TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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発表論文/2008

高木・竹中研究室論文リスト:Index

2008年  2007年以前  

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

2008年

査読のある学会誌の掲載論文

  1. T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
    Epitaxial Lateral Over Growth of InGaAs on SiO2 from (111) Si Micro Channel Areas
    Physica Status Solidi (c)., Volume 5, Issue 9, July, pp. 2733-2735 (2008)
  2. H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
    Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge Metal-Oxide-Semiconductor structures fabricated by thermal oxidation
    Appl. Phys. Lett., Volume 93, Issue 3, 21 July, 032104 (2008)
  3. O. Weber and S. Takagi
    Experimental Examination and Physical Understanding of the Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si N-MOSFETs
    IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 9, September, pp. 2386-2396 (2008)
  4. H. Tsuchiya and S. Takagi
    Influence of Elastic and Inelastic Scatterings on Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs
    IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 9, September, pp. 2397-2402 (2008)
  5. S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method
    Thin Solid Films, vol. 517, Issue 1, 3 November, pp. 178-180 (2008)
  6. M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 4768-4771
  7. M. Deura, T. Hoshii, T. Yamamoto, Y. Ikuhara, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Dislocation-Free InGaAs on Si (111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    Applied Physics Express 2, 011101 (2009)

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある国際学会での受諾論文

  1. S. Takagi
    High Performance Nano CMOS Platform utilizing carrier transport enhancement
    4th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC4), 4/14-17/2008, Hitotsubashi Memorial Hall, Tokyo, 2008
  2. S. Takagi
    Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels
    2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA), 21-23/4/2008 (22/4), Ambassador Hotel, Hsinchu, Taiwan, p. 91-92, 2008
  3. M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugaharaa, S. Takagi and Y. Nakano
    Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
    14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV), 2nd - 6th june 2008, Metz, France
  4. S. Takagi
    Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels
    2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Yumoto Fujiya Hotel, Hakone, JAPAN, September 9 -11, 2008, p. 9-12
  5. S. Takagi
    High mobility channel MOSFET
    ESSDERC Tutorials “T1: CMOS at the bleeding edge",38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 15 September 2008, Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh - United Kingdom
  6. S. Takagi
    Devices for high performance CMOS
    Workshop on Germanium and III-V MOS Technology, 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 19 September 2008, Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh - United Kingdom
  7. S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
    Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs
    SSDM (2008) p. 1060-1061
  8. T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
    SSDM (2008) p. 12-13
  9. K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takagi
    Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs
    SSDM (2008) p. 34-35
  10. K. H. Park, K. Hirakawa and S. Takagi
    Anomalous Temperature Dependence of Electron Mobility in Si MOSFETs with p+poly-Si Gates
    IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE-NMDC) 2008, Oct. 20-22,2008, Kyoto University, Kyoto, Japan, p. 207
  11. M. Takenaka, S. Tanabe, S. Dissanayake, S. Sugahara and S. Takagi
    Ge Photodetector integrated with Ge-on-Insulator MOSFET by using Oxidation Condensation Technique
    The 21st Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS’08), Newport Beach, CA, 9-13 November, 2008
  12. T. Yasuda, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of Cation Composition and Substrate Orientation on Electrical Properties of ALD-Al2O3/III-V Interfaces
    39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P7
  13. T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
    Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
    39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) 6.4
  14. T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement of MIS Interfacial properties by direct nitridation of InP surfaces
    39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P16
  15. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs
    IEDM (2008) pp. 577-580
  16. Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
    Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers
    IEDM (2008) pp. 877-880

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

国内学会・研究会

  1. S. Takagi, O. Weber and M. Takenaka
    Combination Effects of Uniaxial and Biaxial Stress on Mobility Enhancements in Strained Si and SiGe MOSFETs
    International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, March 6-7/2008, Tokyo, p. 457-462
  2. M. Takenaka, T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    Micro Selective Area MOVPE growth of InGaAs on Si substrates for III-V-OI MOSFETs
    International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, March 6-7/2008, Tokyo, p. 463-467
  3. 高木信一
    Ge MOSFETの現状と課題
    28p-G-2, 2008年春季応用物理学会
  4. 灰本隆志、竹中充、高木信一
    SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性
    30a-H-9, 2008年春季応用物理学会
  5. 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
    熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性
    29p-H-12, 2008年春季応用物理学会
  6. 杉山正和,出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,田尻寛男,木村滋,中根了昌, 竹中 充,菅原聡,高木信一,中野義昭
    微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析
    28p-ZT-15, 2008年春季応用物理学会
  7. 中川翔太,横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充,高木信一
    InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
    29p-H-19, 2008年春季応用物理学会
  8. 森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定
    29a-P11-15, 2008年春季応用物理学会
  9. 竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一
    高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング
    29a-P11-25, 2008年春季応用物理学会
  10. 田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価
    28p-ZR-9, 2008年春季応用物理学会
  11. 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
    微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成
    28p-ZT-17, 2008年春季応用物理学会
  12. 笹田崇,松原寛, 竹中充,高木信一
    GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性
    29p-H-13, 2008年春季応用物理学会
  13. 中北要佑,中根了昌,竹中充,高木信一
    Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製
    29a-P11-24, 2008年春季応用物理学会, 2008年春季応用物理学会
  14. 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,竹中充,菅原聡,高木信一,中野義昭
    微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響
    28p-ZT-16, 2008年春季応用物理学会
  15. 高木信一
    チャネルエンジニアリングによる高性能CMOSデバイス技術
    VDECデザイナーズ・フォーラム2008, VDECデザイナーズフォーラム特別講演 〜デバイス技術者から回路設計者へのメッセージ〜, 2008. 6. 6., 武田ホール
  16. 高木信一
    [チュートリアル講演]高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望
    電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術, SDM2008-42~57, 信学技報vol. 108, No. 80, p. 1-6 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開:高移動度チャネル技術を中心に)」, p. 2-7), 2008. 6. 9, 東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所
  17. 高木信一
    先端CMOSのためのデバイス性能向上技術
    SEMI Forum Japan 2008, テクニカルセミナー「フロントエンドプロセスセミナー-32nmノードデバイスに向けた、最先端フロントエンドプロセス-」, 2008年6月19-20日, グランキューブ大阪(大阪国際会議場), p. 1-26
  18. M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Effect of Ga on growth mechanism in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si (微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の成長機構に対するGa 組成の影響)
    第27回電子材料シンポジウム, 2008年7月9日(水)〜11日(金), ラフォーレ修善寺, B-5 (2008)
  19. 高木信一
    新チャネル材料を使った高電流駆動力CMOS デバイス技術
    第72回半導体集積回路技術シンポジウム, 電気化学会電子材料委員会, 2008年7月10日・11日, 東京農工大学, pp. 81-84
  20. 出浦桃子,星井拓也,杉山正和,中根了昌,菅原聡,竹中充,高木信一,中野義昭
    微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成
    化学工学会第73年会, 2008年8年3月17日〜19日, 静岡大学 浜松キャンパス
  21. 安田哲二,宮田典幸,石井裕之,板谷太郎,市川磨,福原昇,秦雅彦,大竹晃浩,灰本隆志,星井拓也,竹中充,高木信一
    InGaAs上へのAl2O3のALD成長による良好なMIS界面特性の実現
    2008年秋季応用物理学会
  22. 土屋英昭, 王威, 高木 信一
    秋季バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング
    2008年秋季応用物理学会
  23. S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Electrical Characteristics of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    2008年秋季応用物理学会
  24. 灰本隆志、星井拓也、竹中充、高木信一
    InP表面の直接窒化によるMIS界面特性の改善
    2008年秋季応用物理学会
  25. 竹中充、田辺聡、S. Dissanayake、菅原聡、高木信一
    酸化濃縮法を用いたGe PDとGe-on-Insulator MOSFETの集積化の検討
    2008年秋季応用物理学会
  26. 出浦桃子,星井拓也,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
    微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長過程
    2008年秋季応用物理学会
  27. 出浦桃子,星井拓也,山本剛久,幾原雄一,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
    微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsのGa組成と結晶構造
    2008年秋季応用物理学会
  28. 朴敬花、平川一彦、高木信一
    p+ポリシリコンゲートを有するSi MOSFET中の電子移動度の温度依存性
    2008年秋季応用物理学会
  29. 高木信一
    最先端CMOSデバイスにおけるひずみSi技術
    半導体計測・評価技術ネットワーク第3回ワークショップ, 2008年11月19日, つくば国際会議場
  30. S. Takagi, M. T.akenaka and M. Sugiyama
    III-V族半導体チャネルMOSトランジスタ技術 (MOS Transistor Technologies using III-V Semiconductor Channels)
    SEMI Technology Symposium (STS) Session 8 Advanced Device -32nm/22nm node device and process technology-,December 5 (2008), Tokyo

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