発表論文/2010
高木・竹中研究室論文リスト:Index
2010年 | 2009年度 | 2008年度 | 2007年以前
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
2010年
査読のある学会誌の掲載論文
- M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
III-V-on-insulator structures with a buried Al2O3 layer and S passivation: reduction of carrier scattering at the bottom interface
Appl. Phys. Lett. 96, 142106 (2010) 7 April - O. Weber, M. Takenaka and S. Takagi
Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
Jpn. J. Appl. Phys., vol. 49 (2010) 074101 - Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka, and S. Takagi
A Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness for Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 57, No. 9, pp. 2057-2066 (2010) - K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping
IEEE Electron Device Letters, Vol. 31, No. 10, pp. 1092-1094 (2010) - T. Hoshii, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 132102 - Y. Kondo, M. Deura, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakono, M. Sugiyama
Dependence of initial nucleation on growth conditions of InAs on Si by micro-channel selective-area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 125601 - Y. Urabe, M. Yokoyama, H. Takagi, T. Yasuda, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Front-Gate InGaAs-On-Insulator Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 253502 - M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
Metal-organic vapor phase epitaxy based gas phase doping of arsenic into (100), (110), and (111) Ge
Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, No. 1 (2011) 010105 - Y. Nakakita, R. Nakakne, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers
Jpn. J. Appl. Phys. , vol. 50, No. 1 (2011) 010109 - S. Takagi and M. Takenaka
Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
Jpn. J. Appl. Phys. , vol. 50, No. 1 (2011) 010110 - S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
Appl. Phys. Exp., vol. 4, No. 2 (2011) 024201 - S. Dissanayake, Y. Zhao, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
Channel direction, Effective Field and Temperature Dependencies of Hole Mobility in (110)-oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
J. Appl. Phys., vol. 109, No. 3, (2011) 033709
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
査読のある国際学会での受諾論文
- Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Ishii, T. Itatani, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi
Origins for Electron Mobility Improvement in InGaAs MISFETs with (NH4)2S Treatment
2010 MRS spring meeting, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1252,. - S. Takagi
Nano CMOS
invited talk, 2010 International Reliability Physics Symposium Reliability Year-in-Review, May 2-6, 2010, Anaheim, CA - T. Maeda, S. Talagi, T. Yasuda, N. Miyata, H. Talagi, H. Ishii, T. Itatani, Y. Urabe
Compatible passivation technology for the integration both of III-V and Ge MOSFETs
The 4th International Workshop on High k Dielectrics on High Mobility Channel Materials (National Tsing Hua University, Hsinchu,Taiwan, May 15-17, 2010), p.21. - M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, Y. Urabe, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
III-V-semiconductor-on-insulator MISFETs on Si with buried SiO2 and Al2O3 layers by direct wafer bonding
IPRM 2010, pp. 500-503 - Y. Kondo, M. Deura, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakono, M. Sugiyama
Highly lateral growth of InGaAs on Si(111) with reduced size of selective growth window
submitted to 15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV), May 23-28, 2010 • Hyatt Regency, Lake Tahoe - S. Takagi and M. Takenaka
High Mobility CMOS Technologies using Ge-based Channels (invited)
5th international SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), Stockholm, Sweden, May 24-26, 2010, - N. Miyata, H. Ishii, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
Origin of Electron Mobility Enhancement in (111)-Oriented InGaAs channel MISFETs
E-MRS 2010, H: Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials - T. Hoshii, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
E-MRS 2010, H: Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials - S. Takagi and M. Takenaka
High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies
International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo Institute of Technology (Titech), Tokyo, Japan, June 3-5, pp. 3 - Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
Evidence of Correlation between Surface Roughness and Interface States Generation in Unstrained and Strained-Si MOSFETs
VLSI symposium (2010), 7.5., pp. 77-78 - S. Takagi and M. Takenaka
III-V/Ge CMOS technologies on Si platform (invited)
VLSI symposium (2010), 14. 1, pp. 147-148 - M. Yokoyama, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
High Mobility III-V-On-Insulator MOSFETs on Si with ALD-Al2O3 BOX layers
VLSI symposium (2010), 22. 3, pp. 235-236 - S. Takagi and M. Takenaka
III-V/Ge CMOS technologies and heterogeneous integrations on Si platform (invited)
2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010), June 30 - July 2, 2010, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, IEICE Tehcnial Reports, ED2010-78, SDM2010-79, p. 119-124 - M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Shimogaki, Y. Nakano and M. Sugiyama
High-temperature phosphorous passivation of Si surface for improved heteroepitaxial growth of InAs as an initial step of III-As MOVPE on Si
SSDM 2010, K-5-6, (2010) p. 1287-1288 - R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO2
SSDM 2010, B-2-3, (2010) p. 33-34 - Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, M. Hata, N. Taoka, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
Contributions of Interface-Trap and Minority-Carrier Responses to C-V characteristics of Al2O3/InGaAs Capacitors
SSDM 2010, C-1-1, (2010) p. 37-38 - S. Lee, R. Iida, S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
InGaAs and InGaAs-On-Insulator n-Channel MOSFETsFabricated by Self-Align Gate First Process with Ni/Al2O3 Gate Stacks
SSDM 2010, P-3-7, (2010) p. 267-268 - S. Takagi
Effects of InGaAs Surface Nitridation on InGaAs MOS Interface Properties
International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST 2010), 9. 29 – 10. 1, 2010, Troy, New York, - S. Takagi, M. Yokoyama, H. Takagi, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Yamada and M. Hata and M. Takenaka
III-V-On-Insulator MOSFETs on Si Substrates fabricated by direct bonding technique (invited)
218th Electrochemical Society Meeting, Wafer bonding Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 4 (2010) p. 359-370 - M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, and S. Takagi
High quality thin body III-V-on-insulator channel layer transfer on Si using direct wafer bonding
218th Electrochemical Society Meeting, Wafer bonding Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 4 (2010) p. 391-401 - S. Takagi, K. Tomiyama, S. Dissanayake and M. Takenaka
Critical Factors for Enhancement of Compressive Strain in SGOI Layers Fabricated by Ge Condensation Technique
218th Electrochemical Society Meeting, 2010 SiGe, Ge, and Related Compounds; Processing, and Devices Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 6 (2010) p. 501-509 - S. Takagi and M. Takenaka
Advanced Non-Si Channel CMOS Technologies on Si Platform
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), Shanghai, China, November 4, 2010 - S. Takagi
Prospective and Critical Issues of Ge-based CMOS Devices
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 (シリコン材料の科学と技術フォーラム2010), Okayama, Japan, November 15, 2010 - N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, R. Suzuki, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
ALD Temperature Dependence of Interface Trap Properties at ALD-Al2O3/InP Interfaces
SISC (2010) P. 16 - N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, T. Maeda, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Correlation between channel mobility and arsenic oxide in Al2O3/InGaAs n-MISFETs fabricated on (111)A and (100) surfaces
SISC (2010) 5.2. - R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Thin EOT and Low Dit Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated By Novel Post-Oxidation Method
SISC (2010), 6.3. - M. Yokoyama, R. Iida, S. H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
Extremely-thin-body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si fabricated by direct wafer bonding
IEDM (2010) p. 46-49 - S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R. Iida, S. Lee, R.Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi
Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
IEDM (2010) p. 596-599 - Y. Urabe, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, T. Maeda, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Correlation between Channel Mobility Improvements and Negative Vth Shifts in III-V MISFETs: Dipole Fluctuation as New Scattering Mechanism
IEDM (2010) p. 142-145 - T. Hoshii, R. Suzuki, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
ALD-Al2O3/InGaAs MOS Structures with Interfacial Control Layers Formed by Nitridation of InGaAs Surfaces
2011 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF-11), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, January 20-21 (2011) p. 147-148 - N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
Impacts of (NH4)2S treatment and ALD temperature on ALD-Al2O3/InP Interface Properties
2011 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF-11), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, January 20-21 (2011) p. 149-150 - S. Takagi
Channel/Stress Engineering for Advanced CMOS Devices: Performance Booster
(Tutorial 1) Advanced CMOS Device Technologies (1), 16th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC 2011), Jan. 25, 2011, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, p. 49-87
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
国内学会・研究会
- 高木信一
Si基板上のNon-SiチャネルCMOSの展望
Selete Symposium 2010, 2010年5月11日(火), つくば国際会議場 - 高木信一
CMOSプラットフォーム上の高移動度チャネルMOSトランジスタ技術
TRC第7回半導体デバイス分析セミナー, 東京コンファレンスセンター品川, 2010年5月21日(金) - 高木信一
高性能先端CMOSデバイス技術の方向性
SFJ(セミフォーラムジャパン)2010, プロセスインテグレーションセミナー(1)-新構造・新材料によるCMOS ULSI、プロセスの未来-,グランキューブ大阪, 2010年6月1日 - 高木信一
Siプラットフォーム上の高移動度チャネルCMOS技術
第4回 九州大学稲盛フロンティア研究講演会, 2010年6月11日, 九州大学伊都キャンパス稲盛ホール - 安田哲二, 宮田典幸,卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 大竹晃浩,星井拓也, 横山正史, 竹中充, 高木信一
High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係
シリコン材料・デバイス(SDM)研究会(東京大学生産技術研究所, 2010年6月22日) 電子情報通信学会技術研究報告 110巻90 号 p. 49-54. - 高木信一
Siプラットフォーム上のNon-SiチャネルMOSトランジスタ技術
日経エレクトロニクス半導体技術戦略セミナー「独走する半導体メジャー3社、2兆円投資を支える技術戦略を語る〜Intel, Samsung, TSMCの技術ロードマップから、新材料デバイスまで〜」, 2010年6月29日(火), 東京コンファレンスセンター品川, pp. 41-49 - 高木信一, 竹中充
Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSテクノロジー
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第127回研究集会「VLSIシンポジウム特集(先端 CMOSデバイス・プロセス技術)」, 2010年7月22日(木), 産業技術総合研究所臨海副都心センター別館 - 高木信一
異種材料(Si/Ge/化合物半導体)集積化技術
Electronic Journal 第614回 Technical Seminar, 2010年11月18日、総評会館、東京 - 高木信一
Siプラットフォーム上のNon-SiチャネルCMOSデバイス技術
SEMIテクノロジーシンポジウム(STS) 2010 特別セッション 社会インフラを支えるエコロジー・化合物デバイス, 2010年12月1日、幕張メッセ国際会議場2F 201会議室 - 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレイン InxGa1-xAs MOSFETs
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第131回研究集会, 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会1月研究会, 「IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)」, 2011年1月31日, 機械振興会館, p. 5-8 - 高木信一
高移動度チャネルCMOSの現状と課題
日本学術振興会 薄膜第131委員会/半導体界面制御技術第154委員会・合同研究会, 2011年2月2日, キャンパスイノベーションセンター(CIC)東京, p. 11-19 - 高木信一, 金相賢, 竹中充
III-V MOSFETのためのメタルS/D接合技術
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第135回研究集会, 接合技術研究会「先端CMOSデバイスに応えるドーパント制御・接合形成・評価技術」, 2010年3月7日, キャンパス・イノベーションセンター東京, p. 16-20 - 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
成長領域狭窄化選択MOVPE によるSi 上InGaAs の高横/縦比成長
化学工学会第42回秋季大会, 2010-年9月, 京都大学 - 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 霜垣幸浩, 中野義昭, 杉山正和
微小領域選択MOVPE を用いたSi 上InGaAs の形状均一化に向けたSi 表面状態とInAs 成長の関係
化学工学会第42回秋季大会, 2010-年9月, 京都大学 - 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木 信一
高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術
電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE), 2010年8月26日(木)- 8月27日(金), 千歳アルカディアプラザ - 田岡紀之, 横山正史,金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
ALD-Al2O3/InP界面における遅い準位特性のALD温度依存性
ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―(第16回研究会), 2011年, 東工大, pp. 15 - 竹中充,横山正史,杉山正和,中野義昭,高木信一
III-V CMOS photonicsプラットフォーム実現に向けたグレーティングカプラの作製
2010年秋季応用物理学会 - Sanjeewa Dissanayake, Yi Zhao, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
Channel Direction Dependence of Hole Mobility in (110)-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
2010年秋季応用物理学会 - 李成薫, 飯田亮, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 安田哲二, 板谷太郎, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
自己整合プロセス用いたInGaAs MOSFETの電気特性と活性化アニール温度依存性
2010年秋季応用物理学会 - 金相賢,横山正史、田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌、卜部友二, 宮田典幸, 石井裕之, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
メタルS/D構造を用いた自己整合型InP MOSFETの作製
2010年秋季応用物理学会 - 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
結晶品質を改善したInGaAsエピ層上MISFETのチャネル移動度特性
2010年秋季応用物理学会 - 安田哲二,卜部友二, 宮田典幸, 山田永, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
ALD-Al2O3/InGaAs界面形成過程のIn-Line AES評価
2010年秋季応用物理学会 - 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
自己整合プロセスを用いたフロントゲート型InGaAs-On-Insulator MOSFET
2010年秋季応用物理学会 - 横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
Al2O3 埋め込み酸化膜とS 処理によるIII-V-OI MOSFET の電子移動度に対するチャネル膜厚依存性の改善
2010年秋季応用物理学会 - Rui Zhang,Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
A Plasma Assisted Top-to-Bottom Assembly of Ge/GeOx/Al2O3 Gate Stack with Superior Electrical Properties
2010年秋季応用物理学会 - Rui Zhang, Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
Suppression of ALD-Induced Degradation on ultra thin GeO2 using Low Power Plasma Nitridation
2010年秋季応用物理学会 - 高木信一
イントロダクトリートーク
シンポジウム「シリコンテクノロジーの未来像を徹底的に考える -Never Ending Silicon Technology-」
2010年秋季応用物理学会 - 近藤 佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
微小領域選択MOVPEにおけるSi(111)選択成長領域のInAsによる完全被覆 とInGaAs横方向成長への影響
2010年秋季応用物理学会 - 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
微小領域選択MOVPEを用いたSi上InAs成長の基板表面処理条件依存性
2010年秋季応用物理学会 - 竹中充,森井清仁,杉山正和,中野義昭,高木信一
気相ドーピング法を用いたGe フォトディテクターの暗電流低減
2011年春季応用物理学会 - 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
InP MISFETの特性: 面方位と(NH4)2S処理の効果
2011年春季応用物理学会 - 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
InGaAs MOSFETにおけるメタルS/D材料としてのNi-InGaAsの評価
2011年春季応用物理学会 - 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
メタルS/D構造を用いた自己整合型InxGa1-xAs MOSFETの作製
2011年春季応用物理学会 - 横山正史, 飯田亮, 金相賢, 田岡紀之, 卜部友二, 安田哲二, 高木秀樹, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
薄膜BOX層を有するサブ10nm極薄膜InGaAs-OI MOSFET
2011年春季応用物理学会 - Rui Zhang, Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties
2011年春季応用物理学会 - 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
プレーナ型InGaAsチャネル Tunneling Field Effect Transistor
2011年春季応用物理学会 - ジェバスワン ウィパコーン, 卜部友二, 前田辰郎, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
Impact of Al(CH3)3 dosage in initial cycles of Al2O3 ALD on MIS properties of InGaAs
2011年春季応用物理学会 - 李成薫, 飯田亮, 金相賢, 星井拓也, 田岡紀之, 横山正史, ジェバスワン・ウィパコーン, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦,竹中充,高木信一
窒素プラズマを用いたAl2O3/InGaAs MOS構造の価電子帯近傍界面特性の改善
2011年春季応用物理学会 - 安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
InP/InGaAs埋め込みチャネル構造によるMISFET移動度改善
2011年春季応用物理学会 - 一宮佑希, 横山正史, 飯田亮, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
ALD Al2O3を用いたIII-V CMOS Photonics用貼り合わせ基板の特性改善
2011年春季応用物理学会 - 田岡紀之, 横山正史,金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
ALD-Al2O3/InP界面におけるコンダクタンスカーブの定量解析
2011年春季応用物理学会 - 黒田浩一, Sanjeewa Dissanayake, Junkyo Suh, Younghyun Kim, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
Geフォトディテクタ応用に向けた酸化濃縮Ge-On-Insulatorの特性改善
2011年春季応用物理学会