TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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発表論文/2011

高木・竹中研究室論文リスト:Index

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[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

2011年

査読のある学会誌の掲載論文

  1. S. Takagi, S. Dissanayake and M. Takenaka
    High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies
    Key Engineering Materials, Vol. 470 (2011) pp 1-7
  2. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation
    Appl. Phys. Lett., vol. 98, 112902 (2011)
  3. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Ultrathin Body InGaAs-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with InP Passivation Layers on Si substrates Fabricated by Direct Wafer Bonding
    Appl. Phys. Exp., vol. 4, 054202 (2011)
  4. N. Taoka, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota, and S. Takagi
    Nature of Interface Traps in Ge Metal-Insulator-Semiconductor Structures with GeO2 Interfacial Layers
    J. Appl. Phys., vol. 109, 084508 (2011)
  5. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Self-aligned metal Source/Drain InP n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors MOSFETs using Ni-InP metallic alloy
    Appl. Phys. Lett., 98, 243501 (2011)
  6. N. Taoka, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    AC response analysis of C–V curves and quantitative analysis of conductance curves in Al2O3/InP interfaces
    Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1087-1090
  7. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness on Al2O3/Ge MOS Interface Properties
    Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1533-1536
  8. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO2
    J. Electrochem. Soc., 158 (8) (2011) G178-G184
  9. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    Suppression of Interface State Generation in Si MOSFETs with Biaxially-Tensile Strain
    IEEE Electron Device Lett., 32, no. 8, (2011) pp. 1005-1007
  10. M. Yokoyama, R. Iida, S.-H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Sub-10-nm extremely-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs on Si wafers with ultrathin Al2O3 buried oxide layers
    IEEE Electron Device Lett., 32, no. 9, (2011) pp. 1218 – 1220
  11. N. Taoka, K. Ikeda, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota and S. Takagi
    Accurate evaluation of Ge metal—insulator—semiconductor interface properties
    J. Appl. Phys., vol. 110, no. 6, 064506 (2011)
  12. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    High performance Extremely-thin Body In0.7Ga0.3As-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D
    Appl. Phys. Exp., vol. 4, No. 11, 114201 (2011)
  13. J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
    Appl. Phys. Lett., vol. 99, 142108 (2011)
  14. R. Iida, S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, S.-H. Lee, M. Takenaka and S. Takagi
    Planar-type In0.53Ga0.47As channel band-to-band tunneling Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
    J. Appl. Phys., vol. 110, 124505 (2011)
  15. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Electron Mobility Enhancement of Extremely Thin Body In0.7Ga0.3As-on-Insulator Metal–Oxide– Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates by Metal–Oxide–Semiconductor Interface Buffer Layers
    Appl. Phys. Exp. 5, 014201 (2012)
  16. M. Takenaka and S. Takagi
    Strain Engineering of SiGe Optical Modulators
    IEEE J. Quantum Electronics, vol. 48, no. 1 (2012) pp. 8-16
  17. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Effect of Sample Thickness on SiO2/Si Interface Roughness Characterization through Transmission Electron Microscope Measurements in Strained-Si MOSFETs
    J. Electrochem. Soc., vol. 159 H57 (2012)
  18. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    In0.53Ga0.47As Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors with a self-aligned metal Source/Drain using Co-InGaAs alloy
    Appl. Phys. Lett. 100, 073504 (2012)
  19. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    High Mobility Ge pMOSFET with 1 nm Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no. 2, (2012) pp. 335-341
  20. R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T. Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    1 nm capacitance equivalent thickness HfO2/Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitance with low interface trap density and low gate leakage current density
    Appl. Phys. Lett., 100, 132906 (2012)
  21. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    Dark current reduction of Ge photodetector by GeO2 surface passivation and gas-phase doping
    Optics Express Letters, vol. 20, no. 8, pp. 8718-8725, 2012.

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある国際学会での受諾論文

  1. S. Takagi and M. Takenaka
    Advanced CMOS Technologies using III-V/Ge Channels (invited)
    11th International Symposium on VLSI Technology, Sysmtem and Applications (VLSI-TSA), Hsinchu, Taiwan (2011), p. 20-21
  2. M. Takenaka and S. Takagi
    III-V CMOS technologies on Si platform (invited)
    MRS spring meeting (2011)
  3. S. Takagi and M. Takenaka
    Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform (invited)
    219th Electrochemical Society Meeting, Symposium E3: International Symposium on Graphene, Ge/III-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-CMOS Applications –3, Montreal, Canada, 1-6 May 2011, ECS Trans. 35(3) (2011) pp. 279-298
  4. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee,R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Self-aligned metal S/D InP MOSFETs using metallic Ni-InP alloy
    23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)
  5. Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Iida, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    ALD Al2O3 Activated Direct Wafer Bonding for III-V CMOS Photonics Platform
    23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)
  6. M. Takenaka and S. Takagi
    III-V on Silicon for High-Speed Electronics and CMOS Photonics (invited)
    23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)
  7. S. Takagi and M. Takenaka
    High Mobility Material Channel CMOS Technologies based on Heterogeneous Integration (Keynote Speech)
    11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011), June 9 - 10, 2011, Kyoto University (Uji Campus), Kyoto, Japan, pp. 1-6
  8. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
    VLSI symp. (2011) p. 56-57
  9. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    High performance Extremely-thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering
    VLSI symp. (2011) p. 58-59
  10. M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Maeda, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding
    VLSI symp. (2011) p. 60-61
  11. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties
    17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors", 21-24 June 2011 Grenoble - France
  12. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Quantitative Analysis of Conductance Curves in Al2O3/InP Interfaces
    17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors", 21-24 June 2011 Grenoble – France
  13. J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
    37th Device Research Conference (DRC) (2011) p. 235-236
  14. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    Ultralow-dark-current Ge photodetector with GeO2 passivation and gas-phase doped junction
    International Conference on Group IV Photonics (GFP’11), WB-5, London, September 2011, pp. 36-38
  15. S. Takagi
    Channel Engineering for Advanced CMOS Devices
    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Short Course, Noyori Conference Hall, Nagoya University, Nagoya, Japan, September 27, 2011, pp. 65-78
  16. T. Hoshii, S. H. Lee, R. Suzuk, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, W. Jevasuwan, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    Effects of Nitrided-InGaAs Interfacial Layers formed by ECR nitrogen plasma on Al2O3/InGaAs MOS Properties
    SSDM (2011) E-8-4, p. 943-944
  17. R. Suzuki, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, N. Taoka, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Effect of sulfur treatment on HfO2/InGaAs MOS interfaces properties
    SSDM (2011) E-8-3, p. 941-942
  18. R. Iida, S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, S. H. Lee, M. Takenaka and S. Takagi
    Device characteristics of planar-type In0.53Ga0.47As channel band-to-band tunneling MOSFETs
    SSDM (2011) D-4-1, p. 843-844
  19. S. Takagi
    (III-V/Ge)-On-Insulator CMOS Technology
    37th IEEE International SOI Conference, Tempe Mission Palms Hotel and Conference Center, Tempe, Arizona, USA, 3 - 6 October, 2011
  20. S. Takagi, R. Zhang, T. Hoshii and M. Takenaka
    MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs
    Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics 9, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, Massachusetts, on October 10-14, 2011, ECS Trans. 41(3) (2011) pp. 3-20
  21. S. Takagi, M. Yokoyama, Y.-H. Kim and M. Takenaka
    Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS
    Symposium on ULSI Process Integration 7, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, Massachusetts, on October 10-14, 2011, ECS Trans. 41(7) (2011) pp. 203-218
  22. S. Takagi
    High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era (plenary talk)
    IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC), The Shilla Jeju, Korea, 21 October (2011) pp. 281-290
  23. S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, N. Taoka and M. Takenaka
    Ultra-thin body III-V-On-Insulator MOSFETs on Si platform
    15th International Conference on Thin Films (ICTF), Kyoto, Japan, 8-11, November (2011), O-S2-02, pp. 40
  24. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    GeO2 surface passivation and gas phase doping for reducing dark current of Ge photodetector
    1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC’11), P-8, Tokyo, November 2011
  25. Y. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
    Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator by Ge Condensation and Regrowth Technique and Waveguide for Optical Modulator
    1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC’11), P-10, Tokyo, November 2011
  26. Y. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator Waveguide for Optical Modulator
    accepted in 2011 IEEE Photonics Conference (IPC), (2011), pp. 465-466
  27. R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Improvement of HfO2/InGaAs Interfaces by ALD Temperature Control
    SISC (2011) P. 25
  28. N.Taoka, M.Yokoyama, S.H.Kim, R. Suzuki, R. Iida, S. Lee, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka, and S.Takagi
    Influence of Interface Traps inside Conduction Band on C-V Characteristics of InGaAs MOS Capacitors
    SISC (2011) 6. 2
  29. M. Yokoyama, R. Suzuki, N. Taoka, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Surface cleaning effect on III-V oxide for InGaAs (100), (111)A, and (111)B surfaces and their Al2O3 MOS interfaces by using (NH4)2Sx solution
    SISC (2011) P. 22
  30. S. Takagi, R. Zhang, N. Taoka and M. Takenaka
    MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance (invited)
    SISC (2011) 5. 1
  31. S. Takagi
    High Mobility Materials: III-V/Ge FETs
    IEDM short course,VLSI Technology Beyond 14nm Node 2011
  32. N.Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, R. Iida, S. Lee, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of Fermi Level Pinning inside Conduction Band on Electron Mobility of InxGa1-xAs MOSFETs and Mobility Enhancement by Pinning Modulation
    IEDM (2011) p. 610-614
  33. S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R.Nakane, T. Yasuda, M. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering
    IEDM (2011) p. 311-314
  34. R. Zhang, N. Taoka, P. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
    1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation
    IEDM (2011) p. 642-644
  35. S. Takagi and M. Takenaka
    Non-Si Channel MOS Device Technologies in Nano-CMOS era
    2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS’11), University of Tsukuba, December 15-17 (2011) p. 13
  36. S. Takagi and M. Takenaka
    High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform
    13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012), Grenoble, France, 5-7th of March, 2012

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

国内学会・研究会

  1. 横山正史、金相賢、張睿、田岡紀之、卜部友二、前田辰郎、高木秀樹、安田哲二、山田永、市川磨、福原昇、秦雅彦、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一
    基板貼り合わせ法による自己整合型InGaAs nMOSFET/Ge pMOSFET集積化CMOSの実現
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会, 「VLSIシンポジウム特集 (先端CMOSデバイス・プロセス技術)」, 2011年 7月 21日, 産業技術総合研究所 臨海副都心センター
  2. 張睿 岩崎敬志 田岡紀之 竹中充 高木信一
    プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会, 「VLSIシンポジウム特集 (先端CMOSデバイス・プロセス技術)」, 2011年 7月 21日, 産業技術総合研究所 臨海副都心センター
  3. 高木信一, 竹中充
    Non-Si材料チャネルMOSトランジスタの研究開発動向
    日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会, 2011年7月28日(木)慶応大学、日吉キャンパス, p. 1-9
  4. 横山正史, 金相賢, 張睿, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二, 山田永, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  5. Junkyo Suh, Ryosho Nakane, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
    Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  6. 鈴木麗菜, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD Al2O3界面層を用いたHfO2/InGaAs MOS界面特性の改善
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  7. Rui Zhang, Noriyuki Taoka, Takashi Iwasaki, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  8. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充,高木信一
    メタルS/D構造及びMOS interface buffer層の導入によるETB InGaAs-OI MOSFETの高性能化
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  9. 金栄現, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    光変調器応用に向けた高Ge組成SiGe-on-Insulator導波路の製作
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  10. 田岡紀之, 鈴木麗菜, 横山正史, 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    Al/ALD-Al2O3/InGaAs MOS構造における蓄積容量の解析
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  11. SangHoon Shin,N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Effect of Positive Fixed Charges at MOS interfaces on Surface Potential Fluctuation Determined by Conductance Method
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
  12. 田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOSキャパシタにおける伝導帯内界面準位のC-V特性への影響
    ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―(第16回研究会), 2012年, 東レ総合研修センター, pp. 17-20
  13. シン・サンフン, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    Si MOSキャパシタのコンダクタンス測定における表面ポテンシャル揺らぎの実験的評価
    ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―(第16回研究会), 2012年, 東レ総合研修センター, pp. 145-148
  14. 高木信一
    異種材料(Si/Ge/化合物半導体)集積化技術
    Electronic Journal 第984回 Technical Seminar, 2012年1月30日、総評会館、東京
  15. 竹中充, 高木 信一
    光配線LSI実現に向けたGeナノ光電子集積回路の開発
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  16. 金相賢,横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充,高木信一
    二軸引っ張りひずみによるInGaAs MOSFETの移動度向上とそのメカニズム
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  17. 金相賢,横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二,市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充,高木信一
    MOS interface buffer層の導入、チャネルIn組成変調による極薄膜 InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化とそのメカニズム
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  18. Rui Zhang, Noriyuki Taoka, Po-Chin Huang, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with ~ 1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  19. 鈴木麗菜, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    極薄膜Al2O3 界面層を挿入したHfO2/InGaAs MOS構造のCET薄膜化
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  20. 田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  21. 田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOS界面における伝導帯内界面準位の物理的起源
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  22. 横山正史, 金相賢, 張睿, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二,山田永, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    次世代高性能CMOS 実現に向けた高移動度III-V/Ge チャネルMOSFET の集積化
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
  23. 横山正史, 鈴木麗菜, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    硫化アンモニウム溶液で表面処理したInGaAs(100), (111)A, (111)B のMOS界面特性
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.

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