TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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発表論文

高木・竹中研究室 発表論文一覧

高木・竹中研究室論文リスト:Index

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[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

2016年度

査読のある学会誌の掲載論文

  1. N. Sekine, J.-H. Jan, S. Takagi, and M. Takenaka, “Numerical analysis of carrier-depletion InGaAsP optical modulator with lateral PN junction formed on III–V-on-insulator wafer,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, 04CH09, 2017. DOI: 10.7567/JJAP.56.04CH09
  2. X. Yu, J. Kang, M. Takenaka, and Shinichi Takagi, “Evaluation of mobility degradation factors and performance improvement of ultrathin-body germanium-on-insulator MOSFETs by GOI thinning using plasma oxidation,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 4, pp. 1418 – 1425, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2662217
  3. M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, Y. Ikku, Y. Cheng, J. Park, M. Yoshida, S. Takashima, and S. Takagi, “Heterogeneous CMOS photonics based on SiGe/Ge and III-V semiconductors integrated on Si Platform”, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 23, No. 3, 8200713, 2017 (Invited). DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2660884
  4. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “InAs/GaSb-on-insulator single channel complementary metal-oxide-semiconductor transistors on Si structure”, Appl. Phys. Lett., vol. 109, 213505, 2016. DOI: 10.1063/1.4968187
  5. M. Yokoyama, R. Suzuki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of surface orientation on (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.53 and 0.70 and on their Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties”, Appl. Phys. Lett., vol. 109, 182111, 2016. DOI: 10.1063/1.4966284
  6. M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, and S. Takagi, “Challenges and opportunities of near and mid-infrared photonics based on SiGe and Ge,” ECS Trans., vol. 75, no. 8, pp. 447-459, 2016 (invited). DOI: 10.1149/07508.0447ecst
  7. N. Taoka, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, R. Iida, M. Takenaka, S. Takagi, “Influence of interface traps inside the conduction band on the capacitance–voltage characteristics of InGaAs metal–oxide–semiconductor capacitors”, Appl. Phys. Express., Vol. 9, 111202, 2016. DOI: 10.7567/APEX.9.111202
  8. J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Analysis of interface trap density of plasma post-nitrided Al2O3/SiGe MOS interface with high Ge content using high-temperature conductance method”, J. Appl. Phys., vol. 120, 125707, 2016. DOI: 10.1063/1.4963877
  9. M. Ke, X. Yu, C. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Properties of slow traps of ALD Al2O3/GeOx/Ge nMOSFETs with plasma post oxidation”, Appl. Phys. Lett., vol. 109, 032101, 2016. DOI: 10.1063/1.4958890
  10. J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Novel Ge waveguide platform on Ge-on-insulator wafer for mid-infrared photonic integrated circuits,” Optics Express, vol. 24, no. 11, pp. 11855-11864, 2016. DOI: 10.1364/OE.24.011855
  11. J.-K. Park, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “InGaAsP variable optical attenuator with lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP and Zn diffusion on III-V on insulator wafer,” MRS Advances, vol.1 no. 48, pp. 3295-3300, 2016. DOI: 10.1557/adv.2016.339
  12. S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, and M. Takenaka, “III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated Systems,” Solid-state Electronics, vol. 125, pp. 82-102, 2016 (invited). DOI: 10.1016/j.sse.2016.07.002
  13. S. Takashima, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effect of III-V on insulator structure on quantum well intermixing,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EH13, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH13
  14. J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Study on void reduction in direct wafer bonding using Al2O3/HfO2 bonding interface for high-performance Si high-k MOS optical modulators,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EC06, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EC06
  15. J.-K. Park, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low resistivity lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP alloy for carrier injection InGaAsP photonic devices,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EH04, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH04
  16. Y. Cheng, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low-dark-current waveguide InGaAs metal–semiconductor–metal photodetector monolithically integrated with InP grating coupler on III–V CMOS photonics platform,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EH01, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH01
  17. R. Zhang, P.-C. Huang, N. Taoka, M. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low temperature formation of higher-k cubic phase HfO2 by atomic layer deposition on GeOx/Ge structures fabricated by in-situ thermal oxidation”, Appl. Phys. Lett., vol. 108, 052903, 2016. DOI: 10.1063/1.4914453

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある国際学会での受諾論文

  1. J. Han, S. Takagi, and M. Takenaka, “High-Efficiency O-Band Mach-Zehnder modulator based on InGaAsP/Si hybrid MOS capacitor,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2017), W3E.2, Los Angeles, 22 March 2017.
  2. J. Park, S. Takagi, and M. Takenaka, “Monolithic integration of InGaAsP MZI modulator and InGaAs driver MOSFET using III-V CMOS photonics,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2017), W3E.4, Los Angeles, 22 March 2017.
  3. C. Yokoyama, C.-Y. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi, “In content dependence of pre-treatment effects on Al2O3/InxGa1-xAs MOS interface properties,” Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2017), 3A-3, Toyama International Conference Center, 1 March 2017. DOI: 10.1109/EDTM.2017.7947493
  4. S. Takagi and M. Takenaka, “Ultra-low Power MOSFETs and Tunneling FETs using III-V and Ge,” International Workshop on Nano device Technologies, Hiroshima University, 2 March 2017 (invited).
  5. M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Influence of ALD High-k film deposition on plasma oxidation GeOx/Ge gate stacks,” 10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku University, Sendai, 13-14 Februry 2017.
  6. S. Takagi, M. Ke, X. Yu, R. Zhang, and M. Takenaka, “Critical issues and Challenges of High k Gate Stacks for Ge/GOI MOSFETs,” IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2016), 7.1, San Diego, USA, 9 December 2016 (invited).
  7. C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Characterization of Electrical and Physical Properties of W/La2O3/InGaAs MOS Interfaces,” IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2016), 5.2, San Diego, USA, 8 December 2016.
  8. T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Improvement of GaAsSb MOS interface properties by using ultrathin InGaAs interfacial layers,” IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2016), 6.3, San Diego, USA, 8 December 2016.
  9. M. Takenaka, Y. Ozawa, J. Han, and S. Takagi, “Quantitative evaluation of energy distribution of interface trap density at MoS2 MOS interfaces by the Terman method,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 5.8, San Francisco, 5 December 2016.
  10. C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of La2O3/InGaAs MOS interface on InGaAs MOSFET performance and its application to InGaAs negative capacitance FET,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 12.5, San Francisco, 6 December 2016.
  11. S. Takagi, D. Ahn, M. Noguchi, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, and M. Takenaka, “Tunneling MOSFET technologies using III-V/Ge materials,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 19.5, San Francisco, 6 December 2016 (invited).
  12. J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Extremely high modulation efficiency III-V/Si hybrid MOS optical modulator fabricated by direct wafer bonding,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 25.5, San Francisco, 7 December 2016.
  13. M. Takenaka, “Ge-on-insulator platform for near and mid-infrared integrated photonics,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), C-2, Tokyo, 28 November 2016.
  14. J.-H. Han, S. Takagi, and M. Takenaka, “Estimation of modulation efficiency enhancement using an InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-15, Tokyo, 29 November 2016.
  15. T. Fujigaki, J. Kang, S. Takagi, and M. Takenaka, “Investigation of Ge thermo-optic switch on the Ge CMOS Photonics platform,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-19, Tokyo, 29 November 2016.
  16. J. Fujikata, J.-H. Han, M. Noguchi, S. Takahashi, M. Takenaka, and T. Nakamura, “High speed and highly efficient Si optical modulator with in-situ B doped strained SiGe layer,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-7, Tokyo, 29 November 2016.
  17. K. Takeuchi, S. Takagi, and M. Takenaka, “Impact of lateral profile of implanted dopants in interleaved PN junctions on modulation efficiency of Si optical modulator,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-11, Tokyo, 29 November 2016.
  18. J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Design and characterization of Ge passive waveguide components at 2-μm band for mid-infrared integrated photonics,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-3, Tokyo, 29 November 2016.
  19. S. Takagi, X. Yu, J. Kang, and M. Takenaka, “Carrier transport properties in extremely-thin body GOI p-MOSFETs,” Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration, the Forschungszentrum Jülich, Germany, 24-25 November 2016 (invited).
  20. M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, and S. Takagi, “Challenges and opportunities of near and mid-infrared photonics based on SiGe and Ge,” 230th ECS Meeting, Symposium G05, 1968, Hawaii, USA, 4 October 2016 (invited).
  21. M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, and S. Takagi, “CMOS photonics based on SiGe and Ge for near and mid-infrared photonic integrated circuits,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), C-3-1, Tukuba, 28 September 2016 (invited).
  22. S. Takagi and M. Takenaka, “An extraction method of interface state density near conduction band edge at SiC MOS interfaces,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), E-3-4, Tukuba, 28 September 2016.
  23. T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Composition profile steepness on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical TFETs,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), A-2-4, Tukuba, 27 September 2016.
  24. N. Sekine, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Numerical analysis of InGaAsP carrier-depletion optical modulator on III-V CMOS photonics platform,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), PS-7-11, Tukuba, 28 September 2016.
  25. J. Fujikata, M. Noguchi, J. Han, S. Takahashi, M. Takenaka, and T. Nakamura, “Record-high Modulation-efficiency Depletion-type Si-based optical modulator with in-situ B doped strained SiGe layer on Si waveguide for 1.3 m wavelength,” European Conference on Optical Communication (ECOC 2016), Düsseldorf, Tu3.A.4, 20 September 2016.
  26. J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Ge waveguide photodetector on wafer-bonded Ge-on-insulator substrate monolithically integrated with amorphous Si waveguide,” European Conference on Optical Communication (ECOC 2016), Düsseldorf, W3.F.2, 21 September 2016.
  27. M. Takenaka, and S. Takagi, “Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-Vs on Si for electronic-photonic integrated circuit,” JSPS-OSA joing session, 16a-C301-6 Niigata, 16 September 2016 (invited).
  28. J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Feasibility study of III-V/Si hybrid MOS optical modulators consisting of n-InGaAsP/Al2O3/p-Si MOS capacitor formed by wafer bonding,” International Conference on Group IV Photonics (GFP2016), ThP16, Sanghai, China, 25 August 2016.
  29. M. Takenaka, and S. Takagi, “Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si for CMOS photonics,” International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2016), A-2 Avanti Kyoto Hall, Kyoto, 23 June 2016 (invited).
  30. D. H. Ahn, S. M. Ji, M. Takenaka, and S. Takagi, “Performance improvement of InxGa1-xAs Tunnel FETs with Quantum Well and EOT scaling,” VLSI Symposium, 21-2, Hawaii, USA, 16 June 2016. DOI: 10.1109/VLSIT.2016.7573443
  31. M. Takenaka, and S. Takagi, “Si/III-V CMOS photonics for low-power electronic-photonic integrated circuits on Si platform,” Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO2016), SF2P.7, San Jose, 10 June 2016 (invited).
  32. S. Takagi and M. Takenaka, “III-V MOS device technologies for advanced CMOS and tunneling FET,” Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’16), TuD4-1, Toyama, 26-30 May 2016 (invited). DOI: 10.1109/ICIPRM.2016.7528829
  33. M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, Y. Ikku, Y. Cheng, J. Park, and S. Takagi, “Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V for Si photonics,” Proc. SPIE 9891 (SPIE Photonics Europe), Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits V, 98911H, Brussels, 4-7 April 2016 (invited). DOI: 10.1117/12.2227457

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

国内学会・研究会

  1. 藤方 潤一,野口 将高, 韓 在勲, 高橋 重樹, 竹中 充, 中村 隆宏, 蔵田 和彦,「歪SiGe 層を用いた高性能Si 光変調器の検討」, 電子情報通信学会総合大会,C-3-8,名城大学,2017年3月22-25日(招待講演).
  2. 韓 在勲, 高木 信一, 竹中 充,「貼り合わせ法を用いた高性能InGaAsP/Si hybrid MOS型光変調器」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-F204-7,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日(講演奨励賞受賞記念講演).
  3. 亢 健, 高木 信一, 竹中 充,「Monolithic Integration of Ge Photodetector with Amorphous Si Waveguide on the Ge-on-Insulator Substrate」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16a-F204-5,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  4. 柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一,「MOS interface properties of ALD Al2O3/Y2O3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16a-413-8,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  5. 安 大煥, 尹 尚希, 竹中 充, 高木 信一,「基板貼り合わせによるSi基板上薄膜InGaAs-OI TFET作製プロセスの検討」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-7,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  6. 横山 千晶, 張 志宇, 竹中 充, 高木 信一,「Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-413-10,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  7. 金 佑彊, 竹中 充, 高木 信一,「酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-14,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  8. 松村 亮, 加藤 巧, 高口 遼太郎, 竹中 充, 高木 信一,「NiGe雪掻き効果による急峻な不純物分布をもつp+-/n Ge接合の実現」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-10,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  9. 後藤 高寛, 満原 学, 星 拓也, 杉山 弘樹, 竹中 充, 高木 信一,「ソース不純物濃度がGaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの電気特性に与える影響」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-6,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  10. 高口 遼太郎, 松村 亮, 加藤 巧, 竹中 充, 高木 信一,「トンネルFET応用を目指したSpin On GlassによるGe中へのn型不純物の導入」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-11,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  11. 加藤 巧, 松村 亮, 高口 遼太郎, 竹中 充, 高木 信一,「低加速BF2イオン注入を用いたGeOI TFETのオン電流の向上」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-9,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
  12. 高木 信一, 安 大煥, 野口 宗隆, 後藤 高寛, 西 康一, 金 閔洙, 竹中 充「Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術」,電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会, 機会振興会館,2017年1月30日(招待講演).
  13. 藤方 潤一, 高橋 重樹, 野口 将高, ハン ジェフン, 堀川 剛, 屋敷 健一郎, 栗原 充, 萩原 靖彦, 竹中 充, 中村 隆宏, 蔵田 和彦,「産総研SCRを利用したSiフォトニクスデバイスの開発および光I/Oコアへの適用」, 電子情報通信学会第25回シリコンフォトニクス研究会,石垣市商工会館,2016年12月8日(招待講演).
  14. 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一,「EOTスケーリング及び量子井戸によるInGaAs TFETの性能向上」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-B13-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月13日.
  15. 藤垣 匠, 亢 健, 高木 信一,「Ge-on-Insulator基板を用いた熱光学スイッチの検討」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B8-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  16. 横山 千晶, 張 志宇, 竹中 充, 高木 信一,「Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-7,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  17. 藤方 潤一, 野口 将高, 韓 在勲, 高橋 重樹, 竹中 充, 中村 隆宏,「in-situ Bドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の検討(Ⅱ)」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B8-5,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  18. 武内 和治, 韓 在勲, 竹中 充, 高木 信一,「櫛形PN接合型Si光変調器におけるイオン注入による横方向不純物分布の影響」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14a-B4-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月14日.
  19. 後藤 高, 満原 学, 星 拓也, 杉山 弘樹, 竹中 充, 高木 信一,「極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-6,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  20. 朴 珍權, 韓 在勲, 竹中 充, 高木 信一,「III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上キャリア注入型InGaAsP可変光減衰器」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14p-B4-3,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月14日.
  21. 韓 在勲, 竹中 充, 高木 信一,「貼り合わせInGaAsP/Si ハイブリッド MOS 型光変調器に関する検討」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14p-B4-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月14日.
  22. 尹 尚希, 張 志宇, 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一,「ゲート電流ストレスによるInGaAsトンネルFETの電気特性の変動」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-B13-3,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月13日.
  23. J. Kang, M. Takenaka, S. Takagi, 「Ge passive waveguide components on Ge-on-Insulator wafer for mid-infrared integrated photonics」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B8-1,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  24. C.-Y. Chang, M. Takenaka, S. Takagi, 「Energy distribution of slow trap density at La2O3/InGaAs MOS Interfaces」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-9,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  25. C.-Y. Chang, M. Takenaka, S. Takagi, 「Carrier trapping properties in La2O3/InGaAs MOSFETs」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-8,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  26. M. Ke, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi, 「Reduction of slow trap density in Al2O3/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeOxNy」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-16,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
  27. 高木 信一,玉 虓,張 睿,柯 夢南,竹中 充,「極低電力LSIのための先端Ge MOSデバイス技術」,電気化学会電子材料委員会第80回半導体・集積回路技術シンポジウム,東京理科大学森戸記念館第1フォーラム室,2016年8月23日(招待講演).
  28. 高木信一, 金閔洙, 野口宗隆, 池尙珉, 西康一, 竹中充, 「低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会第184回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術(VLSIシンポジウム特集)」, 甲南大学ネットワークキャンパス東京, 2015年8月17日.
  29. 竹中 充, 高木 信一,「Si上異種半導体集積による光電子集積回路技術」,プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会第150回研究会,名古屋大学 ES総合館ESホール,2016年6月20日(招待講演).
  30. 竹中 充,「異種半導体接合を用いた光電子集積回路」,EVG Technology Day,横浜ベイホテル東急,2016年5月27日(セミナー講演).

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