TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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発表論文/2009

高木・竹中研究室論文リスト:Index

2009年 | 2008年度 | 2007年以前  

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

2009年

査読のある学会誌の掲載論文

  1. S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka and S. Takagi
    Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation
    Jpn. J. Appl. Phys. vol. 48, no. 4, 04C093 (2009)
  2. K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takagi
    Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
    Jpn. J. Appl. Phys.,vol. 48, no. 4, 04C050 (2009)
  3. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially-Strained Si MOSFETs
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 5, May, pp. 1152-1156 (2009)
  4. T. Irisawa, K. Okano, T. Horiuchi, H. Itokawa, I. Mizushima, K. Usuda, T. Tezuka, N. Sugiyama and S. Takagi
    Electron Mobility and Short Channel Device Characteristics of SOI FinFETs with Uniaxially Strained (110) Channels
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 8, August, pp. 1651-1658 (2009)
  5. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    On Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Biaxially-tensile Strained Si MOSFETs
    IEEE Electron Device Letters, Vol. 30, No. 9, pp. 987-989 (2009)
  6. T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
    Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge metal-oxide–semiconductor Structures Fabricated by Thermal Oxidation
    J. Appl. Phys., vol. 106 (2009) 073716
  7. M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
    InGaAsP Photonic Wire Based Ultrasmall Arrayed Waveguide Grating Multiplexer on Si Wafer
    Applied Physics Express, vol. 2 (2009) 122201, November 27
  8. H. Ishii, N. Miyata, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
    High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-oriented InGaAs Channels
    Appl. Phys. Express 2 (2009) 121101, November 27
  9. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Thin Body III-V-Semiconductor-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding
    Appl. Phys. Express 2 (2009) 124501, December 11
  10. T. Haimoto, T. Hoshii, S. Nakagawa, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication and characterization of MIS structures by direct nitridation of InP surfaces
    Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 012107, 7 January
  11. S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    High Performance Ultrathin (110)-Oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    Appl. Phys. Exp. Vol. 3 (2010) 041302
  12. M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama
    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Journal of Crystal Growth, vol. 312 (2010) pp. 1353–1358
  13. Y. Kondo, M. Deura, Y. Terada, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Initial growth of InAs on P-terminated Si(111) surfaces to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
    Journal of Crystal Growth, vol. 312 (2010) pp. 1348–1352

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある国際学会での受諾論文

  1. M. Takenaka, K. Takeda, T. Hoshii, T. Tanemura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    Source/drain formation by using epitaxial regrowth of n+InP for III-V nMOSFETs
    21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Newport Beach, CA, USA, 10 - 14 May 2009, pp. 111-114
  2. M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi and Y. Nakano
    Uniform InGaAs Micro-Discs on Si by Micro-Channel Selective-Area MOVPE
    21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Newport Beach, CA, USA, 10 - 14 May 2009, pp. 48-51
  3. S. Takagi
    III-V semiconductor channel MOS Device technologies on Si CMOS platform (invited)
    35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Cirsuits in Europe (WOCSDICE), May 17-20, 2009, Malaga, Spain
  4. S. Takagi, N. Taoka and M. Takenaka
    Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (invited)
    10th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Alternate Emerging Dielectrics, 215 th Meeting of The Electrochemical Society, San Francisco, USA, May 24-29, 2009, ECS Trans. vol. 19, no. 2, pp. 67-85 (2009)
  5. S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda and M. Takenaka
    Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (invited)
    1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215 th Meeting of The Electrochemical Society, San Francisco, USA, May 24-29, 2009, ECS Trans. vol. 19, no. 5, pp. 9-20 (2009)
  6. M. Takenaka, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
    Gas phase doping of arsenic into germanium by using MOVPE system for source/drain formation of high performance Ge nMOSFETs
    submitted to Symposium I: Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, E-MRS 2009, Strasbourg (France), June 8-12, 2009
  7. M. Yokoyama, M. Takenaka, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
    Demonstration of metal S/D III-V-OI MOSFETs on a Si substrate using direct wafer bonding
    VLSI symposium (2009) pp. 242-243
  8. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness
    VLSI symposium (2009) pp. 18-19
  9. S. H. Kim, S. Nakagawa, T. Haimoto, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
    Metal Source/Drain Inversion-mode InP MOSFETs
    67th Device Research Conference (DRC), (2009), pp. 115-116, June 22 – 24, The Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA
  10. M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, and M. Sugiyama
    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step micro-channel selective-area MOVPE
    14th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, 2009.8.12
  11. Y. Kondo, M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama
    Initial growth of InAs on P-terminated Si(111) surface to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
    14th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, 2009.8.12
  12. S. Takagi
    Ge/III-V Channel CMOS Technologies on Si platform (invited)
    First Korea-Japan Nano Forum, NANO KOREA 2009, August 28th (Fri), 2009
  13. S. Takagi
    High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI’s (invited)
    2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), September 13-16 (2009), San Jose, California, pp. 153-160
  14. S. Takagi
    High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)
    1st International Workshop on Si based nano-electronics and –photonics (SiNEP-09), 20-23 September 2009, Vigo, Spain, pp. 19-20 (2009)
  15. M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    In situ monitoring of the initial nucleation for the formation of uniform InGaAs micro-discs on Si
    CVD-XVII & EUROCVD-17, Vienna, October 4-9 (2009), ECS Trans. 25 (8), pp. 521- (2009)
  16. S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    SSDM (2009), p.14-15
  17. S. Takagi
    New channel material MOSFETs on Si platform
    G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World’s Leading Scientists, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan, p. 30-31 (2009)
  18. T. Yasuda, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, M. Yokoyama, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Relationship between Interface Structures and Electrical Properties in the High-k/III-V System (invited)
    2009 Material Research Society Fall Meeting, Symposium A: High-k Dielectrics on Semiconductors with High Carrier Mobility
  19. T. Yasuda, H. Ishii, Y. Urabe, T. Itatani, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Susceptibility of InGaAs MISFETs to Thermal Processes in the Device Fabrication
    SISC (2009) P14
  20. T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of plasma nitridation of thermally-grown GeO2/Ge MIS structures on the GeO2 film and interface properties
    SISC (2009) P30
  21. T. Hoshii,, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
    SISC (2009) 5.3.
  22. K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
    High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping
    IEDM (2009) p. 681-684
  23. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, Y. Urabe, H. Ishii, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Novel Low Damage and Low Temperature Direct Wafer Bonding Processes Using Buried Oxide Protection Layers for Fabricating III-V-On-Insulator on Si Structures
    2nd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (2010) pp. 387 – 398
  24. S. Takagi and M. Takenaka
    High Mobility Ge CMOS Technologies (invited)
    5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Jan. 29(Fri.)-30(Sat.), 2010, Tohoku University, Sendai, Japan, p. 79-80
  25. M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
    Ultrasmall Arrayed Waveguide Grating Multiplexer using InP-based Photonic Wire Waveguide on Si wafer for III-V CMOS photonics
    2010 Optical Fiber Communication Conference (OFC), OThS5, San Diego, CA, USA, March 2010

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

国内学会・研究会

  1. 田岡紀之, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 高木信一
    GeMIS界面欠陥の電気的性質 (ハイライト講演)
    シリコンテクノロジー分科会第113回研究集会, pp. 20-25, 2009年6月19日, (電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術, SDM2009-30, 信学技報vol., No. , p. 21-26), 東京大学駒場リサーチキャンパス
  2. 高木信一
    CMOSプラットフォーム上のIII-V MOSトランジスタ技術
    電子材料シンポジウム (EMS28), 2009年7月8-10日, ラフォーレ琵琶湖
  3. M. Deura Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Improvement in uniformity of InGaAs micro-discs on Si using multi-step growth in micro-channel selective-area MOVPE
    電子材料シンポジウム (EMS28), 2009年7月8-10日, ラフォーレ琵琶湖
  4. Y. Terada, M. Deura, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Suppression of GaAs(001) surface oxidation by in situ H2S treatment and aluminum termination with MOVPE
    電子材料シンポジウム (EMS28), 2009年7月8-10日, ラフォーレ琵琶湖
  5. 趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
    高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度の定量評価及び引張り歪からの影響
    第73回半導体・集積回路技術シンポジウム, 2009年7月9-10日, 東京農工大学
  6. 横山正史、安田哲二、高木秀樹、山田永、福原昇、秦雅彦、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一
    基板貼り合わせを用いたSi基板上メタルS/D III-V-On-Insulator MOSFETの作製とその動作実証
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第115回研究集会, 2009年7月21日, 東京大学武田ホール
  7. 高木信一
    Siプラットフォーム上のIII-VチャネルMOSFET技術
    日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会・ワイドギャップ半導体光デバイス第162委員会合同研究会「III-V MIS 界面評価とデバイスへの応用」, 2009/10/26, キャンパスイノベーションセンター東京, p. 36-43
  8. 高木信一
    基板貼り合わせを用いたSi上III-V-On-Insulator MOS トランジスタ技術
    EVGセミナー, The effects of TSV technology for future semiconductor devices〜半導体デバイスに与えるTSV技術の影響〜, 2009 年 12 月1 日,
  9. 竹中充, 森井清仁, 高木信一
    MOVPEを用いた気相ドーピングによる高品質Ge n+/p接合の形成およびGe nMOSFETへの応用
    電気学会 シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会・化合物半導体電子デバイス調査専門委員会合同委員会「高移動度化技術」, 2010年3月5日, 早稲田大学研究開発センター120-5号館
  10. 高木信一, 趙毅, 竹中充, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山 晋
    Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第121回研究集会,「半導体シリコン単結晶ウェーハを特徴づける評価技術」, 2010年3月12日, 学習院大学南2号館200教室, p. 2-7
  11. 森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木信一
    気相拡散により形成したソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET
    電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会, 2010年3月26日, 東工大大岡山キャンパス
  12. 出浦桃子,近藤佳幸,星井拓也,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
    微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の原子構造と光学特性解析
    化学工学会第41回秋季大会, 2009年9月16〜18日, 広島大学
  13. 近藤佳幸, 出浦 桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    MOVPE 微小領域選択成長におけるSi 上InAs 核発生の成長条件依存性
    化学工学会第41回秋季大会, 2009年9月16〜18日, 広島大学
  14. 竹中充、横山正史、種村拓夫、杉山正和、中野義昭、高木信一
    III-V CMOS photonics実現に向けたInP系フォトニックワイヤーの作製
    2009年秋季応用物理学会
  15. 竹中充、横山正史、杉山正和、中野義昭、高木信一
    直接基板接合によるSi基板上III-V CMOSトランジスタ
    2009年秋季応用物理学会
  16. 安田哲二,高木秀樹 , 横山正史, 石井裕之, 卜部友二, 山田永, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD Al2O3を埋め込み層としたIII-V-On-Insulator構造の形成とバックゲートMISFET特性
    2009年秋季応用物理学会
  17. 星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一
    界面窒化によるECRスパッタSiO2/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上
    2009年秋季応用物理学会
  18. 中川翔太,横山正史, 山田永, 秦雅彦, 竹中充,高木信一
    InAlAs酸化界面制御層を用いたInP MOS界面特性の向上
    2009年秋季応用物理学会
  19. 金相賢,中川翔太,灰本隆志,中根了昌,竹中充,高木信一
    メタルソース•ドレインを用いたInP MOSFETの作製と電気特性
    2009年秋季応用物理学会
  20. 横山正史,安田哲二,山田永,福原昇,秦雅彦,杉山正和,中野義昭,竹中充,高木信一
    基板貼り合わせによるSi基板上メタルS/D III-V-OI n-MOSFETの移動度向上とp-MOSFET動作
    2009年秋季応用物理学会
  21. 安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸 , 板谷太郎 , 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InP/InGaAs埋め込みチャネルを持つMIS構造の界面特性
    2009年秋季応用物理学会
  22. 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 秦雅彦, 竹中充,高木信一
    硫化アンモニウム溶液処理したⅢ-Ⅴ表面上のMIS界面評価
    2009年秋季応用物理学会
  23. 石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 安田哲二, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    硫化アンモニウム溶液処理によるInGaAs n-MISFETの特性改善
    2009年秋季応用物理学会
  24. 寺田雄紀, 出浦桃子, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    MOVPE におけるin situ AlP パッシベーションによるGaAs 表面準位抑制
    2009年秋季応用物理学会
  25. 出浦桃子,近藤佳幸,竹中充,高木信一,中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPE によるSi 上InGaAs 結晶最表部における双晶消滅層の形成と評価
    2009年秋季応用物理学会
  26. 近藤佳幸,出浦桃子,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
    微小領域選択MOVPE における表面P 終端Si からのInAs 均一核発生
    2009年秋季応用物理学会
  27. S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Electrical Properties of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    2009年秋季応用物理学会
  28. Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Takagi, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, M. Yokoyama and S. Takagi
    Present Status of III-V MISFET Development at AIST
    CINT Users Conference, September 29-30, 2009, Hilton Hotel, Santa Fe, NM
  29. 高木信一
    Siプラットフォーム上のIII-VチャネルMOSFET技術
    日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会・ワイドギャップ半導体光デバイス第162委員会合同研究会「III-V MIS 界面評価とデバイスへの応用」, 2009/10/26, キャンパスイノベーションセンター東京, p. 36-43
  30. 高木信一
    Siプラットフォーム上のIII-V/GeチャネルMOSトランジスタ技術
    2010年春季応用物理学会
  31. 寺田雄紀, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    MOVPE in situ AlP パッシベーション層の膜厚最適化によるGaAs MOS の界面準位低減
    19a-TK-4, 2010年春季応用物理学会
  32. 近藤佳幸,出浦桃子,竹中充,高木信一,中野義昭,杉山正和
    選択MOVPE によるSi 上InGaAs 成長の成長領域狭窄化による横方向成長促進
    19a-TW-8, 2010年春季応用物理学会
  33. 卜部友二, 高木秀樹, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    Si基板上に貼り合わせたInGaAsチャネルを用いたMISFETの実現
    18a-B-10, 2010年春季応用物理学会
  34. 石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    InGaAs(111)A面上への高品質MIS界面形成と高電子移動度の実現
    20a-P16-12, 2010年春季応用物理学会
  35. 星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一
    ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al2O3/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上
    20a-P16-11, 2010年春季応用物理学会
  36. 趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
    高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
    18a-B-3, 2010年春季応用物理学会
  37. 趙毅, 竹中充, 高木信一
    二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構
    18a-B-4, 2010年春季応用物理学会
  38. 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一
    III-V CMOS photonics技術を用いた超小型InP系AWGの作製
    17a-N-8, 2010年春季応用物理学会
  39. 森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木 信一
    気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET
    18p-B-6, 2010年春季応用物理学会
  40. 横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    極薄膜III-V-OI MOSFETにおける電子移動度の向上
    18a-B-11, 2010年春季応用物理学会
  41. 富山健太郎, Dissanayake Sanjeewa, 竹中充, 高木信一
    酸化濃縮法により生成したSGOI中の圧縮ひずみと酸化前基板構造の関係
    17p-TJ-11, 2010年春季応用物理学会
  42. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPE を用いたSi 上InGaAs 多段階成長の時間発展
    19a-TW-9, 2010年春季応用物理学会

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