発表論文/2008
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
査読のある学会誌の掲載論文
- T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
Epitaxial Lateral Over Growth of InGaAs on SiO2 from (111) Si Micro Channel Areas
Physica Status Solidi (c)., Volume 5, Issue 9, July, pp. 2733-2735 (2008) - H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge Metal-Oxide-Semiconductor structures fabricated by thermal oxidation
Appl. Phys. Lett., Volume 93, Issue 3, 21 July, 032104 (2008) - O. Weber and S. Takagi
Experimental Examination and Physical Understanding of the Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si N-MOSFETs
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 9, September, pp. 2386-2396 (2008) - H. Tsuchiya and S. Takagi
Influence of Elastic and Inelastic Scatterings on Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 9, September, pp. 2397-2402 (2008) - S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
(110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method
Thin Solid Films, vol. 517, Issue 1, 3 November, pp. 178-180 (2008) - M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
Journal of Crystal Growth 310 (2008) 4768-4771 - M. Deura, T. Hoshii, T. Yamamoto, Y. Ikuhara, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
Dislocation-Free InGaAs on Si (111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Applied Physics Express 2, 011101 (2009)
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
査読のある国際学会での受諾論文
- S. Takagi
High Performance Nano CMOS Platform utilizing carrier transport enhancement
4th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC4), 4/14-17/2008, Hitotsubashi Memorial Hall, Tokyo, 2008 - S. Takagi
Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels
2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA), 21-23/4/2008 (22/4), Ambassador Hotel, Hsinchu, Taiwan, p. 91-92, 2008 - M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugaharaa, S. Takagi and Y. Nakano
Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV), 2nd - 6th june 2008, Metz, France - S. Takagi
Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels
2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Yumoto Fujiya Hotel, Hakone, JAPAN, September 9 -11, 2008, p. 9-12 - S. Takagi
High mobility channel MOSFET
ESSDERC Tutorials “T1: CMOS at the bleeding edge",38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 15 September 2008, Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh - United Kingdom - S. Takagi
Devices for high performance CMOS
Workshop on Germanium and III-V MOS Technology, 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 19 September 2008, Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh - United Kingdom - S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs
SSDM (2008) p. 1060-1061 - T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
Improvement of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
SSDM (2008) p. 12-13 - K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takagi
Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs
SSDM (2008) p. 34-35 - K. H. Park, K. Hirakawa and S. Takagi
Anomalous Temperature Dependence of Electron Mobility in Si MOSFETs with p+poly-Si Gates
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE-NMDC) 2008, Oct. 20-22,2008, Kyoto University, Kyoto, Japan, p. 207 - M. Takenaka, S. Tanabe, S. Dissanayake, S. Sugahara and S. Takagi
Ge Photodetector integrated with Ge-on-Insulator MOSFET by using Oxidation Condensation Technique
The 21st Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS’08), Newport Beach, CA, 9-13 November, 2008 - T. Yasuda, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of Cation Composition and Substrate Orientation on Electrical Properties of ALD-Al2O3/III-V Interfaces
39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P7 - T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) 6.4 - T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
Improvement of MIS Interfacial properties by direct nitridation of InP surfaces
39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P16 - Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs
IEDM (2008) pp. 577-580 - Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers
IEDM (2008) pp. 877-880
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
国内学会・研究会
- S. Takagi, O. Weber and M. Takenaka
Combination Effects of Uniaxial and Biaxial Stress on Mobility Enhancements in Strained Si and SiGe MOSFETs
International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, March 6-7/2008, Tokyo, p. 457-462 - M. Takenaka, T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
Micro Selective Area MOVPE growth of InGaAs on Si substrates for III-V-OI MOSFETs
International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, March 6-7/2008, Tokyo, p. 463-467 - 高木信一
Ge MOSFETの現状と課題
28p-G-2, 2008年春季応用物理学会 - 灰本隆志、竹中充、高木信一
SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性
30a-H-9, 2008年春季応用物理学会 - 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性
29p-H-12, 2008年春季応用物理学会 - 杉山正和,出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,田尻寛男,木村滋,中根了昌, 竹中 充,菅原聡,高木信一,中野義昭
微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析
28p-ZT-15, 2008年春季応用物理学会 - 中川翔太,横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充,高木信一
InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
29p-H-19, 2008年春季応用物理学会 - 森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定
29a-P11-15, 2008年春季応用物理学会 - 竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一
高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング
29a-P11-25, 2008年春季応用物理学会 - 田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価
28p-ZR-9, 2008年春季応用物理学会 - 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成
28p-ZT-17, 2008年春季応用物理学会 - 笹田崇,松原寛, 竹中充,高木信一
GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性
29p-H-13, 2008年春季応用物理学会 - 中北要佑,中根了昌,竹中充,高木信一
Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製
29a-P11-24, 2008年春季応用物理学会, 2008年春季応用物理学会 - 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭
微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響
28p-ZT-16, 2008年春季応用物理学会 - 高木信一
チャネルエンジニアリングによる高性能CMOSデバイス技術
VDECデザイナーズ・フォーラム2008, VDECデザイナーズフォーラム特別講演 〜デバイス技術者から回路設計者へのメッセージ〜, 2008. 6. 6., 武田ホール - 高木信一
[チュートリアル講演]高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術, SDM2008-42~57, 信学技報vol. 108, No. 80, p. 1-6 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開:高移動度チャネル技術を中心に)」, p. 2-7), 2008. 6. 9, 東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所 - 高木信一
先端CMOSのためのデバイス性能向上技術
SEMI Forum Japan 2008, テクニカルセミナー「フロントエンドプロセスセミナー-32nmノードデバイスに向けた、最先端フロントエンドプロセス-」, 2008年6月19-20日, グランキューブ大阪(大阪国際会議場), p. 1-26 - M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
Effect of Ga on growth mechanism in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si (微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の成長機構に対するGa 組成の影響)
第27回電子材料シンポジウム, 2008年7月9日(水)〜11日(金), ラフォーレ修善寺, B-5 (2008) - 高木信一
新チャネル材料を使った高電流駆動力CMOS デバイス技術
第72回半導体集積回路技術シンポジウム, 電気化学会電子材料委員会, 2008年7月10日・11日, 東京農工大学, pp. 81-84 - 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,菅原聡,竹中充,高木信一,中野義昭
微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成
化学工学会第73年会, 2008年8年3月17日〜19日, 静岡大学 浜松キャンパス - 安田哲二,宮田典幸,石井裕之,板谷太郎,市川磨,福原昇,秦雅彦,大竹晃浩,灰本隆志,星井拓也,竹中充,高木信一
InGaAs上へのAl2O3のALD成長による良好なMIS界面特性の実現
2008年秋季応用物理学会 - 土屋英昭, 王威, 高木 信一
秋季バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング
2008年秋季応用物理学会 - S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
Electrical Characteristics of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
2008年秋季応用物理学会 - 灰本隆志、星井拓也、竹中充、高木信一
InP表面の直接窒化によるMIS界面特性の改善
2008年秋季応用物理学会 - 竹中充、田辺聡、S. Dissanayake、菅原聡、高木信一
酸化濃縮法を用いたGe PDとGe-on-Insulator MOSFETの集積化の検討
2008年秋季応用物理学会 - 出浦桃子,星井拓也,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長過程
2008年秋季応用物理学会 - 出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsのGa組成と結晶構造
2008年秋季応用物理学会 - 朴敬花、平川一彦、高木信一
p+ポリシリコンゲートを有するSi MOSFET中の電子移動度の温度依存性
2008年秋季応用物理学会 - 高木信一
最先端CMOSデバイスにおけるひずみSi技術
半導体計測・評価技術ネットワーク第3回ワークショップ, 2008年11月19日, つくば国際会議場 - S. Takagi, M. T.akenaka and M. Sugiyama
III-V族半導体チャネルMOSトランジスタ技術 (MOS Transistor Technologies using III-V Semiconductor Channels)
SEMI Technology Symposium (STS) Session 8 Advanced Device -32nm/22nm node device and process technology-,December 5 (2008), Tokyo