発表論文
高木・竹中研究室 発表論文一覧
高木・竹中研究室論文リスト:Index
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[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
2016年度
査読のある学会誌の掲載論文
- N. Sekine, J.-H. Jan, S. Takagi, and M. Takenaka, “Numerical analysis of carrier-depletion InGaAsP optical modulator with lateral PN junction formed on III–V-on-insulator wafer,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 56, 04CH09, 2017. DOI: 10.7567/JJAP.56.04CH09
- X. Yu, J. Kang, M. Takenaka, and Shinichi Takagi, “Evaluation of mobility degradation factors and performance improvement of ultrathin-body germanium-on-insulator MOSFETs by GOI thinning using plasma oxidation,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 4, pp. 1418 – 1425, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2662217
- M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, Y. Ikku, Y. Cheng, J. Park, M. Yoshida, S. Takashima, and S. Takagi, “Heterogeneous CMOS photonics based on SiGe/Ge and III-V semiconductors integrated on Si Platform”, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 23, No. 3, 8200713, 2017 (Invited). DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2660884
- M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “InAs/GaSb-on-insulator single channel complementary metal-oxide-semiconductor transistors on Si structure”, Appl. Phys. Lett., vol. 109, 213505, 2016. DOI: 10.1063/1.4968187
- M. Yokoyama, R. Suzuki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of surface orientation on (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.53 and 0.70 and on their Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties”, Appl. Phys. Lett., vol. 109, 182111, 2016. DOI: 10.1063/1.4966284
- M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, and S. Takagi, “Challenges and opportunities of near and mid-infrared photonics based on SiGe and Ge,” ECS Trans., vol. 75, no. 8, pp. 447-459, 2016 (invited). DOI: 10.1149/07508.0447ecst
- N. Taoka, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, R. Iida, M. Takenaka, S. Takagi, “Influence of interface traps inside the conduction band on the capacitance–voltage characteristics of InGaAs metal–oxide–semiconductor capacitors”, Appl. Phys. Express., Vol. 9, 111202, 2016. DOI: 10.7567/APEX.9.111202
- J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Analysis of interface trap density of plasma post-nitrided Al2O3/SiGe MOS interface with high Ge content using high-temperature conductance method”, J. Appl. Phys., vol. 120, 125707, 2016. DOI: 10.1063/1.4963877
- M. Ke, X. Yu, C. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Properties of slow traps of ALD Al2O3/GeOx/Ge nMOSFETs with plasma post oxidation”, Appl. Phys. Lett., vol. 109, 032101, 2016. DOI: 10.1063/1.4958890
- J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Novel Ge waveguide platform on Ge-on-insulator wafer for mid-infrared photonic integrated circuits,” Optics Express, vol. 24, no. 11, pp. 11855-11864, 2016. DOI: 10.1364/OE.24.011855
- J.-K. Park, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “InGaAsP variable optical attenuator with lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP and Zn diffusion on III-V on insulator wafer,” MRS Advances, vol.1 no. 48, pp. 3295-3300, 2016. DOI: 10.1557/adv.2016.339
- S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, and M. Takenaka, “III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated Systems,” Solid-state Electronics, vol. 125, pp. 82-102, 2016 (invited). DOI: 10.1016/j.sse.2016.07.002
- S. Takashima, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effect of III-V on insulator structure on quantum well intermixing,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EH13, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH13
- J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Study on void reduction in direct wafer bonding using Al2O3/HfO2 bonding interface for high-performance Si high-k MOS optical modulators,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EC06, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EC06
- J.-K. Park, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low resistivity lateral P-I-N junction formed by Ni-InGaAsP alloy for carrier injection InGaAsP photonic devices,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EH04, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH04
- Y. Cheng, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low-dark-current waveguide InGaAs metal–semiconductor–metal photodetector monolithically integrated with InP grating coupler on III–V CMOS photonics platform,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, 04EH01, 2016. DOI: 10.7567/JJAP.55.04EH01
- R. Zhang, P.-C. Huang, N. Taoka, M. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low temperature formation of higher-k cubic phase HfO2 by atomic layer deposition on GeOx/Ge structures fabricated by in-situ thermal oxidation”, Appl. Phys. Lett., vol. 108, 052903, 2016. DOI: 10.1063/1.4914453
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
査読のある国際学会での受諾論文
- J. Han, S. Takagi, and M. Takenaka, “High-Efficiency O-Band Mach-Zehnder modulator based on InGaAsP/Si hybrid MOS capacitor,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2017), W3E.2, Los Angeles, 22 March 2017.
- J. Park, S. Takagi, and M. Takenaka, “Monolithic integration of InGaAsP MZI modulator and InGaAs driver MOSFET using III-V CMOS photonics,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2017), W3E.4, Los Angeles, 22 March 2017.
- C. Yokoyama, C.-Y. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi, “In content dependence of pre-treatment effects on Al2O3/InxGa1-xAs MOS interface properties,” Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2017), 3A-3, Toyama International Conference Center, 1 March 2017. DOI: 10.1109/EDTM.2017.7947493
- S. Takagi and M. Takenaka, “Ultra-low Power MOSFETs and Tunneling FETs using III-V and Ge,” International Workshop on Nano device Technologies, Hiroshima University, 2 March 2017 (invited).
- M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Influence of ALD High-k film deposition on plasma oxidation GeOx/Ge gate stacks,” 10th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Tohoku University, Sendai, 13-14 Februry 2017.
- S. Takagi, M. Ke, X. Yu, R. Zhang, and M. Takenaka, “Critical issues and Challenges of High k Gate Stacks for Ge/GOI MOSFETs,” IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2016), 7.1, San Diego, USA, 9 December 2016 (invited).
- C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Characterization of Electrical and Physical Properties of W/La2O3/InGaAs MOS Interfaces,” IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2016), 5.2, San Diego, USA, 8 December 2016.
- T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Improvement of GaAsSb MOS interface properties by using ultrathin InGaAs interfacial layers,” IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2016), 6.3, San Diego, USA, 8 December 2016.
- M. Takenaka, Y. Ozawa, J. Han, and S. Takagi, “Quantitative evaluation of energy distribution of interface trap density at MoS2 MOS interfaces by the Terman method,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 5.8, San Francisco, 5 December 2016.
- C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of La2O3/InGaAs MOS interface on InGaAs MOSFET performance and its application to InGaAs negative capacitance FET,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 12.5, San Francisco, 6 December 2016.
- S. Takagi, D. Ahn, M. Noguchi, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, and M. Takenaka, “Tunneling MOSFET technologies using III-V/Ge materials,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 19.5, San Francisco, 6 December 2016 (invited).
- J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Extremely high modulation efficiency III-V/Si hybrid MOS optical modulator fabricated by direct wafer bonding,” International Electron Devices Meeting (IEDM’16), 25.5, San Francisco, 7 December 2016.
- M. Takenaka, “Ge-on-insulator platform for near and mid-infrared integrated photonics,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), C-2, Tokyo, 28 November 2016.
- J.-H. Han, S. Takagi, and M. Takenaka, “Estimation of modulation efficiency enhancement using an InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-15, Tokyo, 29 November 2016.
- T. Fujigaki, J. Kang, S. Takagi, and M. Takenaka, “Investigation of Ge thermo-optic switch on the Ge CMOS Photonics platform,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-19, Tokyo, 29 November 2016.
- J. Fujikata, J.-H. Han, M. Noguchi, S. Takahashi, M. Takenaka, and T. Nakamura, “High speed and highly efficient Si optical modulator with in-situ B doped strained SiGe layer,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-7, Tokyo, 29 November 2016.
- K. Takeuchi, S. Takagi, and M. Takenaka, “Impact of lateral profile of implanted dopants in interleaved PN junctions on modulation efficiency of Si optical modulator,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-11, Tokyo, 29 November 2016.
- J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Design and characterization of Ge passive waveguide components at 2-μm band for mid-infrared integrated photonics,” 6th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2016), P-3, Tokyo, 29 November 2016.
- S. Takagi, X. Yu, J. Kang, and M. Takenaka, “Carrier transport properties in extremely-thin body GOI p-MOSFETs,” Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration, the Forschungszentrum Jülich, Germany, 24-25 November 2016 (invited).
- M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, and S. Takagi, “Challenges and opportunities of near and mid-infrared photonics based on SiGe and Ge,” 230th ECS Meeting, Symposium G05, 1968, Hawaii, USA, 4 October 2016 (invited).
- M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, and S. Takagi, “CMOS photonics based on SiGe and Ge for near and mid-infrared photonic integrated circuits,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), C-3-1, Tukuba, 28 September 2016 (invited).
- S. Takagi and M. Takenaka, “An extraction method of interface state density near conduction band edge at SiC MOS interfaces,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), E-3-4, Tukuba, 28 September 2016.
- T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Composition profile steepness on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical TFETs,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), A-2-4, Tukuba, 27 September 2016.
- N. Sekine, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Numerical analysis of InGaAsP carrier-depletion optical modulator on III-V CMOS photonics platform,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), PS-7-11, Tukuba, 28 September 2016.
- J. Fujikata, M. Noguchi, J. Han, S. Takahashi, M. Takenaka, and T. Nakamura, “Record-high Modulation-efficiency Depletion-type Si-based optical modulator with in-situ B doped strained SiGe layer on Si waveguide for 1.3 m wavelength,” European Conference on Optical Communication (ECOC 2016), Düsseldorf, Tu3.A.4, 20 September 2016.
- J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Ge waveguide photodetector on wafer-bonded Ge-on-insulator substrate monolithically integrated with amorphous Si waveguide,” European Conference on Optical Communication (ECOC 2016), Düsseldorf, W3.F.2, 21 September 2016.
- M. Takenaka, and S. Takagi, “Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-Vs on Si for electronic-photonic integrated circuit,” JSPS-OSA joing session, 16a-C301-6 Niigata, 16 September 2016 (invited).
- J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi, “Feasibility study of III-V/Si hybrid MOS optical modulators consisting of n-InGaAsP/Al2O3/p-Si MOS capacitor formed by wafer bonding,” International Conference on Group IV Photonics (GFP2016), ThP16, Sanghai, China, 25 August 2016.
- M. Takenaka, and S. Takagi, “Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si for CMOS photonics,” International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2016), A-2 Avanti Kyoto Hall, Kyoto, 23 June 2016 (invited).
- D. H. Ahn, S. M. Ji, M. Takenaka, and S. Takagi, “Performance improvement of InxGa1-xAs Tunnel FETs with Quantum Well and EOT scaling,” VLSI Symposium, 21-2, Hawaii, USA, 16 June 2016. DOI: 10.1109/VLSIT.2016.7573443
- M. Takenaka, and S. Takagi, “Si/III-V CMOS photonics for low-power electronic-photonic integrated circuits on Si platform,” Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO2016), SF2P.7, San Jose, 10 June 2016 (invited).
- S. Takagi and M. Takenaka, “III-V MOS device technologies for advanced CMOS and tunneling FET,” Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’16), TuD4-1, Toyama, 26-30 May 2016 (invited). DOI: 10.1109/ICIPRM.2016.7528829
- M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, Y. Ikku, Y. Cheng, J. Park, and S. Takagi, “Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V for Si photonics,” Proc. SPIE 9891 (SPIE Photonics Europe), Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits V, 98911H, Brussels, 4-7 April 2016 (invited). DOI: 10.1117/12.2227457
[査読のある学会誌の掲載論文] [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]
国内学会・研究会
- 藤方 潤一,野口 将高, 韓 在勲, 高橋 重樹, 竹中 充, 中村 隆宏, 蔵田 和彦,「歪SiGe 層を用いた高性能Si 光変調器の検討」, 電子情報通信学会総合大会,C-3-8,名城大学,2017年3月22-25日(招待講演).
- 韓 在勲, 高木 信一, 竹中 充,「貼り合わせ法を用いた高性能InGaAsP/Si hybrid MOS型光変調器」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-F204-7,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日(講演奨励賞受賞記念講演).
- 亢 健, 高木 信一, 竹中 充,「Monolithic Integration of Ge Photodetector with Amorphous Si Waveguide on the Ge-on-Insulator Substrate」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16a-F204-5,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一,「MOS interface properties of ALD Al2O3/Y2O3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16a-413-8,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 安 大煥, 尹 尚希, 竹中 充, 高木 信一,「基板貼り合わせによるSi基板上薄膜InGaAs-OI TFET作製プロセスの検討」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-7,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 横山 千晶, 張 志宇, 竹中 充, 高木 信一,「Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-413-10,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 金 佑彊, 竹中 充, 高木 信一,「酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-14,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 松村 亮, 加藤 巧, 高口 遼太郎, 竹中 充, 高木 信一,「NiGe雪掻き効果による急峻な不純物分布をもつp+-/n Ge接合の実現」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-10,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 後藤 高寛, 満原 学, 星 拓也, 杉山 弘樹, 竹中 充, 高木 信一,「ソース不純物濃度がGaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの電気特性に与える影響」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-6,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 高口 遼太郎, 松村 亮, 加藤 巧, 竹中 充, 高木 信一,「トンネルFET応用を目指したSpin On GlassによるGe中へのn型不純物の導入」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-11,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 加藤 巧, 松村 亮, 高口 遼太郎, 竹中 充, 高木 信一,「低加速BF2イオン注入を用いたGeOI TFETのオン電流の向上」,第64回応用物理学会春季学術講演会,16p-412-9,パシフィコ横浜,横浜,2017年3月16日.
- 高木 信一, 安 大煥, 野口 宗隆, 後藤 高寛, 西 康一, 金 閔洙, 竹中 充「Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術」,電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会, 機会振興会館,2017年1月30日(招待講演).
- 藤方 潤一, 高橋 重樹, 野口 将高, ハン ジェフン, 堀川 剛, 屋敷 健一郎, 栗原 充, 萩原 靖彦, 竹中 充, 中村 隆宏, 蔵田 和彦,「産総研SCRを利用したSiフォトニクスデバイスの開発および光I/Oコアへの適用」, 電子情報通信学会第25回シリコンフォトニクス研究会,石垣市商工会館,2016年12月8日(招待講演).
- 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一,「EOTスケーリング及び量子井戸によるInGaAs TFETの性能向上」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-B13-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月13日.
- 藤垣 匠, 亢 健, 高木 信一,「Ge-on-Insulator基板を用いた熱光学スイッチの検討」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B8-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- 横山 千晶, 張 志宇, 竹中 充, 高木 信一,「Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-7,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- 藤方 潤一, 野口 将高, 韓 在勲, 高橋 重樹, 竹中 充, 中村 隆宏,「in-situ Bドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の検討(Ⅱ)」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B8-5,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- 武内 和治, 韓 在勲, 竹中 充, 高木 信一,「櫛形PN接合型Si光変調器におけるイオン注入による横方向不純物分布の影響」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14a-B4-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月14日.
- 後藤 高, 満原 学, 星 拓也, 杉山 弘樹, 竹中 充, 高木 信一,「極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-6,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- 朴 珍權, 韓 在勲, 竹中 充, 高木 信一,「III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上キャリア注入型InGaAsP可変光減衰器」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14p-B4-3,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月14日.
- 韓 在勲, 竹中 充, 高木 信一,「貼り合わせInGaAsP/Si ハイブリッド MOS 型光変調器に関する検討」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14p-B4-2,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月14日.
- 尹 尚希, 張 志宇, 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一,「ゲート電流ストレスによるInGaAsトンネルFETの電気特性の変動」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,13p-B13-3,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月13日.
- J. Kang, M. Takenaka, S. Takagi, 「Ge passive waveguide components on Ge-on-Insulator wafer for mid-infrared integrated photonics」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B8-1,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- C.-Y. Chang, M. Takenaka, S. Takagi, 「Energy distribution of slow trap density at La2O3/InGaAs MOS Interfaces」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-9,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- C.-Y. Chang, M. Takenaka, S. Takagi, 「Carrier trapping properties in La2O3/InGaAs MOSFETs」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-8,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- M. Ke, X. Yu, M. Takenaka, S. Takagi, 「Reduction of slow trap density in Al2O3/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeOxNy」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会,15p-B9-16,朱鷺メッセ,新潟,2016年9月15日.
- 高木 信一,玉 虓,張 睿,柯 夢南,竹中 充,「極低電力LSIのための先端Ge MOSデバイス技術」,電気化学会電子材料委員会第80回半導体・集積回路技術シンポジウム,東京理科大学森戸記念館第1フォーラム室,2016年8月23日(招待講演).
- 高木信一, 金閔洙, 野口宗隆, 池尙珉, 西康一, 竹中充, 「低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会第184回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術(VLSIシンポジウム特集)」, 甲南大学ネットワークキャンパス東京, 2015年8月17日.
- 竹中 充, 高木 信一,「Si上異種半導体集積による光電子集積回路技術」,プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会第150回研究会,名古屋大学 ES総合館ESホール,2016年6月20日(招待講演).
- 竹中 充,「異種半導体接合を用いた光電子集積回路」,EVG Technology Day,横浜ベイホテル東急,2016年5月27日(セミナー講演).