TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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発表論文

高木・竹中研究室　発表論文一覧

2019論文一覧

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある学会誌の掲載論文

  1. Q. Li, C. P. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Optical phase modulators based on reverse-biased III-V/Si hybrid metal-oxide-semiconductor capacitors,” IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 32, No. 6, pp. 345–348, March 2020. DOI: 10.1109/LPT.2020.2973174
  2. C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “Effects of hydrogen ion implantation dose on physical and electrical properties of Ge-on-insulator layers fabricated by smart-cut process,” AIP Advances, vol. 10, 015045, January 2020. DOI: 10.1063/1.5132881
  3. S. Takagi, K. Kato, and M. Takenaka, “Group IV based bi-layer tunneling field effect transistor,” ECS Trans., vol. 93, no. 1, pp. 23–27, 2019 (invited). DOI: 10.1149/09301.0023ecst
  4. K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi, “Fabrication and electrical characteristics of ZnSnO/Si bilayer tunneling filed-effect transistors,” IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 7, No. 1, 1201– 1208, 2019. DOI: 10.1109/JEDS.2019.2933848
  5. T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Performance enhancement of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical tunneling field-effect transistors with abrupt source impurity profile,” J. Appl. Phys., vol. 126, 214502, 2019. DOI: 10.1063/1.5121567
  6. M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Reduction of slow trap density in Al2O3/GeOxNy/n-Ge MOS interfaces by PPN-PPO process,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 12, pp. 5060–5064, 2019. DOI: 10.1109/TED.2019.2948074
  7. S.-H. Yoon, K. Kato, C. Yokoyama, D.-H. Ahn, M. Takenaka, and S. Takagi, “Re-examination of effects of sulfur treatment on Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties,” J. Appl. Phys., vol. 126, 184501, 2019. DOI: 10.1063/1.5111630
  8. T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi, “Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultrathin In0.53Ga0.47As interfacial layers,” J. Appl. Phys., vol. 125, 214504, 2019. DOI: 10.1063/1.5096410
  9. T.-E. Lee, K. Kato, M. Ke, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks,” Microelectronic. Eng., vol. 214, pp. 87–92, June 2019. DOI: 10.1016/ j.mee.2019.05.005
  10. C.-P. Ho, Z. Zhao, Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka, “Mid-infrared tunable Vernier filter on a germanium-on-insulator photonic platform,” Optics Letters, vol. 44, no. 11, pp. 2779–2782, June 2019.
  11. K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi, “ZnO/Si and ZnO/Ge bilayer tunneling field effect transistors: Experimental characterization of electrical properties,” J. Appl. Phys., vol. 125, 195701, 2019. DOI: 10.1063/1.5088893
  12. K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi, “Bilayer tunneling field effect transistor with oxide-semiconductor and group-IV semiconductor hetero junction: Simulation analysis of electrical characteristics,” AIP Advances, vol. 9, 055001, May 2019. DOI: 10.1063/1.5088890

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

査読のある国際学会での受諾論文

  1. Q. Li, C-. P. Ho, J. Fujikata, M. Noguchi, S. Takahashi, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Low parasitic capacitance III-V/Si Hybrid MOS optical modulator toward high-speed modulation,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2020), Th2A.16, San Diego, 8–12 March 2020.
  2. S. Ohno, Q. Li, N. Sekine, J. Fujikata, M. Noguchi, S. Takahashi, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Taper-less III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter using ultrathin InP membrane,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2020), M2B.6, San Diego, 8–12 March 2020.
  3. Z. Zhao, C.-P. Ho, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Monolithic Germanium PIN Waveguide Photodetector Operating at 2 μm Wavelengths,” Optical Fiber Communication Conference (OFC2020), W4G.3, San Diego, 8–12 March 2020.
  4. S. Takagi, K. Sumita, K. Jo, C.-M. Lim, K. Kato, D.-H. Ahn, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “MOS Device Technology for advanced logic LSI,” International Workshop on Nanodevice Technologies (IWNT), Hiroshima, Japan, 5 March 2020 (invited).
  5. M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Contributions of electron and hole slow traps to hysteresis in C-V characteristics of Al2O3/GeOx/p-Ge MOS capacitors,” 50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 1.3, San Diego, 11–14 December 2019.
  6. T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Impact of atomic layer deposition high-k materials on Si0.78Ge0.22 MOS interface properties with TiN gate,” 50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 2.3, San Diego, 11–14 December 2019.
  7. K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takag, “Direct observation of interface charge behaviors in FeFET by quasi-static split C-V and Hall techniques: Revealing FeFET operation,” International Electron Devices Meeting (IEDM2019), 23.7, San Francisco, 7–11 December 2019.
  8. K.-W. Jo, C.-M. Lim, W.-K. Kim, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takag, “Strain and surface orientation engineering in extremely-thin body Ge and SiGe-on-insulator MOSFETs fabricated by Ge condensation,” International Electron Devices Meeting (IEDM2019), 29.1, San Francisco, 7–11 December 2019.
  9. S. Takagi, K. Kato, M. Takenaka, “Bi-layer tunneling FET using group IV/oxide semiconductor hetero-structure,” 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), Sendai, Japan, 27–30 November 2019 (invited).
  10. Z. Zhao, C.-P. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Mid-infrared Ge variable optical attenuator formed by spin-on-glass doping,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-6, Tokyo, 26–27 November 2019.
  11. J. Fujikata, J.-H. Han, S. Takahashi, K. Kawashita, H. Ono, S.-H. Jeong, Y. Ishikawa, M. Takenaka, and T. Nakamura, “Si optical modulator with strained SiGe layer and Ge photodetector with lateral PIN junction for 56 Gbaud optical transceiver,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-7, Tokyo, 26–27 November 2019.
  12. Y. Miyatake, N. Sekine, K. Toprasertpong. S. Takagi, and M. Takenaka, “Optimization of grating couplers on SOI using artificial intelligence,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-8, Tokyo, 26–27 November 2019.
  13. S. Ohno, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Microring resonator crossbar arrays for optical neural network,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-9, Tokyo, 26–27 November 2019.
  14. C.-P. Ho, Z. Zhao, Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka, “Implementation of coupled-resonator-induced-transparency on germanium-on-insulator photonic platform,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-10, Tokyo, 26–27 November 2019.
  15. Q. Li, C.-P. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Integration of III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter with Si racetrack cavity in critical coupling condition for low-energy optical modulation,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-11, Tokyo, 26–27 November 2019.
  16. N. Sekine, S. Takagi, and M. Takenaka, “Quantum well intermixing for III-V-OI wafer using P2 hot ion implantation,” 9th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2019), P-14, Tokyo, 26–27 November 2019.
  17. S. Takagi, T.-E. Lee, M. Ke, S.-H. Yoon, D.-H Ahn, K. Kato, K. Toprasertpong and M. Takenaka, “Importance of semiconductor MOS interface control on advanced electron devices,” International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF 2019), K1-2, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, November 18-20, 2019 (plenary).
  18. S. Takagi, K. Kato and M. Takenaka, “Group IV/oxide semiconductor bi-layer tunneling FET,” IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conferene (SOI-3D2019), San Jose, USA, 14–19 October 2019 (invited).
  19. S. Takagi, K. Kato, D.-H. Ahn, T. Gotow, R. Takaguchi, T. E. Bae, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Tunneling FET device technology for ultra-low power integrated circuits,” 236th ECS Meeting, Symposium G03, Hilton Atlanta, Atlanta, USA, 13–17 October 2019 (invited).
  20. K. Sumita, J. Takeyasu, K. Kato, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “Fabrication of high quality InAs-on-Insulator structures by Smart Cut process with reuse of InAs wafers,” IEEE International 3D Systems Integration Conference (3DIC2019), Sendai, Japan, 8–10 October 2019.
  21. Q. Li, C.-P. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Si racetrack modulator with III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter,” European Conference on Optical Communication (ECOC 2019), Tu.2.A.5, Dublin, Irland, 22–26 September 2019.
  22. Z. Zhao, C.-P. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Efficient germanium variable optical attenuator at 1.95μm wavelength using spin-on-glass doping,” European Conference on Optical Communication (ECOC 2019), P19, Dublin, Irland, 22–26 September 2019.
  23. S. Ohno, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Crossbar array of Si microring resonators for deep learning accelerator,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-2-04, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  24. Y. Miyatake, N. Sekine, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Computational design of high-efficiency grating coupler based on deep learning,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-2-05, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  25. K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, T. Mori, Y. Morita, T. Matsukawa, M. Takenaka, S. Takagi, “Performance improvement in ZnSnO/Si bilayer TFET by W/Al2O3 gate stack,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), N-3-03, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  26. K. Kato, K. Jo, H. Matsui, H. Tabata, T. Mori, Y. Morita, T. Matsukawa, M. Takenaka, S. Takagi, “Demonstration of n- and p-TFET operations in a single ZnSnO/SiGe bilayer structure,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), N-3-04, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  27. H. Tang, S. Takagi, and M. Takenaka, “Numerical analysis of waveguide-integrated graphene thermal emitter,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), PS-5-01, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  28. R. Nur, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Photoresponse enhancement in MoS2 phototransistors by the photogating effect,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), PS-8-21, Nagoya, 2–5 Sept. 2019 (Late News).
  29. C.-H. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effects of hydrogen ion implantation dose on electrical and physical properties of (100) and (111) Ge-on-insulator substrates fabricated by Smart-cut process,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), N-4-03, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  30. K. Sumita, J. Takeyasu, K. Kato, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Accurate evaluation of contact resistivity between InAs/Ni-InAs alloy,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), N-6-01, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  31. J. Fujikata, J. Han, S. Takahashi, K. Kawashita, H. Ono, S.-H. Jeon, Y. Ishikawa, M. Takenaka, T. Nakamuara, “Si optical modulator with strained SiGe layer and Ge photodetector with lateral PIN junction for 56 Gbaud optical transceiver,” International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-2-02, Nagoya, 2–5 Sept. 2019.
  32. C.-P. Ho, Z. Zhao, Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka, “Coupled-resonator-induced-transparency on germanium-on-insulator mid-infrared platform,” International Conference on Group IV Photonics (GFP2019), FD5, Singapore, 28–30 August 2019. DOI: 10.1109/GROUP4.2019.8853937
  33. S. Takagi, M. Ke, D.-H Ahn, T.-E. Lee, S.-H. Yoon, K. Kato, and M. Takenaka, “MOS interface defect control in alternative channel materials,” 21st Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019), 7A.3, Cambridge, UK, 30 June – 3 July 2019 (invited).
  34. T.-E. Lee, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi, “Impact of metal gate electrodes on electrical properties of Y2O3/Si0.78Ge0.22 gate stacks,” 21st Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019), 7A.4, Cambridge, UK, 30 June – 3 July 2019.
  35. S.-H. Yoon, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi, “Re-examination of Sulfur treatment effects on Al2O3/InGaAs MOS interface properties,” 21st Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2019), 7A.1, Cambridge, UK, 30 June – 3 July 2019.
  36. S. Takagi, K. Kato, K. Sumita, K. Jo, C.-M. Lim, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, J. Takeyasu, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Advanced MOS device technology for low power logic LSI,” 26th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2019), Rzeszow, Poland, 27-29 June 2019 (plenary).
  37. M. Takenaka and S. Takagi, “Exploring graphene-based optical phase modulator,” 10th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2019), Symposium BB-04, Singapore, 23-28 June 2019 (invited).
  38. M. Takenaka and S. Takagi, “Ge-on-insulator platform for communication and sensing,” Progress In Electromagnetics Research Symposium (PIERS2019), Rome, 17–20 June 2019 (invited).
  39. T.-E. Lee, K. Kato, M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Improvement of SiGe MOS interface properties with a wide range of Ge contents by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation,” VLSI Symposium, T9-5, Kyoto, Japan, 9-14 June 2019. DOI: 10.23919/VLSIT.2019.8776523
  40. M. Takenaka, “Hybrid Si photonic integrated circuits for AI computing,” Tsinghua University-the University of Tokyo Joint Symposium, Tsinghua University, Beijing, China, 28 May 2019.
  41. N. Sekine, S. Takagi, and M. Takenaka, “Investigation of optical loss and bandwidth of InP-organic hybrid optical modulator,” Compound Semiconductor Week (CSW2019), TuA3-3, Nara, 19–23 May 2019.
  42. Q. Li, J.-H. Han, T.-E. Lee, S. Takagi, and M. Takenaka, “Equivalent oxide thickness scaling for efficient III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter,” Compound Semiconductor Week (CSW2019), TuA3-4, Nara, 19–23 May 2019.
  43. S. Ohno, S. Takagi, and M. Takenaka, “Numerical Analysis of III-V/Si Hybrid MOS Microdisk Modulator,” Compound Semiconductor Week (CSW2019), TuA3-5, Nara, 19–23 May 2019.
  44. S. Sumita, J. Takeyasu, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi, “Effects of thermal annealing on film quality of InAs-On-Insulator structures fabricated by Smart Cut method,” Compound Semiconductor Week (CSW2019), TuC2-6, Nara, 19–23 May 2019.
  45. S. Takagi, K. Kato, K. Sumita, K. Jo, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, K. Toprasertpong, M. Takenaka, “Advanced MOSFETs and TFETs using alternative semiconductors for ultralow power logic applications,” MRS Spring Meeting, Symposium EP09, Pheonix, USA, 22–26 April 2019 (invited).

[査読のある学会誌の掲載論文]  [査読のある国際学会での受諾論文] [国内学会・研究会]

国内学会・研究会

  1. 牛田淳, 岡本大典, 鈴木康之, 中村滋, 竹中充, 中村隆宏, “歪SiGe層を用いたCバンド帯高性能Si光変調器およびSi光トランシーバへの応用,” 電子情報通信学会総合大会，C3/4-57，広島大学東広島キャンパス, 2020年3月17–20日.
  2. 名幸 瑛心, トープラサートポン カシディット, 王 澤宇, 中根 了昌, 宮武 悠人, 竹中 充, 高木 信一, “FeFETリザバーコンピューティングにおける強誘電性の効果の検証,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，14a-A301-3，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  3. 曺 光元, 林 澈敏, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “酸化濃縮法により作製したGOIを用いた引張りひずみGOI nMOSFET,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-10，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  4. 宮武 悠人, 関根 尚希, カシディット トープラサートポン, 高木 信一, 竹中 充, “進化戦略で設計した高効率グレーティングカプラの作製,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，14p-B508-4，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  5. 高木 信一, 曺 光元, 林 澈敏, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, “(001)GOI薄膜化によるnMOSFETの電子移動度向上機構に関する考察,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-11，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  6. 隅田 圭, 竹安 淳, 加藤 公彦, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “Multi-Sidewall TLMを用いた精密なInAs/Ni-InAs間の接触抵抗率測定,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-7，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  7. 隅田 圭, 加藤 公彦, 竹安 淳, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “InAs-On-Insulator基板の高品質化と貼り合わせ界面特性の評価,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-6，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日（講演奨励賞受賞記念講演）.
  8. 曺 光元, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “酸化濃縮法により作製した圧縮ひずみ(110)面SiGe-OI pMOSFET,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-9，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  9. 加藤 公彦, 松井 裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一, “酸化物半導体／IV族半導体 積層型トンネル電界効果トランジスタ,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-5，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日（第11回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演）.
  10. 関根 尚希, トープラサートポン カシディット, 高木 信一, 竹中 充, “III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングを用いた導波路型受光器の実証,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-B508-3，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  11. トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “強誘電体FETのMOS界面における電荷分布の評価とデバイス動作の理解,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，14p-A303-12，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  12. 大野 修平, トープラサートポン カシディット, 高木 信一, 竹中 充, “リング共振器クロスバーアレイ型光回路を用いた光ニューラルネットワークの検証,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15p-B508-10，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  13. 渡辺 耕坪, トープラサートポン カシディット, 関根 尚希, 高木 信一, 竹中 充, “不揮発性MOS型光位相シフタに向けた強誘電性Hf0.5Zr0.5O2を用いたウェハボンディングの検討,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15p-B508-13，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  14. 松田 信幸, 服部 香里, 石川 巧, 鴻池 遼太郎, 吉澤 明男, 池田 和浩, 山田 博仁, 福田 大治, 岡野 誠, 竹中 充, “シリコン導波路からの自発四光波混合信号の光子数識別検出,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，14p-B406-13，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  15. Q. Li, C.-P. Ho, J. Fujikata, M. Noguchi, S. Takahashi, K. Toprasertpong, S. Takagi, M. Takenaka, “High-speed optical modulation by III-V/Si hybrid MOS optical modulator with low parasitic capacitance,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-B508-12，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  16. Z. Zhao, C. Ho, Q. Li, K. Toprasertpong, S. Takagi, M. Takenaka, “Observation of Sub-bandgap Photodetection at 2 μm wavelengths in a Germanium Lateral PIN Photodetector,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-B508-7，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  17. Z. Lin, T.-E. Lee, H. Tang, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, “Improvement of ferroelectric properties of TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si gate stacks by inserting Al2O3 interfacial layers,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，14p-A303-10，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  18. C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi, “First demonstration of (111) Ge-on-insulator n-channel MOSFET fabricated by smart-cut technology,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-A305-8，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  19. D. Wu, K. Toprasertpong, S. Takagi, M, Takenaka, “Design of ultra-thin InGaAs membrane photodetector on Si slot waveguide,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15p-B508-4，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  20. X. Zhang, K. Toprasertpong, S. Takagi, M. Takenaka, “Evaluation of doping concentration of MoS2 via Schottky diode for the Terman method,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-A305-6，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  21. M. Ke, M. Takenaka, S. Takagi, “Comparison of carrier trap characteristics in different interfacial layers of n-Ge MOS structures,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-A305-12，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  22. M. Ke, M. Takenaka, S. Takagi, “Proposal of a measurement method to discriminate different types of traps in n-Ge MOS gate insulators,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-A305-11，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  23. M. Ke, M. Takenaka, S. Takagi, “Characteristics of slow traps in Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by plasma oxidation,” 第67回応用物理学会春季学術講演会，15a-A305-10，上智大学四谷キャンパス, 2020年3月12日–3月15日.
  24. 竹中 充, 高木　信一, “Society 5.0時代における異種材料集積シリコンフォトニクス,” 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会，9，東レ総合研修センター, 2019年1月30日–2月1日（招待講演）.
  25. 竹中 充, “AI応用に向けたシリコンフォトニクスの展開,” エイトラムダフォーラム，ルヴェソンヴェール本郷, 2019年10月25日（招待講演）.
  26. 竹中 充, 李　強, 大野　修平, 高木信一, “AI応用に向けた異種材料集積プログラマブル光回路,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19p-E206-1，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日（招待講演）.
  27. 大野 修平, 李 強, 高木 信一, 竹中 充, “テーパー構造を用いないハイブリッドMOS型光位相シフタの検討,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19p-E206-5，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  28. トープラサートポン カシディット, 名幸 瑛心, 中根 了昌, 竹中 充, 高木 信一, “強誘電体FETを用いたリザバーコンピューティングの提案,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19p-F211-4，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  29. 名幸 瑛心, トープラサートポン カシディット, 中根 了昌, 宮武 悠人, 竹中 充, 高木 信一, “強誘電体FETを用いたリザバーコンピューティングの実験的検証,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19p-F211-5，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  30. 尹 尚希, 加藤 公彦, 横山 千晶, 安 大煥, 竹中 充, 高木 信一, “(NH4)2S処理理前の前処理がAl2O3/InGaAs MOS界面に与える影響,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19a-E305-2，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  31. トープラサートポン カシディット, 田原 建人, 福井 太一郎, 竹中 充, 高木 信一, “TiN/Hf0.5Zr0.5O2/Si MFSキャパシタの電気特性に与える基板タイプの影響,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19a-E305-10，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  32. 田原 建人, 加藤 公彦, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “Si/Hf0.5Zr0.5O2の界面特性改善に向けたアニール条件の検討,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19a-E305-11，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  33. 加藤 公彦, Jo Kwangwon, 松井 裕章, 田畑 仁, 森 貴洋, 森田 行則, 松川 貴, 竹中 充, 高木 信一, “ZnSnO/SiGe積層構造を用いたn-およびp-TFETの動作実証,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18p-B11-6，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  34. 隅田 圭, 竹安 淳, 加藤 公彦, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一, “Smart Cut法により作製したInAs-On-Insulator基板への熱処理の影響,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18p-B11-7，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  35. K.-W. Jo, M. Takenaka, and S. Takagi, “Performance enhancement of extremely thin body SiGe or Ge on insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19p-PB2-1，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  36. Z. Zhao, C.-P. Ho, S. Takagi, and M. Takenaka, “Carrier-injection Ge MIR variable optical attenuator formed by spin-on-glass doping,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18a-PA5-4，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  37. T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Improvement of Si0.78Ge0.22 MOS interface properties by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19p-E305-13，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  38. C.-P. Ho, Z. Zhao, Q. Li, S. Takagi, and M. Takenaka, “Realization of coupled-resonator-induced-transparency effect in germanium-on-insulator photonics,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18a-PA5-5，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  39. C. Liao, K. Toprasertpong, T. Fukui, M. Takenaka, and S. Takagi, “Evaluation of surface potential of ferroelectric-gate MOS capacitors by C-V analyses,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19a-E305-12，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  40. Q. Li, J.-H. Han, T.-E. Lee, S. Takagi, and M. Takenaka, “Toward high modulation efficiency of III-V/Si hybrid MOS optical phase shifter by equivalent oxide thickness scaling,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，19a-E206-4，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  41. C.-M. Lim, Z. Zhao, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Influence of hydrogen ion implantation dose on characteristics of Ge-on-insulator substrates fabricated by smart-cut technology,” 第80回応用物理学会秋季学術講演会，18p-B11-9，北海道大学札幌キャンパス, 2019年9月18日–9月21日.
  42. 竹中 充, “シリコン光回路による深層学習の展望,” 電子情報通信学会ソサイエティ大会，CI-1-7，大阪大学豊中キャンパス, 2019年9月10–13日（招待講演）.
  43. 関根尚希, 高木信一, 竹中 充, “InPスロット導波路型有機EOポリマー光変調器の帯域と光損失に関する検討,” 電子情報通信学会ソサイエティ大会，C-3-29，大阪大学豊中キャンパス, 2019年9月10–13日（招待講演）.
  44. 竹中 充, 李　強, 関根 尚希, 高木 信一, “III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望”, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE), 東北大学，2019年8月22–23日（招待講演）.
  45. 加藤公彦, 松井裕章, 田畑仁, 竹中充, 高木信一, “アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価,” 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会，北海道大学札幌キャンパス, 2019年8月7日–8月9日.
  46. 高木信一, 柯夢南, 張睿, トープラサートポン・カシディット, 竹中充，“Ge MOS界面の欠陥制御技術,”　 第16回 Cat-CVD研究会, pp. 64–67，BIZ SPACE 姫路，2019年7月19–8月20日（セミナー講演）.
  47. 竹中 充，“ウェハボンディングを用いたモノリシック3次元集積LSIおよび光電子融合,”　EVG Technology Day，ハイアットリージェンシー京都，2019年5月30日（セミナー講演）.

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