TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

Paper list of Takagi and Takenaka Group : index

2010  |  2009  |  2008  |  Before 2007

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2010

Journal Paper

1. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   III-V-on-insulator structures with a buried Al2O3 layer and S passivation: reduction of carrier scattering at the bottom interface
   Appl. Phys. Lett. 96, 142106 (2010) 7 April
2. O. Weber, M. Takenaka and S. Takagi
   Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
   Jpn. J. Appl. Phys., vol. 49 (2010) 074101
3. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   A Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness for Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs
   IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 57, No. 9, pp. 2057-2066 (2010)
4. K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
   High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping
   IEEE Electron Device Letters, Vol. 31, No. 10, pp. 1092-1094 (2010)
5. T. Hoshii, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
   Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 132102
6. Y. Kondo, M. Deura, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakono, M. Sugiyama
   Dependence of initial nucleation on growth conditions of InAs on Si by micro-channel selective-area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy
   Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 125601
7. Y. Urabe, M. Yokoyama, H. Takagi, T. Yasuda, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Front-Gate InGaAs-On-Insulator Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
   Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 253502
8. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   Metal-organic vapor phase epitaxy based gas phase doping of arsenic into (100), (110), and (111) Ge
   Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, No. 1 (2011) 010105
9. Y. Nakakita, R. Nakakne, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
   Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers
   Jpn. J. Appl. Phys. , vol. 50, No. 1 (2011) 010109
10. S. Takagi and M. Takenaka
    Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
    Jpn. J. Appl. Phys. , vol. 50, No. 1 (2011) 010110
11. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
    Appl. Phys. Exp., vol. 4, No. 2 (2011) 024201
12. S. Dissanayake, Y. Zhao, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Channel direction, Effective Field and Temperature Dependencies of Hole Mobility in (110)-oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    J. Appl. Phys., vol. 109, No. 3, (2011) 033709

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International conference Paper

1. Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Ishii, T. Itatani, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi
   Origins for Electron Mobility Improvement in InGaAs MISFETs with (NH4)2S Treatment
   2010 MRS spring meeting, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1252,.
2. S. Takagi
   Nano CMOS
   invited talk, 2010 International Reliability Physics Symposium Reliability Year-in-Review, May 2-6, 2010, Anaheim, CA
3. T. Maeda, S. Talagi, T. Yasuda, N. Miyata, H. Talagi, H. Ishii, T. Itatani, Y. Urabe
   Compatible passivation technology for the integration both of III-V and Ge MOSFETs
   The 4th International Workshop on High k Dielectrics on High Mobility Channel Materials (National Tsing Hua University, Hsinchu,Taiwan, May 15-17, 2010), p.21.
4. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, Y. Urabe, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   III-V-semiconductor-on-insulator MISFETs on Si with buried SiO2 and Al2O3 layers by direct wafer bonding
   IPRM 2010, pp. 500-503
5. Y. Kondo, M. Deura, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakono, M. Sugiyama
   Highly lateral growth of InGaAs on Si(111) with reduced size of selective growth window
   submitted to 15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV), May 23-28, 2010 • Hyatt Regency, Lake Tahoe
6. S. Takagi and M. Takenaka
   High Mobility CMOS Technologies using Ge-based Channels (invited)
   5th international SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), Stockholm, Sweden, May 24-26, 2010,
7. N. Miyata, H. Ishii, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Origin of Electron Mobility Enhancement in (111)-Oriented InGaAs channel MISFETs
   E-MRS 2010, H: Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials
8. T. Hoshii, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
   E-MRS 2010, H: Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials
9. S. Takagi and M. Takenaka
   High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies
   International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo Institute of Technology (Titech), Tokyo, Japan, June 3-5, pp. 3
10. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    Evidence of Correlation between Surface Roughness and Interface States Generation in Unstrained and Strained-Si MOSFETs
    VLSI symposium (2010), 7.5., pp. 77-78
11. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS technologies on Si platform (invited)
    VLSI symposium (2010), 14. 1, pp. 147-148
12. M. Yokoyama, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    High Mobility III-V-On-Insulator MOSFETs on Si with ALD-Al2O3 BOX layers
    VLSI symposium (2010), 22. 3, pp. 235-236
13. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS technologies and heterogeneous integrations on Si platform (invited)
    2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010), June 30 - July 2, 2010, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, IEICE Tehcnial Reports, ED2010-78, SDM2010-79, p. 119-124
14. M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Shimogaki, Y. Nakano and M. Sugiyama
    High-temperature phosphorous passivation of Si surface for improved heteroepitaxial growth of InAs as an initial step of III-As MOVPE on Si
    SSDM 2010, K-5-6, (2010) p. 1287-1288
15. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO2
    SSDM 2010, B-2-3, (2010) p. 33-34
16. Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, M. Hata, N. Taoka, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Contributions of Interface-Trap and Minority-Carrier Responses to C-V characteristics of Al2O3/InGaAs Capacitors
    SSDM 2010, C-1-1, (2010) p. 37-38
17. S. Lee, R. Iida, S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    InGaAs and InGaAs-On-Insulator n-Channel MOSFETsFabricated by Self-Align Gate First Process with Ni/Al2O3 Gate Stacks
    SSDM 2010, P-3-7, (2010) p. 267-268
18. S. Takagi
    Effects of InGaAs Surface Nitridation on InGaAs MOS Interface Properties
    International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST 2010), 9. 29 – 10. 1, 2010, Troy, New York,
19. S. Takagi, M. Yokoyama, H. Takagi, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Yamada and M. Hata and M. Takenaka
    III-V-On-Insulator MOSFETs on Si Substrates fabricated by direct bonding technique (invited)
    218th Electrochemical Society Meeting, Wafer bonding Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 4 (2010) p. 359-370
20. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, and S. Takagi
    High quality thin body III-V-on-insulator channel layer transfer on Si using direct wafer bonding
    218th Electrochemical Society Meeting, Wafer bonding Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 4 (2010) p. 391-401
21. S. Takagi, K. Tomiyama, S. Dissanayake and M. Takenaka
    Critical Factors for Enhancement of Compressive Strain in SGOI Layers Fabricated by Ge Condensation Technique
    218th Electrochemical Society Meeting, 2010 SiGe, Ge, and Related Compounds; Processing, and Devices Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 6 (2010) p. 501-509
22. S. Takagi and M. Takenaka
    Advanced Non-Si Channel CMOS Technologies on Si Platform
    2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), Shanghai, China, November 4, 2010
23. S. Takagi
    Prospective and Critical Issues of Ge-based CMOS Devices
    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 (シリコン材料の科学と技術フォーラム2010), Okayama, Japan, November 15, 2010
24. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, R. Suzuki, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    ALD Temperature Dependence of Interface Trap Properties at ALD-Al2O3/InP Interfaces
    SISC (2010) P. 16
25. N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, T. Maeda, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Correlation between channel mobility and arsenic oxide in Al2O3/InGaAs n-MISFETs fabricated on (111)A and (100) surfaces
    SISC (2010) 5.2.
26. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Thin EOT and Low Dit Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated By Novel Post-Oxidation Method
    SISC (2010), 6.3.
27. M. Yokoyama, R. Iida, S. H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Extremely-thin-body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si fabricated by direct wafer bonding
    IEDM (2010) p. 46-49
28. S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R. Iida, S. Lee, R.Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi
    Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
    IEDM (2010) p. 596-599
29. Y. Urabe, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, T. Maeda, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Correlation between Channel Mobility Improvements and Negative Vth Shifts in III-V MISFETs: Dipole Fluctuation as New Scattering Mechanism
    IEDM (2010) p. 142-145
30. T. Hoshii, R. Suzuki, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    ALD-Al2O3/InGaAs MOS Structures with Interfacial Control Layers Formed by Nitridation of InGaAs Surfaces
    2011 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF-11), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, January 20-21 (2011) p. 147-148
31. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impacts of (NH4)2S treatment and ALD temperature on ALD-Al2O3/InP Interface Properties
    2011 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF-11), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, January 20-21 (2011) p. 149-150
32. S. Takagi
    Channel/Stress Engineering for Advanced CMOS Devices: Performance Booster
    (Tutorial 1) Advanced CMOS Device Technologies (1), 16th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC 2011), Jan. 25, 2011, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, p. 49-87

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Domestic conference Paper & others

1. 高木信一
   Si基板上のNon-SiチャネルCMOSの展望
   Selete Symposium 2010, 2010年5月11日（火）, つくば国際会議場
2. 高木信一
   CMOSプラットフォーム上の高移動度チャネルMOSトランジスタ技術
   TRC第７回半導体デバイス分析セミナー, 東京コンファレンスセンター品川, 2010年5月21日（金）
3. 高木信一
   高性能先端CMOSデバイス技術の方向性
   SFJ(セミフォーラムジャパン）2010, プロセスインテグレーションセミナー(1)－新構造・新材料によるCMOS ULSI、プロセスの未来－,グランキューブ大阪, 2010年6月1日
4. 高木信一
   Siプラットフォーム上の高移動度チャネルCMOS技術
   第4回 九州大学稲盛フロンティア研究講演会, 2010年6月11日, 九州大学伊都キャンパス稲盛ホール
5. 安田哲二, 宮田典幸,卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 大竹晃浩,星井拓也, 横山正史, 竹中充, 高木信一
   High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係
   シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（東京大学生産技術研究所, 2010年6月22日） 電子情報通信学会技術研究報告 110巻90 号 p. 49-54.
6. 高木信一
   Siプラットフォーム上のNon-SiチャネルMOSトランジスタ技術
   日経エレクトロニクス半導体技術戦略セミナー「独走する半導体メジャー3社、2兆円投資を支える技術戦略を語る〜Intel, Samsung, TSMCの技術ロードマップから、新材料デバイスまで〜」, 2010年6月29日（火）, 東京コンファレンスセンター品川, pp. 41-49
7. 高木信一, 竹中充
   Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSテクノロジー
   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第127回研究集会「VLSIシンポジウム特集（先端 CMOSデバイス・プロセス技術）」, 2010年7月22日(木), 産業技術総合研究所臨海副都心センター別館
8. 高木信一
   異種材料（Si/Ge/化合物半導体）集積化技術
   Electronic Journal 第614回 Technical Seminar, 2010年11月18日、総評会館、東京
9. 高木信一
   Siプラットフォーム上のNon-SiチャネルCMOSデバイス技術
   SEMIテクノロジーシンポジウム(STS) 2010 特別セッション 社会インフラを支えるエコロジー・化合物デバイス, 2010年12月1日、幕張メッセ国際会議場2F 201会議室
10. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレイン InxGa1-xAs MOSFETs
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第131回研究集会, 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会1月研究会, 「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 2011年1月31日, 機械振興会館, p. 5-8
11. 高木信一
    高移動度チャネルCMOSの現状と課題
    日本学術振興会 薄膜第131委員会/半導体界面制御技術第154委員会・合同研究会, 2011年2月2日, キャンパスイノベーションセンター(CIC)東京, p. 11-19
12. 高木信一, 金相賢, 竹中充
    III-V MOSFETのためのメタルS/D接合技術
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第135回研究集会, 接合技術研究会「先端CMOSデバイスに応えるドーパント制御・接合形成・評価技術」, 2010年3月7日, キャンパス・イノベーションセンター東京, p. 16-20
13. 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    成長領域狭窄化選択MOVPE によるSi 上InGaAs の高横/縦比成長
    化学工学会第42回秋季大会, 2010-年9月, 京都大学
14. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 霜垣幸浩, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPE を用いたSi 上InGaAs の形状均一化に向けたSi 表面状態とInAs 成長の関係
    化学工学会第42回秋季大会, 2010-年9月, 京都大学
15. 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木 信一
    高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術
    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE), 2010年8月26日(木)- 8月27日(金), 千歳アルカディアプラザ
16. 田岡紀之, 横山正史,金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD-Al2O3/InP界面における遅い準位特性のALD温度依存性
    ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第16回研究会）, 2011年, 東工大, pp. 15
17. 竹中充，横山正史，杉山正和，中野義昭，高木信一
    III-V CMOS photonicsプラットフォーム実現に向けたグレーティングカプラの作製
    2010年秋季応用物理学会
18. Sanjeewa Dissanayake, Yi Zhao, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
    Channel Direction Dependence of Hole Mobility in (110)-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    2010年秋季応用物理学会
19. 李成薫, 飯田亮, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 安田哲二, 板谷太郎, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    自己整合プロセス用いたInGaAs MOSFETの電気特性と活性化アニール温度依存性
    2010年秋季応用物理学会
20. 金相賢，横山正史、田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌、卜部友二, 宮田典幸, 石井裕之, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充， 高木信一
    メタルS/D構造を用いた自己整合型InP MOSFETの作製
    2010年秋季応用物理学会
21. 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    結晶品質を改善したInGaAsエピ層上MISFETのチャネル移動度特性
    2010年秋季応用物理学会
22. 安田哲二，卜部友二, 宮田典幸， 山田永， 秦雅彦， 竹中充， 高木信一
    ALD-Al2O3/InGaAs界面形成過程のIn-Line AES評価
    2010年秋季応用物理学会
23. 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    自己整合プロセスを用いたフロントゲート型InGaAs-On-Insulator MOSFET
    2010年秋季応用物理学会
24. 横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    Al2O3 埋め込み酸化膜とS 処理によるIII-V-OI MOSFET の電子移動度に対するチャネル膜厚依存性の改善
    2010年秋季応用物理学会
25. Rui Zhang，Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
    A Plasma Assisted Top-to-Bottom Assembly of Ge/GeOx/Al2O3 Gate Stack with Superior Electrical Properties
    2010年秋季応用物理学会
26. Rui Zhang, Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    Suppression of ALD-Induced Degradation on ultra thin GeO2 using Low Power Plasma Nitridation
    2010年秋季応用物理学会
27. 高木信一
    イントロダクトリートーク
    シンポジウム「シリコンテクノロジーの未来像を徹底的に考える -Never Ending Silicon Technology-」
    2010年秋季応用物理学会
28. 近藤 佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPEにおけるSi(111)選択成長領域のInAsによる完全被覆 とInGaAs横方向成長への影響
    2010年秋季応用物理学会
29. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPEを用いたSi上InAs成長の基板表面処理条件依存性
    2010年秋季応用物理学会
30. 竹中充，森井清仁，杉山正和，中野義昭，高木信一
    気相ドーピング法を用いたGe フォトディテクターの暗電流低減
    2011年春季応用物理学会
31. 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    InP MISFETの特性: 面方位と(NH4)2S処理の効果
    2011年春季応用物理学会
32. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOSFETにおけるメタルS/D材料としてのNi-InGaAsの評価
    2011年春季応用物理学会
33. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    メタルS/D構造を用いた自己整合型InxGa1-xAs MOSFETの作製
    2011年春季応用物理学会
34. 横山正史, 飯田亮, 金相賢, 田岡紀之, 卜部友二, 安田哲二, 高木秀樹, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    薄膜BOX層を有するサブ10nm極薄膜InGaAs-OI MOSFET
    2011年春季応用物理学会
35. Rui Zhang, Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties
    2011年春季応用物理学会
36. 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    プレーナ型InGaAsチャネル Tunneling Field Effect Transistor
    2011年春季応用物理学会
37. ジェバスワン ウィパコーン, 卜部友二, 前田辰郎, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    Impact of Al(CH3)3 dosage in initial cycles of Al2O3 ALD on MIS properties of InGaAs
    2011年春季応用物理学会
38. 李成薫, 飯田亮, 金相賢, 星井拓也, 田岡紀之, 横山正史, ジェバスワン・ウィパコーン, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦,竹中充，高木信一
    窒素プラズマを用いたAl2O3/InGaAs MOS構造の価電子帯近傍界面特性の改善
    2011年春季応用物理学会
39. 安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InP/InGaAs埋め込みチャネル構造によるMISFET移動度改善
    2011年春季応用物理学会
40. 一宮佑希, 横山正史, 飯田亮, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    ALD Al2O3を用いたIII-V CMOS Photonics用貼り合わせ基板の特性改善
    2011年春季応用物理学会
41. 田岡紀之, 横山正史,金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD-Al2O3/InP界面におけるコンダクタンスカーブの定量解析
    2011年春季応用物理学会
42. 黒田浩一, Sanjeewa Dissanayake, Junkyo Suh, Younghyun Kim, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    Geフォトディテクタ応用に向けた酸化濃縮Ge-On-Insulatorの特性改善
    2011年春季応用物理学会