TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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発表論文

高木・竹中研究室 発表論文一覧

高木・竹中研究室論文リスト:Index

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2017論文一覧

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある学会誌の掲載論文

  1. J.-K. Park, S. Takagi, and M. Takenaka, “InGaAsP Mach–Zehnder interferometer optical modulator monolithically integrated with InGaAs driver MOSFET on a III-V CMOS photonics platform,” Optics Express, vol. 26, no. 4, pp. 4842–4852, 2018. DOI: 10.1364/OE.26.004842
  2. S. Takagi, D.-H. Ahn, M. Noguchi, S.-H. Yoon, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, T.-E. Bae, T. Kato, R. Matsumura, R. Takaguchi, and M. Takenaka, “Low power Tunneling FET technologies using Ge/III-V materials,” ECS Trans., vol. 80, no. 4, pp. 115–124, 2017 (invited). DOI: 10.1149/08004.0115ecst
  3. S. Takagi, M. Ke, C.-Y. Chang, C. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, S.-H. Yoon, and M. Takenaka, “MOS interface defect control in Ge/III-V gate stacks,” ECS Trans., vol. 80, no. 1, pp. 109–118, 2017 (invited). DOI: 10.1149/08001.0109ecst
  4. J. Fujikata, M. Noguchi, Y. Kim, J. Han, S. Takahashi, T. Nakamura, and M. Takenaka, “High-speed and highly efficient Si optical modulator with strained SiGe layer,” Appl. Phys. Express, Vol. 11, 032201, 2018. DOI: 10.7567/APEX.11.032201
  5. M. Takenaka and S. Takagi, “InP-based photonic integrated circuit platform on SiC wafer,” Optics Express, vol. 25, no. 24, pp. 29993-30000, 2017. DOI: 10.1364/OE.25.029993
  6. T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effects of impurity and composition profiles on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical tunnel field effect transistors,” J. Appl. Phys., vol. 122, 174503, 2017. DOI: 10.1063/1.4993823
  7. D.-H. Ahn, S.-M. Ji, M. Takenaka, and S. Takagi, “Design and properties of planar-type tunnel FETs using In0.53Ga0.47As/InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As quantum well,” J. Appl. Phys., vol. 122, 135704, 2017. DOI: 10.1063/1.4992005
  8. C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi, “Modulation of sub-threshold properties of InGaAs MOSFETs by La2O3 gate dielectrics,” AIP Advances, vol. 7, 095215, 2017. DOI: 10.1063/1.4999958
  9. J.-H. Han, F. Boeuf, J. Fujikata, S. Takahashi, S. Takagi, and M. Takenaka, “Efficient low-loss InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator,” Nat. Photonics, vol. 11, no. 8, pp. 486–490, Jul. 2017. DOI: 10.1038/nphoton.2017.122
  10. F. Boeuf, J.-H. Han, S. Takagi, and M. Takenaka, “Benchmarking Si, SiGe and III-V/Si hybrid SIS Optical Modulators for Datacenter Applications,” J. Light. Technol., vol. 35, no. 18, pp. 4047–4055, 2017. DOI: 10.1109/JLT.2017.2728365
  11. T. H. Xiao, Z. Zhao, W. Zhou, M. Takenaka, H. K. Tsang, Z. Cheng, and K. Goda, “Mid-infrared germanium photonic crystal cavity,” Optics Letters, vol. 42, no. 15, pp. 2882 – 2885, 2017. DOI: 10.1364/OL.42.002882
  12. D. -H. Ahn, S.-H. Yoon, M. Takenaka and S. Takagi, “Effects of HfO2/Al2O3 gate stacks on electrical performance of planar-type InxGa1-xAs tunneling Field-Effect Transistors”, Appl. Phys. Express., Vol. 10, 084201, 2017. DOI: 10.7567/APEX.10.084201
  13. J. Kang, Z. Cheng, W. Zhou, T.-H. Xiao, K.-L. Gopalakrisna, M. Takenaka, H. K. Tsang, and K. Goda, “Focusing subwavelength grating coupler for mid-infrared suspended membrane germanium waveguides,” Optics Letters, vol. 42, no. 11, pp. 2094 – 2097, 2017. DOI: 10.1364/OL.42.002094
  14. S. -H. Yoon, C.-Y. Chang, D. -H. Ahn, M. Takenaka, and S. Takagi, “Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress”, Microelectronic Engineering, Vol. 178, pp. 313-317, 2017. DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.015
  15. M. Ke, M. Takenaka, S. Takagi, “Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers”, Microelectronic Engineering, Vol. 178, pp. 132-136, 2017. DOI: 10.1016/j.mee.2017.04.021
  16. C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of La2O3/InGaAs MOS Interfaces on the Performance of InGaAs MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 6, pp. 2519 – 2525, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2696741

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある国際学会での受諾論文

  1. M. Takenaka, J.-H. Han, J.-K. Park, F. Boeuf, J. Fujikata, S. Takahashi, and S. Takagi, “High-efficiency, low-loss optical phase modulator based on III-V/Si hybrid MOS capacitor,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2018), Tu3K.3, San Diego, 13 March 2018 (invited). DOI: 10.1364/OFC.2018.Tu3K.3
  2. Q. Li, J.-H. Han, C. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Low-crosstalk, low-power Mach-Zehnder interferometer optical switch based on III-V/Si hybrid MOS phase shifter,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2018), Th3C.5, San Diego, 15 March 2018. DOI:10.1364/OFC.2018.Th3C.5
  3. S. Takagi, W.-K. Kim, K. Jo, X. Yu and M. Takenaka, “Extremely-Thin Body GOI structures and MOSFETs”, 11th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, 23-24 Februay 2018 (invited).
  4. C.-P. Ho, Z. Zhao, S. Takagi, and M. Takenaka, “Investigation of a bandpass filter on Germanium-on-Insulator photonic platform,” 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2017), P-5, Tokyo, 11 December 2017.
  5. P. Cheng, S. Takagi, and M. Takenaka, “Numerical investigation of ultralow-capacitance InGaAs photodetector on III-V/a-Si hybrid platform,” 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2017), P-4, Tokyo, 11 December 2017.
  6. T. Fujigaki, S. Takagi, and M. Takenaka, “Wavelength dependence of Ge thermo-optic switch operating at mid-infrared wavelength range,” 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2017), P-36, Tokyo, 11 December 2017.
  7. J. Fujikata, S. Takahashi, K. Kinoshita, J. Han, T. Horikawa, K. Yashiki, M. Kurihara, Y. Hagihara, M. Takenaka, K. Kurata, T. Mogami, and T. Nakamura, “High speed and highly efficient Si optical modulator with strained SiGe layer, and its 25 Gbps operation with CMOS driver,” 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2017), P-18, Tokyo, 11 December 2017.
  8. Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka, “III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter toward low-crosstalk switching,” 7th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2017), P-32, Tokyo, 11 December 2017.
  9. D.-H. Ahn, S.-H. Yoon, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effects of W/ZrO2/Al2O3 gate stacks on performance of InGaAs TFETs”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 5.16, San Diego, 6-9 December 2017.
  10. C. Yokoyama, C.-Y. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi, “Pre-cleaning Effects for Al2O3/p-InxGa1-xAs MOS Interfaces”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 5.9, San Diego, 6-9 December 2017.
  11. M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Discrimination of pre-existing and generated slow traps under electrical stress in Al2O3/GeOx/n-Ge gate stacks with plasma oxidation process”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 7.2, San Diego, 6-9 December 2017.
  12. S.-H. Yoon, D.-H. Ahn, M. Takenaka, and S. Takagi, “Relationship between interface state generation and substrate hole current in InGaAs n-channel MOSFETs”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 12.4, San Diego, 6-9 December 2017.
  13. K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka and S. Takagi, “Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment,” International Electron Devices Meeting (IEDM’17), 15.6, San Francisco, 2-6 December 2017.
  14. M. Takenaka and S. Takagi, “High-efficiency phase modulation based on Si hybrid MOS structure,” Progress In Electromagnetics Research Symposium (PIERS2017), 19-22 November 2017 (invited).
  15. S. Takagi and M. Takenaka, “Ultra-low power MOSFET and tunneling FET technologies using III-V and Ge,” IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), E.1, Miami Marriott Biscayne Bay, USA, 22-25 October 2017 (invited).
  16. S. Takagi. D.-H Ahn, T. Gotow, K. Nishi, T.-E. Bae, T. Katoh, R. Matsumura, R. Takaguchi, K. Kato, and M. Takenaka, “III-V/Ge-based Tunneling MOSFET,” 5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop, Berkeley, USA, 19-20 October 2017 (invited).
  17. T.-E. Bae, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effects of Ge-source impurity concentration on electrical characteristics of Ge/Si hetero-junction tunneling FETs,” 5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop, Berkeley, USA, 19-20 October 2017.
  18. M. Takenaka, J. Kang, T. Fujigaki, and S. Takagi, “Near-infrared and mid-infrared integrated photonics based on Ge-on-insulator platform,” IEEE Photonics Conference (IPC 2017), MB.3.1, Orlando, Florida, USA, 1-5 October 2017 (invited).
  19. S. Takagi, M. Ke, C. Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, S. Yoon, and M. Takenaka, “MOS interface defect control in Ge/III-V gate stacks,” 232nd ECS Meeting, Symposium D01, 830, National Harbor, USA, 1-5 October 2017 (invited).
  20. S. Takagi, D. H. Ahn, M. Noguchi, S. Yoon, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, T. E. Bae, T. Katoh, R. Matsumura, R. Takaguchi, and M. Takenaka, “Low power tunneling FET technologies using Ge/III-V materials,” 232nd ECS Meeting, Symposium G03, 1142, National Harbor, USA, 1-5 October 2017 (invited).
  21. S. Takagi, “Advanced MOS device technology for ultra-low power IoT applications”, 12th VDEC D2T Symposium, Tokyo, 28 September 2017 (invited).
  22. S. Takagi, “Advanced MOS device technology”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), short course - Si-related Technology, Sendai, 19 September 2017 (invited).
  23. K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi, “Effect of SiGe Layer Thickness in Starting Substrate on Electrical Properties of Ultrathin Body Ge-on-insulator pMOSFET fabricated by Ge Condensation”, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-2-02, Sendai, 19-22 Sept. 2017.
  24. K. Kukita, T. Uechi, J. Shimokawa, M. Goto, Y. Yokota, H. Tanimoto, S. Kawanaka, T. Tanamoto, M. Koyama and S. Takagi, “TCAD simulation of planar single-gate tunnel FET with average subthreshold swing less than 60 mV/dec for 0.3 V operation”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), PS-3-14, Sendai, 19-22 Sept. 2017.
  25. K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi, “High performance top-gate zinc oxide thin film transistor (ZnO TFT) by combination of post oxidation and annealing,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), E-2-05, Sendai, 19-22 September 2017.
  26. T. -E. Bae, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Performance improvement of Ge-source/Si-channel hetero-junction tunneling FETs: effects of annealing gas and drain doping concentration,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), E-3-03, Sendai, 19-22 September 2017.
  27. R. Takaguchi, R. Matsumura, T. Katoh, M. Takenaka, and S. Takagi, “Ge p-channel tunneling FETs with steep phosphorus profile source junctions,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), E-3-04, Sendai, 19-22 September 2017.
  28. R. Matsumura, T. Katoh, R. Takaguchi, M. Takenaka, and S. Takagi, “Ge-on-insulator tunneling FET with abrupt source junction by snowplow effect of NiGe,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), PS-3-01, Sendai, 19-22 September 2017.
  29. T. Katoh, R. Matsumura, R. Takaguchi, M. Takenaka, and S. Takagi, “Performance enhancement of GOI tunneling FETs with source junctions formed by low energy BF2 ion implantation,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), PS-3-02, Sendai, 19-22 September 2017.
  30. Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka, “Low-crosstalk optical switch with InGaAsP/Si hybrid MOS optical phase shifter,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), PS-7-02, Sendai, 19-22 September 2017.
  31. Y. Yamaguchi, S. Takagi, and M. Takenaka, “Low-optical-loss graphene-based phase modulator operating at mid-infrared wavelength,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), PS-7-03, Sendai, 19-22 September 2017.
  32. F. Boeuf, N. Sekine, S. Takagi, and M. Takenaka, “Performance benchmarking of InGaAsP, Si0.8Ge0.2 and Si-based photonics homojunction and heterojunction PN modulators,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), H-8-02, Sendai, 19-22 September 2017.
  33. M. Takenaka, “Electronic-photonic integrated circuits based on heterogeneous integration of Ge/III-V on Si,” Silicon Photonic Workshop, European Conference on Optical Communication (ECOC 2017), Gothenburg, 17 September 2017 (invited).
  34. M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Understanding of slow traps generation in plasma oxidation GeOx/Ge MOS interfaces with ALD high-k layers,” 47th European Solid-State Device Conference (ESSDERC 2017), C4L-G2, Leuven, Belgium, 11-14 September 2017.
  35. S. Takagi, “Advanced Devices and Materials for Future CMOS-based IC Technologies”, International Electron Devices and Materials Symposium (IEDMS), Short course, Hsinchu, Taiwan, 6 September 2017 (invited).
  36. J. Fujikata, K. Kinoshita, J. Han, T. Horikawa, S. Takahashi, K. Yashiki, M. Kurihara, Y. Hagihara, M. Takenaka, T. Nakamura, K. Kurata, and T. Mogami, “High-Performance Si optical modulator with strained p-SiGe layer and its application to 25 Gbps optical transceiver,” International Conference on Group IV Photonics (GFP2017), WD.3, Grand Hyatt Berlin, Berlin, Germany, 23-25 August 2017.
  37. Y. Yamaguchi, S. Takagi, and M. Takenaka, “Pure phase modulation based on graphene operating at wavelength of 3000 nm,” 24th Congress of the international Commission for Optics (ICO-24), Th3J-06, Keio Plaza Hotel, Tokyo, Japan, 21-25 August 2017.
  38. N. Sekine, J.-H. Han, S. Takagi, and M. Takenaka, “Investigation on Mg ion implantation for carrier-depletion InGaAsP optical modulator with vertical PN junction,” 24th Congress of the international Commission for Optics (ICO-24), Th1J-04, Keio Plaza Hotel, Tokyo, Japan, 21-25 August 2017.
  39. Q. Li, J.-H. Han, F. Boeuf, S. Takagi, and M. Takenaka, “Structure optimization of InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator for high-efficiency phase modulation,” 24th Congress of the international Commission for Optics (ICO-24), Tu2J-03, Keio Plaza Hotel, Tokyo, Japan, 21-25 August 2017.
  40. T. Fujigaki, J. Kang, S. Takagi, and M. Takenaka, “Numerical analysis of Ge thermo-optic switch with air insulator structure,” 24th Congress of the international Commission for Optics (ICO-24), Tu2J-05, Keio Plaza Hotel, Tokyo, Japan, 21-25 August 2017.
  41. S. H. Yoon, C.-Y. Chang, D. H. Ahn, M. Takenaka and S. Takagi, “Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress,” 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017), ThuB1.2, Potsdam, Germany, 27-30 June 2017.
  42. M. Ke, M. Takenaka and S. Takagi, “Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers,” 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2017), ThuA2.2, Potsdam, Germany, 27-30 June 2017.
  43. M. Takenaka and S. Takagi, “Evaluation of interfacial properties of MoS2,” 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Symposium H-08, 170654, Singapore, 18-23 June 2017 (invited).
  44. S. Takagi and M. Takenaka, “Low power III-V MOSFETs and TFETs on Si platform,” 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Symposium A, 171167, Singapore, 18-23 June 2017 (invited).
  45. S. Saito, A. Z. Al-attili, D. Burt, K. Oda, M. Takenaka, N. Higashitarumizu, Y. Ishikawa, “Germanium light sources for silicon photonics,” 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Symposium B, 170062, Singapore, 18-23 June 2017 (invited).
  46. M. Takenaka, “Heterogeneous Integration of Ge, III-V, and 2D on Si – from More Moore to Beyond CMOS –” VLSI Symposium, Short course, Kyoto, Japan, 5-8 June 2017.
  47. W.-K. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi, “High performance 4.5-nm-thick compressively-strained Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation with optimized temperature control,” VLSI Symposium, 9-3, Kyoto, Japan, 5-8 June 2017.
  48. S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, M. Noguchi, K. Nishi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, C.-Y. Chang, S.-H. Yoon, C. Yokoyama and M. Takenaka, “III-V-based low power CMOS devices on Si platform,” IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology (ICICDT), A1, Austin, USA, 23-25 May 2017 (invited).
  49. S. Takagi and M. Takenaka, “III–V/Ge MOSFETs and TFETs for ultra-low power logic LSIs,” International Symposium on VLSI technology, System and Applications (VLSI-TSA2017), T3-2, Hsinchu, Taiwan, 24-27 April 2017 (invited). DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2017.7942467
  50. M. Takenaka and S. Takagi, “Exploring interfacial properties of pristine MoS2 MOS interface,” MRS Spring Meeting, Symposium ED7, 7.05, Pheonix, USA, 17-21 April 2017 (invited).
  51. J. Fujikata, J. Han, M. Noguchi, S. Takahashi, M. Takenaka, and T. Nakamura, “High Speed and highly efficient Si optical modulator with in-situ B doped strained SiGe layer,” International Conference on Nanophotonics and Nanooptoelectronics (ICNN2017), Pacifico-Yokohama, 18-21 April 2017 (invited).
  52. M. Takenaka, “Si photonics based on heterogeneous integration,” Tsinghua University-the University of Tokyo Joint Symposium, Tsinghua University, Beijing, China, 14 April 2017.
  53. M. Takenaka and S. Takagi, “Photonic integrated circuit platform using III-V on SiC wafer,” European Conference on Integrated Optics (ECIO'17), WP1.1, Eindhoven, 3-5 April 2017.

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

国内学会・研究会

  1. Z. Cheng, T.-H. Xiao, Z. Zhao, W. Zhou, M. Takenaka, H. K. Tsang, K. Goda, “Mid-infrared germanium-suspended-membrane photonic integrated circuits for low-cost and portable molecular fingerprinting,” 日本化学会第98春季年会, 2I4-09, 20-23 March 2018.
  2. 竹中 充, 高木 信一, “ゲルマニウムを用いた中赤外集積フォトニクスへの展開,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-C304-6,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日(招待講演).
  3. 隅田 圭, 竹中 充, 高木 信一, “Smart Cut法を用いたInAs on Insulator構造の作製,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-4,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  4. 加藤 公彦, 竹中 充, 高木 信一, “Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-9,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  5. 山口 大志, 後藤 高寛, 竹中 充, 高木 信一, “反強誘電体薄膜をゲート絶縁膜に用いたMOSFETの電気特性,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-4,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  6. 田口 富隆, 高木 信一, 竹中 充,, “中赤外フォトニクスのためのGe/Si ハイブリッド MOS型光変調器の提案,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19a-B201-4,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  7. 安 大煥, 尹 尚希, 竹中 充, 高木 信一, “Zn拡散ソースInGaAs TFETにおけるW/ZrO2/Al2O3ゲートスタックの効果,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P8-7,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  8. 遠藤 清, 加藤 公彦, 竹中 充, 高木 信一, “強誘電体型ヒステリシスを有するLa2O3/Si MOSFETの電気特性,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-G203-5,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  9. 加藤 公彦, 松井 裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一, “n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-G203-10,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  10. 高口 遼太郎, 加藤 公彦, 柯 夢南, 竹中 充, 高木 信一, “p型GOI基板上に作製した pチャネルGOIトンネルFETの電気特性,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-G203-8,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  11. 三條 嵩明, 関根 尚希, 高木 信一, 竹中 充, “フォトニクス応用に向けたIII-V on SiCプラットフォームの検討,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-B201-7,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  12. 韓 在勲, Boeuf Frederic, 藤方 潤一, 高橋 重樹, 高木 信一, 竹中 充, “Efficient low-loss InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19a-G203-7,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日(第9回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演).
  13. 横山 千晶, 張 志宇, 加藤 公彦, 竹中 充, 高木 信一, “Al2O3/p-InxGa1-xAs MOS界面に与える前処理の効果,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17a-F206-12,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  14. Q. Li, S. Takagi, M. Takenaka, “Demonstration of Mach-Zehnder interferometer optical switch with InGaAsP/Si hybrid MOS optical phase shifter,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-B201-5,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  15. Z. Zhao, C. Ho, S. Takagi, M. Takenaka, “Investigation of Low-loss Mid-infrared Waveguide Using n-type Ge,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-P4-3,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  16. P. Cheng, S. Takagi, M. Takenaka, “Design Optimization of Ultralow Capacitance InGaAs Waveguide Photodetector on III-V CMOS photonics platform,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-B201-4,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  17. M. Ke, K. Kato, M. Takenaka, S. Takagi, “Physical origins of slow traps for ALD high-k dielectrics on GeOx/Ge interfaces,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-F206-1,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日(Young Scientist Presentation Award Speech).
  18. T.-E. Bae, K. Kato, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, S. Takagi, “Effects of the impurity concentration in the Ge sources on the electrical properties of Ge/Si TFETs,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P8-3,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日.
  19. S. Takagi, K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Ke, K. Kato, M. Takenaka, “Prospects and Challenges for Ge MOSFETs,” 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-G203-4,西早稲田キャンパス,早稲田大学,2018年3月17-20日(招待講演).
  20. 竹中 充,「AI・IoT時代の基盤としての光技術戦略」,光産業技術シンポジウム, リーガロイヤルホテル,2018年2月7日(招待講演).
  21. 加藤 公彦, 松井 裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一,「Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment」,電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会, 機会振興会館,2018年1月30日(招待講演).
  22. 加藤 公彦, 松井 裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一,「極薄ZnOチャネルトランジスタに向けたTiN/Al2O3/ZnOゲートスタック構造の後プラズマ/熱処理の効果」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT),東レ総合研修センター,静岡県三島市,2018年1月19日-1月20日.
  23. 柯夢南, 竹中充, 高木信一, “ECRプラズマ酸化によるALD high-k/GeOx/Ge界面の遅い準位起源”, 電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT),東レ総合研修センター,静岡県三島市,2018年1月19日-1月20日.
  24. 竹中 充,「III-V/SiハイブリッドMOS構造を用いた高効率光位相変調およびユニバーサル光集積回路への展開」, 第27回シリコンフォトニクス研究会,まりんぴあみやこ,沖縄県宮古島市,2017年12月7日-12月8日(招待講演).
  25. 竹中 充, 高木 信一,「異種半導体集積Siフォトニクスを用いた高効率光変調器への展開」, 電子情報通信学会ソサイエティ大会,CI-1-7,東京都市大学世田谷キャンパス,2017年9月13日(招待講演).
  26. 金 佑彊, 竹中 充, 高木 信一,「冷却レートを低減した酸化濃縮プロセスにより作製した高圧縮ひずみGOI pMOSFET」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,8a-C18-7,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日(講演奨励賞受賞記念講演).
  27. 山下 真史, 高木 信一, 竹中 充,「二硫化モリブデン MOS界面におけるスロートラップ評価」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,7p-C23-9,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  28. 関根 尚希, 高木 信一, 竹中 充,「III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上L字接合をもつキャリア空乏型InGaAsP光変調器の検討」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,7a-A504-3,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  29. 金 佑彊, 竹中 充, 高木 信一,「プラズマ酸化による酸化濃縮GOI層の薄膜化により作製した極薄ひずみGOI pMOSFETs」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,7a-PB3-1,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  30. 山口 夕貴, 高木 信一, 竹中 充,「低損失グラフェン中赤外光変調器の検討」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,6p-C13-7,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  31. 藤方 潤一, 竹中 充, 最上 徹, 蔵田 和彦, 中村 隆宏,「高性能シリコン光変調器・ゲルマニウム受光器の開発と光集積回路への適用」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,6p-C13-1,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日(招待講演).
  32. 加藤 公彦, 松井 裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一,「後プラズマ及び熱処理による高性能Top-Gate ZnO TFT の作製」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,6a-A203-10,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  33. 尹 尚希, 張 志宇, 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一,「電気ストレスによるAl2O3/InGaAs MOS界面における界面準位発生」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,6a-PA9-7,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  34. M. Ke, M. Takenaka, S. Takagi,「Study on physical origins of slow traps for electrons and holes in ALD Al2O3/GeOx/Ge interfaces」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,5a-C11-7,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  35. K.-W. Jo, W.-K. Kim, M. Takenaka, S. Takagi,「Effect of SiGe layer thickness in starting substrate on electrical properties of ultrathin body Ge-on-insulator pMOSFET fabricated by Ge condensation」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,7a-PB3-2,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  36. T.-E. Bae, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, S. Takagi,「Effects of gate electrode metal and drain doping concentration on electrical characteristics of Ge/Si hetero-junction tunneling FETs」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,7a-PB3-3,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  37. Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka,「Optimization of modulation efficiency of InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator」,第78回応用物理学会秋季学術講演会,8a-PB2-6,福岡国際会議場,福岡,2017年9月5日-9月8日.
  38. 竹中 充,「異種材料集積を用いたSiフォトニクス」, 第9回フォトニクス・イノベーションセミナー(シリコンフォトニクスの進展と展望),東京大学駒場リサーチキャンパス,2017年6月16日(招待講演).

プレスリリースされました


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