-ZL-3, 2007年秋季応用物理学会
  4. Olivier Weber,高木信一
    <110>方向一軸ひずみSi MOSFETにおける伝導帯ワーピングの実験的検証
    7a-ZL-6, 2007年秋季応用物理学会
  5. 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
    GeO2/Ge MIS界面における界面準位密度のエネルギー依存性に与える界面形成方法の影響
    7p-ZM-10, 2007年秋季応用物理学会
  6. 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
    微小孔を介したSi基板上InGaAs成長におけるモフォロジー向上
    7p-E-13, 2007年秋季応用物理学会
  7. 出浦桃子,杉山正和,星井拓也,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭
    Si 上III/V 族化合物半導体の選択MOVPE における初期核発生過程の観察と制御
    7p-E-14, 2007年秋季応用物理学会
  8. 高木信一, 竹中充, 杉山正和
    異種半導体材料とシリコンの融合で拓く先端デバイス ~ Si上のGe/III-VチャネルCMOSを核としたEverything On a Chip の夢
    「先端知機能材料デバイスラボ・フォーラム2007」, 2007.11.16, 武田ホール
  9. 高木信一
    高移動度チャネルMOSトランジスタ技術の現状と将来(プレナリートーク)
    「ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-」(第13回研究会), 2008 年1月14-15日, 東レ総合研修センター, p. 7-12
  10. 高木信一
    Ge MOSFETの現状と課題
    28p-G-22, 008年春季応用物理学会
  11. 灰本隆志、竹中充、高木信一
    SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性
    30a-H-9, 2008年春季応用物理学会
  12. 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
    熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性
    29p-H-12, 2008年春季応用物理学会
  13. 杉山正和,出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,田尻寛男,木村滋,中根了昌, 竹中 充,菅原聡,高木信一,中野義昭
    微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析
    28p-ZT-15, 2008年春季応用物理学会
  14. 中川翔太,横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充,高木信一
    InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
    29p-H-19, 2008年春季応用物理学会
  15. 森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定
    29a-P11-15, 2008年春季応用物理学会
  16. 竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一
    高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング
    29a-P11-25, 2008年春季応用物理学会
  17. 田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価
    28p-ZR-9, 2008年春季応用物理学会
  18. 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
    微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成
    28p-ZT-17, 2008年春季応用物理学会
  19. 笹田崇,松原寛, 竹中充,高木信一
    GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性
    29p-H-13, 2008年春季応用物理学会
  20. 中北要佑,中根了昌,竹中充,高木信一
    Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製
    29a-P11-24, 2008年春季応用物理学会
  21. 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭
    微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響
    28p-ZT-16, 2008年春季応用物理学会

2006年度

2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度

査読のある国際学会での受諾論文

  1. T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
    Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of strained-Si n-MOSFETs
    Ext. Abs. SSDM (2006) p. 164-165
  2. H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida and S. Takagi
    Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge
    Ext. Abs. SSDM (2006) p. 398-399
  3. T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
    Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth
    Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1050-1051
  4. S. Takagi and S. Sugahara
    Comparative Study on Influence of Subband Structures on Electrical Characteristics of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MISFETs
    Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1056-1057
  5. M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
    Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
    Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1088-1089
  6. S. Takagi
    High Performance CMOS Device Technologies in Nano CMOS Era (invited)
    IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2006. 10. 22-25, Gyeongju, Korea, p. 86-87

国内学会・研究会

  1. S. Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
    Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures
    31p-ZG-15, 2006年秋季応用物理学会
  2. S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
    (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    2007年春季応用物理学会
  3. 田辺聡, 上原貴志, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一
    GOI (Ge-On-Insulater) MOSチャネル中の正孔の速度−電界特性
    2007年春季応用物理学会
  4. 上原貴志, 田辺聡, 松原寛, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一
    原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善
    2007年春季応用物理学会
  5. 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭
    Si上高品質III/V 族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPE バッファ層の初期成長過程観察
    2007年春季応用物理学会
  6. 星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一
    Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性
    2007年春季応用物理学会
  7. 熊谷寛, 七条真人, 松原寛, 菅原聡, 高木信一
    Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性
    2007年春季応用物理学会
  8. 松原寛, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
    低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価
    2007年春季応用物理学会
  9. 西川昌志, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
    オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe MOS構造の電気特性
    2007年春季応用物理学会
  10. 高木信一, 杉山正和, 菅原聡
    III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較
    2007年春季応用物理学会

2005年度

2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度

査読のある国際学会での受諾論文

  1. S. Takagi, K. Takeda, S. Sugahara and T. Numata
    Examination of the Universality of Hole Mobility in Strained-Si p-MOSFETs
    Ext. Abs. SSDM (2005) p. 38-39

国内学会・研究会

  1. 熊谷寛、七条真人、石川寛人、星井拓也、菅原聡、高木信一
    Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と電気特性
    2005年秋季応用物理学会
  2. S. Takagi, K. Takeda and S. Sugahara
    Carrier Transport Properties of Si-Based High Mobility/Velocity Channel MOSFETs for Future CMOS
    International Symposium on Advanced Electronics for Future Generations − Secure-Life Electronics for Quality Life and Society −, 2005年10月11−12日, 武田ホール, p. 147-152
  3. 高木信一
    新構造チャネル高性能CMOSデバイス技術
    先端知機能材料デバイスラボラトリーズF&RICオープンフォーラム2005「知の融合と開放」, 2005年11月11日, 東京大学武田先端知ビル5階 武田ホール
  4. 熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
    Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価
    ゲートスタック研究会 — 材料・プロセス・評価の物理 —(第11回研究会), 2006年2月3日(金)〜4日(土), 東レ総合研修センター, p. 177-182
  5. 高木信一
    高速/低消費電力CMOSのための基板・デバイス・プロセス技術
    2006年春季応用物理学会
  6. 上原貴志, 松原寛, 菅原聡, 高木信一
    低温MBE成長を用いた超薄層Ge-on-Insulator(GOI) p-channel メタルS/D MOSFET
    25a-X-11, 2006年春季応用物理学会
  7. 菅原聡, 中根了昌, 高木信一
    オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET
    25a-X-12, 2006年春季応用物理学会
  8. 高木信一, 菅原聡
    III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi n-MOSFETの電気特性の比較
    26p-X-1, 2006年春季応用物理学会
  9. 七条真人, 菅原聡, 高木信一
    III-V on Insulator (III-V-O-I) MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法
    26p-X-2, 2006年春季応用物理学会
  10. 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
    ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果
    26a-X-7, 2006年春季応用物理学会

2004年度

2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度

査読のある国際学会での受諾論文

  1. S. Takagi
    Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
    Ext. Abs. SSDM2004, p. 10-11

国内学会・研究会

  1. 高木 信一, 熊谷 寛, 西川 昌志, 武田 浩司, 菅原 聡
    Ge系MOSトランジスタへの期待
    30p-S-2, 2005年春季応用物理学会
  2. 武田 浩司, 熊谷 寛, 西川 昌志, 菅原 聡, 高木 信一
    ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ
    31a-P5-26, 2005年春季応用物理学会
  3. 熊谷 寛, 西川 昌志, 武田 浩司, 菅原 聡, 高木 信一
    SiN/Ge MIS キャパシタのCV特性に与える基板タイプの影響
    1a-P6-28, 2005年春季応用物理学会

2003年度

2007年度 2006年度 2005年度 2004年度 2003年度

国内学会・研究会

  1. 高木信一
    極薄GOIチャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力に与える面方位の効果
    2004年春季応用物理学会
  2. 高木信一
    極薄GOI (Ge-On-Insulator) チャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力
    2004年春季応用物理学会
 
©2007 Takagi & Takenaka Group.

^
PAGE TOP

japanese english