TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

2015年度 | 2014年度 | 2013年度 | 2012年度 | 2011年度 | 2010年度 | 2009年度 | 2008年度 | 2007年度 | 2006年度 | 2005年度 | 2004年度 | 2003年度

2015年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. M.-S. Kim, Y. Wakabayashi, M. Yokoyama, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
   Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and Their Post Metallization Annealing Effect
   IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 1 (2015) 9-14
2. X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Maeda, T. Itatani, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Ultrathin Body Germanium-on-Insulator (GeOI) Pseudo-MOSFETs Fabricated by Transfer of Epitaxial Ge Films on III-V Substrates
   ECS Solid State Letters, 4 (2) P15-P18 (2015)
3. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Ultrathin body GaSb-on-insulator p-channel met-al-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding
   Appl. Phys. Lett., 106, 073503 (2015)
4. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of interfacial InAs layers on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties
   Appl. Phys. Lett., vol.106, 122902 (2015)
5. W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
   Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density
   Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) 04DC07
6. K. Tanaka, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
   Quantitative evaluation of slow traps near Ge MOS interfaces by using time response of MOS capacitance
   Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) 04DA02
7. W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
   Properties of ultrathin-body condensation Ge-On-Insulator films thinned by additional thermal oxidation
   Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) 04DA05
8. Y.-H. Kim, J. Fujikata, S. Takahashi, M. Takenaka and S. Takagi
   Demonstration of record-low injection-current variable optical attenuator based on strained SiGe with optimized lateral pin junction
   Optics Express, vol. 23(9) pp. 12354-12361 (2015) (10.1364/OE.23.012354)
9. X. Yu, J. Kang, R. Zhang, W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs
   Microelectron. Eng., vol. 147, pp. 196-200 (2015). (10.1016/j.mee.2015.04.063)
10. M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation
    Microelectron. Eng., vol. 147, pp. 244-248 (2015). (10.1016/j.mee.2015.04.079)
11. S. Takagi, R. Zhang, J. Suh, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi and M. Takenaka
    III-V/Ge Channel MOS Device Technologies in Nano CMOS era
    Jpn. J. Appl. Phys. 54, 06FA01 (2015) (10.7567/JJAP.54.06FA01)
12. J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka, and S. Takagi
    Suppression of Dark Current in GeOx Passivated Germanium Metal-Semiconductor-Metal Photodetector by Plasma Post-Oxidation
    Opt. Exp. Vol. 23, No. 13, pp. 16967-16976 (2015). (10.1364/OE.23.016967)
13. Y.-H. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
    Numerical Analysis of Carrier-Depletion Strained SiGe Optical Modulators with Vertical P-N Junction
    IEEE J. Quantum Electron., vol. 51(04), 5200107 (2015). (DOI:10.1109/JQE.2015.2405931)
14. K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Effects of buffered HF cleaning on metal-oxide-semiconductor interface properties of Al2O3/InAs/GaSb structures
    Appl. Phys. Express, vol. 8(8), 061203 (2015). (DOI: 10.7567/APEX.8.061203)
15. Y. Cheng, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi
    Surface leakage reduction in MSM InGaAs photodetector on III–V CMOS photonics platform
    IEEE Photonics Technology Letters, vol. 27, no. 14, pp. 1569-1572 (2015). (DOI: 10.1109/LPT.2015.2432052)
16. J. Kang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of thermal annealing on Ge-on-Insulator substrate fabricated by wafer bonding,
    Materials Science in Semiconductor Processing, vol., (2015). (DOI: 10.1016/j.mssp.2015.07.021)
17. M. Noguchi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    High Ion /Ioff and low subthreshold slope planar-type InGaAs tunnel field effect transistors with Zn-diffused source junctions
    J. Appl. Phys. 118, 045712 (2015) (DOI: 10.1063/1.4927265)
18. C.-Y. Chang, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, H. Yamada, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of La2O3 interfacial layers on InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties in Al2O3/La2O3/InGaAs gate stacks deposited by atomic-layer-deposition
    J. Appl. Phys. 118, 085309 (2015) (DOI: 10.1063/1.4929650)
19. W. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
    Effectiveness of surface potential fluctuation for representing inversion-layer mobility limited by Coulomb scattering in MOFEETs
    IEEE Electron Device Lett., vol. 36, no. 11 (2015) pp. 1183-1185 (DOI: 10.1109/LED.2015.2477360)
20. J.-K. Suh, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Effects of additional oxidation after Ge condensation on electrical properties of germanium-on-insulator p-channel MOSFETs
    Solid State Electron., vol. 117, March (2016) pp. 77-87 (DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.014)
21. M. Tsujimura, H. Kitai, H. Shiomi, K. Kojima, K. Fukuda, K. Sakamoto, K. Yamasaki, S. Takagi and H. Okumura,
    Analysis of Gate Oxide Nitridation Effect on SiC MOSFETs by Using Hall Measurement and Split C-V Measurement
    Materials Science Forum, ISSN: 1662-9760, Vol. 858, pp. 441-444 (DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.441)
22. X. Yu, J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
    Characterization of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) structures and MOSFETs on flipped Smart-CutTM GeOI substrates
    Solid-State Electronics, Volume 115, Part B, January (2016), pp. 120-125 (DOI: 10.1016/j.sse.2015.08.021)
23. Y.-H. Kim, J. Fujikata, S. Takahashi, M. Takenaka and S. Takagi
    First demonstration of SiGe-based carrier-injection Mach-Zehnder modulator with enhanced plasma dispersion effect
    Opt. Express 24(3), 1979-1985 (2016) (DOI: 10.1364/OE.24.001979)
24. R. Zhang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of Postdeposition Annealing Ambient on the Mobility of Ge nMOSFETs with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate-Stacks
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 63, no. 2 (2016) p. 558-564 (DOI: 10.1109/TED.2015.2509961)

査読のある国際学会での受諾論文

1. X. Yu, J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
   Mobility improvement of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs on flipped Smart-Cut GeOI substrates
   Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), pp.161-164, January 26-28, 2015 - Bologna, Italy
2. M.-S. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs
   8th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration pp. 9-10, Jan. 29-30, 2015, Tohoku University, Sendai, Japan
3. Y.-H. Kim, J. Fujikata, S. Takahashi, M. Takenaka and S. Takagi
   SiGe-based carrier-injection Mach-Zehnder modulator with enhanced plasma dispersion effect in strained SiGe
   Optical Fiber Communication Conference (OFC2015), Tu2A.7, Los Angels, 24 March 2015.
4. S. Takagi, R. Zhang, C.-Y. Chang, J.-H. Han, M. Yokoyama and M. Takenaka
   Gate stack technologies for high mobility channel MOSFETs
   2015 MRS Spring Meeting & Exhibit, Sympoium AA, “Materials for Beyond the Roadmap Devices in Logic, Power and Memory April 6-10 (2015), San Francisco, California
5. S. Takagi
   Nano Device Technologies for Ultra Low Power LSIs
   International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC11), May 11-13 (2015), Fukuoka, Japan, p. 27
6. S. Takagi, W.-K. Kim, X. Yu, J.-h. Han, R. Zhang and M. Takenaka
   Ge/SiGe CMOS device technology for future logic LSIs
   E-MRS Spring meeting 2015, Symposium KTransport and photonics in group IV-based nanodevices", Lille (France), May 11-15 (2015)
7. J. Kang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of Thermal Annealing on Ge-on-Insulator Substrate fabricated by wafer bonding
   E-MRS Spring meeting 2015, Symposium K, "Transport and photonics in group IV-based nanodevices", Lille (France), May 11-15 (2015)
8. S. Takagi, S. H. Kim, Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Nakane, J. Li, Y. C. Kao and M. Takenaka
   High Performance III-V-on-Insulator MOSFETs on Si Realized By Direct Wafer Bonding Applicable to Large Wafer Size
   227th Spring meeting of the Electrochemical Society, Symposium H01 “Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 17 May 24-28 (2015), Chicago, Illinois, USA, ECS Transactions, 66 (5), pp. 27-35 (2015) (DOI:10.1149/06605.0027ecst)
9. S. Takagi and M. Takenaka
   III-V/Ge MOSFETs and Tunneling FETs on Si platform for Low Power Logic Applications
   13th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), p. 18-19, June 4-5, 2015. Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan (DOI: 10.1109/IMFEDK.2015.7158488)
10. S. Takagi, M.-S. Kim, M. Noguchi, S.-M. Ji, K. Nishi and M. Takenaka
    III-V and Ge tunneling FET technologies for low power LSIs
    VLSI symposium (2015), p. T22-T23 (DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223687)
11. K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    High hole mobility front-gate InAs/InGaSb-OI single structure CMOS on Si
    VLSI symposium (2015), p. T174-T175 (DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223667)
12. M. Takenaka and S. Takagi
    III-V CMOS photonics on Si for high-performance electronic-photonic integrated circuits
    submitted to the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT) 2015, June 28-July 3, Singapore
13. X. Yu, J. Kang, R. Zhang, W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs
    19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS), pp. 215-216, Udine, Italy, June 29 - July 2, 2015.
14. M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation
    19th Conference on "Insulating Films on Semiconductors" (INFOS), pp. 213-214, Udine, Italy, June 29 - July 2, 2015.
15. J. Kang, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of GeOx passivation on Dark Current for Wafer-bonded Ge-on-Insulator Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
    Group IV photonics
16. J. Fujikata, M. Noguchi, Y. Kim, S. Takahashi, T. Nakamura, and M. Takenaka
    High speed and highly efficient Si optical modulator with strained SiGe layer
    International Conference on Group IV Photonics (GFP2015), WD2, Vancouver, Canada, 26 August 2015. DOI: 10.1109/Group4.2015.7305930
17. S. Takagi and M. Takenaka
    Advanced Nano CMOS using Ge/III-V semiconductors for Low Power Logic LSIs
    15th IEEE International Conference on Nanotechnology (2015), pp. 654-658, 27 - 30 JULY 2015 | ROME (ITALY)
18. S. Takagi and M. Takenaka
    Ge/III-V MOS Device Technologies for Low Power Integrated Systems
    45th European Solid-State Device Conference (ESSDERC), pp. 20-25, September 14-18, 2015, Graz, Austria
19. S. Takashima, Y. Ikku, M. Takenaka and S. Takagi
    The influence of III-V on insulator structure on quantum well intermixing
    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo (2015), A-7-5, pp. 632-633
20. J.-H. Han, M. Takenaka and S. Takagi
    Void reduction of the direct wafer bonding using atomic layer deposition Al2O3/HfO2 gate stack for MOS optical modulators
    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo (2015), A-3-4, pp. 594-595
21. C.-Y. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of La2O3 interfacial layers on InGaAs MOS interface properties in Al2O3/La2O3/InGaAs gate stacks deposited by ALD
    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo (2015), N-5-2, pp. 1130-1131
22. J.-K. Park, M. Takenaka and S. Takagi
    Low-resistivity lateral PIN junction fomed by Ni-InGaAsP alloy for carri-er-injection InGaAsP photonic devices on III-V CMOS photonics platform
    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo (2015), PS-7-6, pp. 232-233
23. Y. Cheng, Y. Ikku, M. Takenaka and S. Takagi
    Waveguide InGaAs Metal-semiconductor-metal Photodetector Monolithically Integrated with InP Grating Coupler on III-V CMOS Photonics Platform
    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo (2015), A-7-2, pp. 626-627
24. J. Kang, M. Takenaka and S. Takagi
    First Demonstration of Ge Waveguide Platform on Ge-on-Insulator for Mid-Infrared Integrated Photonics
    ECOC
25. S. Takagi, M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi, M. Takenaka
    Tunneling FET Device Technologies Using III-V and Ge Materials
    4th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S), October 2, 2015, University of California, Berkeley, California, USA,p. 1-2 (DOI: 10.1109/E3S.2015.7336800)
26. S. Takagi
    Tunneling FET Device
    STEEP Transistors Workshop, October 6, 2015, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA
27. S. Takagi, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han, and M. Takenaka
    MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices
    228th Fall meeting of the Electrochemical Society, D04 - Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 13, October 11-16, 2015, Pheonix, AZ, ECS Transactions, 69 (5) p. 37-51 (2015) (DOI: 10.1149/06905.0037ecst)
28. S. Takagi, M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi, and M.Takenaka
    Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials
    228th Fall meeting of the Electrochemical Society, G04 - ULSI Process Integration 9, October 11-16, 2015, Pheonix, AZ, ECS Transactions, 69 (10) p. 99-108 (2015) (DOI: 10.1149/06910.0099ecst)
29. M. Tsujimura, H. Kitai, H. Shiomi, K. Kojima, K. Fukuda, K. Sakamoto, K. Yamasaki, S. Takagi and H. Okumura
    Analysis of Gate Oxide Nitridation Effect on SiC MOSFETs by Using Hall Measurement and Split C-V Measurement
    16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ISCRM), Giardini Naxos, Italy, October 4 - 9, 2015.
30. J.-h. Han, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement of the modulation bandwidth for MOS optical modulators using p-SiGe slab
    Asia Communications and Photonics Conference (ACP), Hong Kong, November 19-23, 2015.
31. S. Takagi and M. Takenaka
    Low Power MOS Device Technologies based on Heterogeneous Integration
    2015 International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS), Nov. 19-20, 2015, at Kun Shan University, Tainan, Taiwan
32. J.-H. Han, M. Takenaka and S. Takagi
    Bandwidth enhancement of Si MOS optical modulators using strained SiGe slab
    5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2015), P-4, Tokyo, December 2015.
33. J. Fujikata, M. Noguchi, Y. Kim, J. Han, S. Takahashi, T. Nakamura, and M. Takenaka
    High Speed and Highly Efficient Si Optical Modulator with Strained SiGe Layer,
    5th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2015), P-4, Tokyo, 1 December 2015.
34. C.-Y. Chang, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement of Electrical Characteristics of La2O3/InGaAs Gate Stacks by Ultra-thin ALD Al2O3 Capping Layers
    46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (2015) 7.2
35. M. Ke, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
    Properties of slow traps of ALD Al2O3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation
    46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (2015) 8.2
36. M. Takenaka, Y. Kim, J. Han, J. Kang, Y. Ikku, Y. Cheng, J.-K. Park, S.-H Kim, and S. Takagi
    CMOS photonics technologies based on heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V on Si
    IEDM (2015) p. 815-818 (DOI: 10.1109/IEDM.2015.7409809)
37. X. Yu, J. Kang, M. Takenaka and S. Takagi
    Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2 nm
    IEDM (2015) p. 20-23 (DOI: 10.1109/IEDM.2015.740961)
38. M. Ke, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
    Control of slow traps of ALD Al2O3/Ge-based gate stacks with post plasma process
    9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration Tohoku University, Sendai, JAPAN, Jan. 11-12, 2016
39. J. Kang, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
    Design and Characterization of Ge Passive Waveguide Components and Thermo-optic Effect on Ge-on-Insulator for Mid-Infrared Photonics
    OFC 2016
40. J.-K. Park, M. Takenaka and S. Takagi
    InGaAsP variable optical attenuator with lateral PIN junction formed by Ni-InGaAsP and Zn diffusion on III-V on insulator wafer
    MRS meeting (2016)

国内学会・研究会

1. 高木信一, 金閔洙, 野口宗隆, 池尙珉, 西康一, 竹中充,
   低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー
   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会第184回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術（VLSIシンポジウム特集）」, p. 6-11, 2015年8月17日, 甲南大学
2. 玉虓, 亢健, 竹中充,　高木信―
   [招待講演]極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性
   電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集）」, p. 2-5, 2016年 1月28日（木）, 機械振興会館
3. 竹中充, 金栄現, 韓在勲, 亢健, 一宮佑希, 程勇鵬, 朴珍權, 金相賢, 高木信一
   [招待講演]Si 上異種半導体集積によるCMOS フォトニクス
   電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集）」, p. 18-20, 2016年 1月28日（木）, 機械振興会館
4. 高木信一
   チャネルエンジニアリングによる高性能トンネルFET
   電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会「トンネル現象を利用したデバイスとその物理」平成28年3月9日(水) 13:00〜17:20, 早稲田大学研究開発センター
5. 野口将高, 藤方潤一, 高橋重樹, 韓　在勲, 中村隆宏, 竹中　充
   歪SiGeを用いたSi光変調器の作製プロセス検討
   電子情報通信学会総合大会，C3-30，2016年3月16日，九州大学伊都キャンパス.
6. 韓在勲，竹中充，高木信一
   貼り合せMOS型光変調器実現に向けたAl2O3/HfO2界面によるボイド低減手法の検討
   第76回応用物理学会秋季学術講演会
7. 高島成也, 一宮佑希, 竹中充, 高木信一
   III-V-OI基板のパターニングによるボイド低減の検討
   第76回応用物理学会秋季学術講演会
8. M. Ke, X. Yu, R. Zhang, J. Kang, C. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi
   Fabrication and MOS interface properties of ALD AlYO3/GeOx/Ge gate stacks with plasma post oxidation
   第76回応用物理学会秋季学術講演会[14a-4C-5]
9. 安大煥, 竹中充, 高木信一
   基板貼り合わせ法によるSi基板上 InGaAs-OI トンネル FET の動作実証
   第76回応用物理学会秋季学術講演会[16a-1C-5]
10. 竹中充, 高木信一
    III-V on SiC 基板を用いた光集積回路プラットフォームの提案
    第76回応用物理学会秋季学術講演会
11. X. Yu, J. Kang, R. Zhang, W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of back interface passivation on electrical properties of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs
    第76回応用物理学会秋季学術講演会[13p-4C-6]
12. Rui Zhang Mitsuru Takenaka Shinichi Takagi
    High Mobility Ge CMOS Devices with Ultrathin EOT Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
    第76回応用物理学会秋季学術講演会[13p-4C-2]
13. Minsoo Kim Yuki K. Wakabayashi Ryosho Nakane Masafumi Yokoyama Mitsuru Takenaka Shinichi Takagi
    [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs
    第76回応用物理学会秋季学術講演会[16a-1C-1]
14. 張志宇, 竹中充, 高木信一
    極薄ALD-Al2O3キャップ層を用いたLa2O3/InGaAs MOS界面の改善
    第63回応用物理学会春季学術講演会[20p-S221-2]
15. 後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一
    GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証
    第63回応用物理学会春季学術講演会[20p-S422-12]
16. 関根尚希, 韓在勲, 竹中充, 高木信一
    III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上空乏型InGaAsP光変調器の検討
    第63回応用物理学会春季学術講演会
17. 韓在勲, 竹中充, 高木信一
    歪SiGe を用いたMOS型光変調器の変調帯域改善 に関する検討
    第63回応用物理学会春季学術講演会
18. 小澤悠平, 竹中充, 高木信一
    コンダクタンス法による二硫化モリブデンMOS界面特性評価
    第63回応用物理学会春季学術講演会[20p-S221-1]
19. 安大煥, 竹中充, 高木信一
    高In組成InGaAs量子井戸を用いたInGaAs QW TFETの電気特性における性能評価
    第63回応用物理学会春季学術講演会[20p-S422-13]
20. 柯夢南, 玉虓, 竹中充, 高木信一
    Al2O3/GeOx/Ge MOS界面の遅い準位密度に与える界面構造の影響
    第63回応用物理学会春季学術講演会[20a-S221-12]
21. 嶋田絢、中根了昌、竹中充、高木信一
    SdH振動を用いたひずみSi pMOSFETにおける価電子帯有効質量の評価
    第63回応用物理学会春季学術講演会[21a-S422-6]
22. 佐々木和哉，竹中充, 高木信一
    光変調器応用に向けたグラフェンスロット導波路の試作
    第63回応用物理学会春季学術講演会
23. 金佑彊, 竹中充, 高木信一
    温度サイクルを減らした酸化濃縮法による高圧縮ひずみ極薄膜Ge-OI 構造の実現
    第63回応用物理学会春季学術講演会[21a-S422-7]

2014年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   Impact of interfacial InAs layers on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties
   Appl. Phys. Lett., vol. 106, 122902, 2015. DOI: 10.1063/1.4914453
2. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   Ultrathin body GaSb-on-insulator p-channel met-al-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabri-cated by direct wafer bonding
   Appl. Phys. Lett., vol. 106, 073503, 2015. DOI: 10.1063/1.4906922
3. M. Kim, Y. Ki. Wakabayashi, M. Yokoyama, R. Nakane, M. Takenaka, and Shinichi Takagi
   Ge/Si heterojunction tunnel field-effect transistors and their post metallization annealing effect
   IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 1, pp. 9 – 15, 2015. DOI: 10.1109/TED.2014.2371038
4. K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Oshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   Operation of the GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on (111)A surfaces
   Appl. Phys. Lett., vol. 105, 233503, 2014. DOI: 10.1063/1.4903837
5. K. Tanaka, R. Zhang, M. Takenaka, and S. Takagi
   Quantitative evaluation of slow traps near Ge MOS interfaces by using time response of MOS capacitance
   Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, 04DA02, 2015. DOI: 10.7567/JJAP.54.04DA02
6. W. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi
   Properties of ultrathin-body condensation Ge-on-insulator films thinned by additional thermal oxidation
   Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, 04DA05, 2015. DOI: 10.7567/JJAP.54.04DA05
7. W. Cai, M. Takenaka, and S. Takagi
   Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density
   Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, 04DC07, 2015. DOI: 10.7567/JJAP.54.04DC07
8. X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Maeda, T. Itatani, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Ultrathin body germanium-on-insulator (GeOI) pseudo-MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates
   ECS Solid State Letters, vol. 4, no. 2, pp. P15-P18, 2015. DOI: 10.1149/2.0031502ssl
9. S. Takagi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, and M. Takenaka
   Material challenges and opportunities in Ge/III-V channel MOSFETs
   ECS Trans., vol. 64, no. 11, pp. 99-110, 2014 (invited). DOI: 10.1149/06411.0099ecst
10. R. Zhang, X. Yu, M. Takenaka, and Shinichi Takagi
    Impact of channel orientation on electrical properties of Ge p- and n-MOSFETs with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 11, pp. 3668 – 3675, 2014. DOI: 10.1109/TED.2014.2359678
11. K. Alam, S. Takagi, and M. Takenaka
    A Ge ultrathin-body n-channel tunnel FET: Effects of surface orientation
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 11, pp. 3594 – 3600, 2014. DOI: 10.1109/TED.2014.2353513
12. K. Nishi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, H. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Study on electrical properties of metal/GaSb junctions using metal-GaSb alloys
    J. Appl. Phys., vol. 115, 034515, 2014. DOI: 10.1063/1.4862486
13. W. Kim, K. Kuroda, M. Takenaka, and S. Takagi
    Sb-doped S/D ultra-thin body Ge-on insulator nMOSFET fabricated by improved Ge condensation process
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 10, pp. 3379 – 3385, 2014. DOI: 10.1109/TED.2014.2350457
14. Y. Cheng, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi
    InGaAs MSM photodetector monolithically integrated with InP photonic-wire waveguide on III-V CMOS photonics platform
    IEICE Electronics Express, vol. 11, no. 16, pp. 20140609, 2014. DOI: 10.1587/elex.11.20140609
15. S.H. Kim., Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Nakane, J. Li, Y.-C. Kao, M. Takenaka, and S. Takagi
    Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors
    Appl. Phys. Lett., vol. 105, 043504, 2014. DOI: 10.1063/1.4891493
16. R. Zhang, X. Yu, M. Takenaka, and Shinichi Takagi
    Physical origins of high normal field mobility degradation in Ge p- and n-MOSFETs with GeOx/Ge MOS interfaces fabricated by plasma post oxidation
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 7, pp. 2316 – 2323, 2014. DOI: 10.1109/TED.2014.2325604
17. S.H. Kim., M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Experimental study on vertical scaling of InAs-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Appl. Phys. Lett., vol. 104, 263507, 2014. DOI: 10.1063/1.4885765
18. M. Yokoyama, Y. Asakura, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of process temperature on GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties fabricated by ex-situ process
    Appl. Phys. Lett., vol. 104, 262901, 2014. DOI: 10.1063/1.4884950
19. K. Alam, S. Takagi, and M. Takenaka
    Strain-modulated L-valley ballistic-transport in (111) GaAs ultrathin-body nMOSFETs
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 5, pp. 1335 – 1340, 2014. DOI: 10.1109/TED.2014.2311840
20. S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and Shinichi Takagi
    High performance tri-gate extremely thin-body InAs-on-insulator MOSFETs with high short channel effect immunity and Vth tunability
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 5, pp. 1354 – 1360, 2014. DOI: 10.1109/TED.2014.2312546
21. Y. Kim, M. Takenaka, T. Osada, M. Hata, and S. Takagi,
    Fabrication and evaluation of propagation loss of Si/SiGe/Si photonic-wire waveguides for Si based optical modulator
    Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 342-345, 2014. DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.063
22. N. Yoshida, E. Waki, M. Arai, K. Yamasaki, M. Takenaka, and Shinichi Takagi,
    Extraction of Interface State Density at SiO2/SiC Interfaces based on Impedance Measurements with Different Temperatures
    Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 237-240, 2014. DOI: /10.1016/j.tsf.2013.10.062
23. M. Kim, Y. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, S.-H. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi,
    Tunnel field-effect transistors with germanium/strained-silicon hetero-junctions for low power applications
    Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 298-301, 2014. DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.067
24. Y. Kim, M. Takenaka, T. Osada, M. Hata, and S. Takagi
    Strain-induced enhancement of plasma dispersion effect and free-carrier absorption in SiGe optical modulators
    Scientific Reports, vol. 4, 4683, 2014. DOI: 10.1038/srep04683
25. Y. Kim, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi
    Low temperature Al2O3 surface passivation for carrier-injection SiGe optical modulator
    Optics Express Letters, vol. 22. no. 7, pp. 7458-7464, 2014. DOI: 10.1364/OE.22.007458
26. S. H. Kim, M. Yokoyama, Y. Ikku, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Physical understanding of electron mobility in asymmetrically strained InGaAs-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by lateral strain relaxation
    Appl. Phys. Lett., vol. 104, 113509, 2014. DOI: 10.1063/1.4869221
27. W. Cai, M. Takenaka, and S. Takagi
    Evaluation of interface state density of strained-Si metal-oxide-semiconductor interfaces by conductance method
    J. Appl. Phys., vol. 115, 094509, 2014. DOI: 10.1063/1.4867935
28. M. Yokoyama, K. Nishi, S.-H. Kim, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    Self-aligned Ni-GaSb source/drain junctions for GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Appl. Phys. Lett., vol. 104, 093509, 2014. DOI: 10.1063/1.4867262

1. Y. Kim, J. Fujikata, S. Takahashi, M. Takenaka, and S. Takagi
   SiGe-based carrier-injection Mach-Zehnder modulator with enhanced plasma dispersion effect in strained SiGe
   Optical Fiber Communication Conference (OFC2015), Tu2A.7, Los Angelas, 24 March 2015.
2. X. Yu, J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka, and S. Takagi
   Mobility improvement of ultrathin-body germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs on flipped smart-cut GeOI substrates
   Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), D4, Bologna, Italy, 28 January 2015. DOI: 10.1109/ULIS.2015.7063798
3. M. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
   High Ion/Ioff Ge-source ultrathin body strained-SOI tunnel FETs – Impact of channel strain, MOS interfaces and back gate on the electrical properties
   International Electron Devices Meeting (IEDM’14), 13.2, San Francisco, 16 December 2014. DOI: 10.1109/IEDM.2014.7047043
4. J.-H. Han, M. Takenaka, and S. Takagi
   Comparison of Al2O3/Si1-xGex MOS interfaces grown on p-Si (100) and p-Si (110) with plasma post-nitridation
   IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2014), 13.4, San Diego, USA, 13 December 2014.
5. C.-Y. Chang, M. Takenaka, and S. Takagi
   Improvement of electrical properties of InGaAs MOS interfaces by inserting La oxide interfacial layers into InGaAs high-k gate stacks
   IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2014), 4.5, San Diego, USA, 11 December 2014.
6. M. Takenaka
   Strained SiGe technology for high-performance optical modulators and attenuators
   4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2014), B-6, Tokyo, 17 November 2014.
7. Y. Cheng, Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi
   InGaAs MSM photodetector with InAlAs and InP cap layers on III-V CMOS photonics platform for low dark current operation
   4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2014), P20, Tokyo, 18 November 2014.
8. Y. Ikku, M. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   Low-crosstalk carrier-injection Mach-Zehnder interferometer optical switches with 50-μm-long phase shifters on III-V CMOS photonics platform
   4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2014), P19, Tokyo, 18 November 2014.
9. Y. Kim, J. Fujikata, S. Takahashi, M. Takenaka, and S. Takagi
   Low injection-current variable optical attenuator by using strained SiGe with optimized lateral PIN junction
   4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2014), P54, Tokyo, 18 November 2014.
10. T. Kayoda, M. Takenaka, and S. Takagi
    Examination of modulation efficiency of graphene optical modulator based on semiconductor-metal transition
    4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2014), P33, Tokyo, 18 November 2014.
11. J. Kang, X. Yu, M. Takenaka, and S. Takagi
    Ge-on-Insulator Substrate Fabrication for Ge CMOS Photonics Platform
    4th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2014), P39, Tokyo, 18 November 2014.
12. S. Takagi and M. Takenaka
    Material challenges and opportunities in Ge/III-V channel MOSFETS
    226th ECS Meeting, Symposium P3, 1645, Cancun, Mexico, 7 October 2014 (invited).
13. Y. Kim, J. Fujikata, S. Takahashi, M. Takenaka, and S. Takagi
    Record-low injection-current strained SiGe variable optical attenuator with optimized lateral PIN junction
    European Conference on Optical Communication (ECOC’14), Cannes, P.2.6, 24 September 2014. DOI: 10.1109/ECOC.2014.6963927
14. K. Tanaka, R. Zhang, M. Takenaka, and S. Takagi
    Quantitative evaluation of slow traps near Ge MOS interfaces by using time response of MOS capacitance
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), F-2-2, Tukuba, 9 September 2014.
15. W.K. Kim, M. Takenka, and S. Takagi
    Properties of ultrathin body condensation GOI films thinned by additional thermal oxidation
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), PS-1-15, Tukuba, 10 September 2014 (Late News).
16. W.-L. Cai, M. Takenka, and S. Takagi
    Improvement of S-factor Method for Evaluation of MOS Interface State Density
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), J-2-2, Tukuba, 9 September 2014.
17. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V CMOS device technologies on Si platform
    E-MRS Fall Meeting, Symposium J, 71, Warsaw, Poland, 16 September 2014 (invited).
18. Y. Ikku, and M. Takenaka, and S. Takagi
    Low-resistance lateral junction formation for laser diodes on III-V CMOS photonics platform
    24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2014), MB3, Palma de Mallorca, Spain, 8 September 2014. 10.1109/ISLC.2014.150
19. Y. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
    Simulation of carrier-depletion strained SiGe optical modulators with vertical p-n junction
    International Conference on Group IV Photonics (GFP2014), ThP5, Paris, France, 28 August 2014. DOI: 10.1109/Group4.2014.6961993
20. S. Takagi and M. Takenaka
    Challenges & advances of MOSFETs using high mobility material channels
    International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2014), Austin, USA, 12 August 2014 (invited).
21. M. Takenaka, Y. Ikku, and S. Takagi
    III-V CMOS photonics platform for low-power and low-crosstalk photonic-wire switches and modulators
    Advanced Photonics for Communications, JT5C.4, San Dieog, USA, 15 July 2014 (invited).
22. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    III-V single structure CMOS by using ultrathin body InAs/GaSb-OI channels on Si
    VLSI Symposium, 4.2, Hawaii, USA, 10 June 2014. DOI: 10.1109/VLSIT.2014.6894350
23. S. H. Kim, Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Nakane, J. Li, Y.-C. Kao, M. Takenaka and S. Takagi
    High performance InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si by novel direct wafer bonding technology applicable to large wafer size Si
    VLSI Symposium, 4.4, Hawaii, USA, 10 June 2014. DOI: 10.1109/VLSIT.2014.6894352
24. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS device technologies for future logic LSIs
    International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2014), 1.1, Singapore, 2 June 2014 (plenary). DOI: 10.1109/ISTDM.2014.6874696
25. Y. Ikku, M. Takenaka, and S. Takagi
    Surface orientation depdendence of electro-optic effects in InGaAsP for lateral pin-junction InGaAsP photonic-wire modulators
    Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’14), P27, Montpellier, 11-15 May 2014. DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880549
26. Y. Cheng, Y. Ikku, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Waveguide InGaAs photodetector with Schottky barrier enhancement layer on III-V CMOS photonics platform
    Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’14), We-B1-2, Montpellier, 11-15 May 2014. DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880578
27. M. Kuramochi, M. Takenaka, Y. Ikku, and S. Takagi
    Multi-bandgap III-V on insulator wafer fabricated by quantum well intermixing for III-V CMOS photonics platform
    Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’14), Mo-B1-3, Montpellier, 11-15 May 2014. DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880518
28. K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    Thin body GaSb-OI p-MOSFETs on Si wafers fabricated by direct wafer bonding
    Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’14), Th-D2-6, Montpellier, 11-15 May 2014. DOI: 10.1109/ICIPRM.2014.6880566
29. M. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    Effect of in-situ boron doping in germanium source regions on performance of germanium/strained-silicon-on-insulator tunnel field-effect transistors
    MRS Spring Meeting, BB2.01, San Francisco, 22 April 2014.
30. X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates
    International Symposium on VLSI technology, System and Applications (VLSI-TSA2014), TR22, Hsinchu, Taiwan, 28 April 2014. DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2014.6839657
31. W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
    Effects of biaxially-tensile strain to properties of Si/SiO2 interface states generated by electrical stress
    IEEE International Reliability Physcis Symposium (IRPS’14), XT-5, Waikoloa, Hawaii, USA, 1-5 April 2014. DOI: 10.1109/IRPS.2014.6861183

国内学会・研究会

1. 韓 在勲、竹中 充、高木 信一
   プラズマ後窒化(100)面及び(110)面SiGe MOS界面の比較
   第62回応用物理学会春季学術講演会，14a-A24-4，東海大学湘南キャンパス，2015年3月14日.
2. Weili Cai, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
   GaSb基板の熱処理条件最適化
   第62回応用物理学会春季学術講演会，13p-D4-10，東海大学湘南キャンパス，2015年3月13日.
3. 金 相賢、一宮 佑希、横山 正史、中根 了昌、Li Jian、Kao Yung-Chung、竹中 充、高木 信一
   大口径化可能な貼り合わせ法によるSi上高性能InGaAs-OI MOSFETの作製
   第62回応用物理学会春季学術講演会，13a-A23-8，東海大学湘南キャンパス，2015年3月13日（第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演）.
4. Jian Kang, Xiao Yu, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
   Study of Thermal Annealing Effect on Smartcut Ge-on-Insulator Substrate
   第62回応用物理学会春季学術講演会，12p-A16-6，東海大学湘南キャンパス，2015年3月12日.
5. ChihYu Chang, Osamu Ichikawa, Takenori Osada, Hisashi Yamada, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
   Improvement of Electrical Properties of InGaAs MOS Interfaces by Inserting La Oxide Interfacial Layers into InGaAs Gate Stacks
   第62回応用物理学会春季学術講演会，12a-P12-6，東海大学湘南キャンパス，2015年3月12日.
6. 高島 成也、一宮 佑希、竹中 充、高木 信一
   III-V-OI基板上における量子井戸インターミキシングの検討
   第62回応用物理学会春季学術講演会，12p-A17-15，東海大学湘南キャンパス，2015年3月12日.
7. 野口 将高、韓 在勲、藤方 潤一、中村 隆宏、竹中 充
   Si光変調器に向けた歪SiGe成長に関する検討
   第62回応用物理学会春季学術講演会，12a-A16-10，東海大学湘南キャンパス，2015年3月12日.
8. 武内 和治、金 栄現、竹中 充、高木 信一
   歪SiGeインターリーブPN接合型光変調器の検討
   第62回応用物理学会春季学術講演会，12a-A16-9，東海大学湘南キャンパス，2015年3月12日.
9. Minsoo Kim, Yuki K. Wakabayashi, Ryosho Nakane, Masafumi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
   Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs
   第62回応用物理学会春季学術講演会，11a-A23-9，東海大学湘南キャンパス，2015年3月11日.
10. Xiao Yu, Jian Kang, Rui Zhang, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
    Mobility improvement of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs on flipped Smart-Cut GeOI substrates
    第62回応用物理学会春季学術講演会，11a-A23-2，東海大学湘南キャンパス，2015年3月11日.
11. ジ サンミン、市川 磨、長田 剛規、山田 永、竹中 充、高木 信一
    高In組成InGaAs量子井戸層の挿入によるプレーナ型InGaAsトンネルFETの性能向上の実証
    第62回応用物理学会春季学術講演会，11a-A23-10，東海大学湘南キャンパス，2015年3月11日.
12. 植田 大貴、金 閔洙、竹中 充、高木 信一
    ひずみSOIトンネルFETの作製と電気的特性
    第62回応用物理学会春季学術講演会，11a-A23-8，東海大学湘南キャンパス，2015年3月11日.
13. 西 康一、横山 正史、横山 春喜、星 拓也、杉山 弘樹、竹中 充、高木 信一
    Si上フロントゲートInAs/GaSb-OI p-MOSFETの移動度向上
    第62回応用物理学会春季学術講演会
    11a-A23-5，東海大学湘南キャンパス，2015年3月11日.
14. 高木 信一, 野口宗隆, 竹中　充
    Zn拡散ソースを用いたプレーナ型InGaAs トンネルFET
    電子情報通信学会総合大会, CI-4-3, 立命館大学　びわこ・くさつキャンパス，2015年3月10日.
15. 一宮 佑希, 竹中 充, 高木 信一,
    III-V-OI 基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN 接合形成技術
    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE), 8, 機会振興会館，2014年12月19日.
16. 韓在勲，竹中充，高木信一
    プラズマ後窒化HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS界面の電極依存性
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，19p-A17-7，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月19日.
17. 蔡偉立，竹中充，高木信一
    Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state density
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，19a-A17-12，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月19日.
18. 佐々木和哉，竹中充，高木信一
    グラフェンフォトディテクタの高性能化に向けた金属/グラフェン界面におけるフェルミ準位変化の評価
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，18p-A18-15，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月18日.
19. 亢健，玉虓，竹中充，高木信一
    Ge-on-Insulator fabrication by smartcut technology for Ge CMOS photonics platform
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，18p-A18-14，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月18日.
20. 金佑彊，高木信一，竹中充
    Effects of thinning condensation UTB GOI films by additional thermal oxidation on GOI Characteristics
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，18p-A16-11，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月18日.
21. 一宮佑希，横山正史，竹中充，高木信一
    小型低クロストークInGaAsP細線導波路光スイッチの作製
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，18a-C6-4，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月18日.
22. 嘉陽田達矢，竹中充，高木信一
    半導体-金属遷移を利用したグラフェン光変調器の変調効率の検討
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，17p-PA3-5，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月17日.
23. Y. Cheng，一宮佑希，竹中充，高木信一
    Dark current reduction of waveguide InGaAs MSM photodetector on III-V CMOS photonics platform by InAlAs cap layer
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，17p-C6-4，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月17日.
24. 西康一，横山正史，横山春喜，星拓也，杉山弘樹，竹中充，高木信一
    基板貼り合わせ法により作製したSi上フロントゲートGaSb-OI p-MOSFETの動作実証
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，17a-PA3-4，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月17日.
25. 金ミンス，若林勇希，中根了昌，竹中充，高木信一
    Ge/Si hetero-junction TFETs with in-situ boron-doped Ge-source
    第75回応用物理学会秋季学術講演会，17a-PA3-2，北海道大学札幌キャンパス，2014年9月17日.

2013年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, M. Takenaka and S. Takagi
   Atomic Layer-by-Layer Oxidation of Ge (100) and (111) Surfaces by Plasma Post Oxidation of Al2O3/Ge Structures
   Appl. Phys. Lett., vol. 102, 081603 (2013)
2. R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
   IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 3, (2013) pp. 927-934
3. M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   InGaAsP Grating Couplers Using Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor-Compatible III-V-On-Insulator on Si
   Appl. Phys. Exp. 6 (2013) 042501
4. S.-H. Jeon, N. Taoka, H. Matsumoto, K. Nakano, S. Koyama, H. Kakibayasi, K. Araki, M. Miyashita, K. Izunome, M. Takenaka and S. Takagi
   Impacts of Surface Roughness Reduction in (110) Si Substrates by High Temperature Annealing on Electron Mobility in n-MOSFETs on (110) Si
   Jpn. J. Appl. Phys., 52 (2013) 04CC26
5. J. -H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Reduction in interface trap density of Al2O3/SiGe gate stack by electron cyclotron resonance plasma post-nitridation
   Appl. Phys. Express, 6 (2013) 051302
6. C.-Y. Chang, M. Yokoyama, S.-H. Kim, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks
   Microelectronic Engineering, 109 (2013) pp. 28-30
7. R. Zhang, J.-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of Plasma Post Oxidation Temperature on Interface Trap Density and Roughness at GeOx/Ge Interfaces
   Micoroelectron. Eng. 109 (2013) pp. 97-100
8. J. -H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Impact of plasma post-nitridation on HfO2/Al2O3/SiGe gate stacks toward EOT scaling
   Microelectronic Engineering,109 (2013) pp. 266-269
9. S. Takagi, R. Zhang, and M. Takenaka
   Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties
   Micoroelectron. Eng. 109 (2013) pp. 389-395
10. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Experimental Study on Electron Mobility in InxGa1-xAs-on-insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with In content modulation and MOS interface buffer engineering
    IEEE Trans. on Nanotechnology, vol. 12, no. 4 (July) p. 621-628 (2013)
11. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Sub-60 nm Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering and its scalability
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 8, (2013) p. 2512-2517
12. Y.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Ge-rich SiGe-on-Insulator for waveguide optical modulator application fabricated by Ge condensation and regrowth
    Optics Express, vol. 21, no. 17 (2013) 19615
13. M. Yokoyama, R. Iida, Y. Ikku, S.-H. Lee, S.-H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Formation of III-V-On-Insulator Structures on Si by Direct Wafer Bonding
    Semicond. Sci. Technol. 28, vol. 9 (2013) 094009
14. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, S. Lee, R. Iida, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of fermi level pinning due to interface traps inside conduction band on inversion-layer mobility of InxGa1-xAs metal-oxide-semiconductor field effect transistors
    IEEE Trans. on Device and Materials Reliability, vol. 13, No. 4, pp. 456-462, 2013 (invited). DOI: 10.1109/TDMR.2013.2289330
15. S. Takagi, Rui Zhang, S.-H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
    Performance enhancement technologies in III-V/Ge MOSFETs Ge-based and III-V technologies
    ECS Trans., vol. 58, no. 9, pp. 137-148, 2013 (invited). DOI: 10.1149/05809.0137ecst
16. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V/Ge MOS transistor technologies for future ULSI future IC technology and novel devices
    ECS Trans., vol. 54, no. 1, pp. 39-54, 2013 (invited). DOI: 10.1149/05401.0039ecst
17. K. Nishi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, H. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Study on electrical properties of metal/GaSb junctions using metal-GaSb alloys
    J. Appl. Phys., vol. 115, 034515, 2014. DOI: 10.1063/1.4862486
18. S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Biaxially strained extremely-thin body In0.53Ga0.47As-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si substrate and physical understanding on their electron mobility
    J. Appl. Phys., vol. 114, 164512, 2013. DOI: 10.1063/1.4828481
19. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, S. Lee, R. Iida, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of fermi level pinning inside conduction band on electron mobility of InGaAs MOSFETs
    Appl. Phys. Lett., vol. 103, 143509, 2013. DOI: 10.1063/1.4824474
20. K. Alam, S. Takagi, and M. Takenaka
    Analysis and comparison of L-Valley transport in GaAs, GaSb, and Ge ultrathin-body ballistic nMOSFETs
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 12, pp. 4213 – 4218, 2013. DOI: 10.1109/TED.2013.2285394
21. S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    High-performance InAs-on-insulator n-MOSFETs with Ni-InGaAs S/D realized by contact resistance reduction technology
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 10, pp. 3342 – 3350, 2013. DOI: 10.1109/TED.2013.2279363
22. S. Takagi, S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, M. Yokoyama, and M. Takenaka
    Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs
    ECS Trans., vol. 53, no. 3, pp. 107 - 122, 2013 (invited). DOI: 10.1149/05303.0107ecst
23. S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka, and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications
    ECS Trans., vol. 53, no. 3, pp. 85 - 96, 2013 (invited). DOI: 10.1149/05303.0085ecst
24. S. Takagi, R. Zhang, R. Suzuki N. Taoka, M. Yokoyama and M. Takenaka
    MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks III-V surface passivation
    ECS Trans., vol. 50, no. 4, pp. 107-122, 2013 (invited). DOI: 10.1149/05004.0107ecst
25. R. Zhang, P.-C. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
    Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3
    ECS Trans., vol. 50, no. 9, pp. 699-706, 2013. DOI:10.1149/05009.0699ecst
26. S. Takagi, S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, and M. Takenaka
    High mobility CMOS technologies using III-V/Ge channels on Si platform
    Solid-State Electronics, vol. 88, pp. 2-8, 2013. DOI: 10.1016/j.sse.2013.04.020
27. S.-H. Jeon, N. Taoka, H. Matsumoto, K. Nakano, S. Koyama, H. Kakibayasi, K. Araki, M. Miyashita, K. Izunome, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impacts of surface roughness reduction in (110) Si substrates by high temperature annealing on electron mobility in n-MOSFETs on (110) Si
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 52, 04CC26, 2013. DOI: 10.7567/JJAP.52.04CC26

1. Y. Kim, M. Takenaka, T. Osada, M. Hata, S. Takagi
   Strain-induced enhancement of free-carrier effects in SiGe for optical modulator and VOA applications,
   Optical Fiber Communication Conference (OFC2014), Th1C.4, San Francisco, 13 March 2014. DOI: 10.1364/OFC.2014.Th1C.4
2. Y. Ikku, M.Yokoyama, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Ultra-small, low-crosstalk, electrically-driven InGaAsP photonic-wire optical switches on III-V CMOS photonics platform,
   Optical Fiber Communication Conference (OFC2014), Th2A.66, San Francisco, 13 March 2014. DOI: 10.1364/OFC.2014.Th2A.66
3. W.-L. Cai, M. Takenaka and S. Takagi
   Characterization of interface state properties of strained-Si MOS interfaces by conductance method,
   7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, P-13, Tohoku University, Sendai, 28 January 2014.
4. S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, M. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
   High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-Insulator tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and Vth tunability,
   International Electron Devices Meeting (IEDM’13), 16.4, Washington D. C., 10 December 2013.
5. R. Zhang, W. Chern, X. Yu, M. Takenaka, J. L. Hoyt, S. Takagi
   High mobility strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm ultrathin EOT using plasma post oxidation HfO2/Al2O3/GeOx gate stacks and strain modulation,
   International Electron Devices Meeting (IEDM’13), 26.1, Washington D. C., 11 December 2013.
6. M. Noguchi, S. Kim, M. Yokoyama, O.Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
   High Ion/Ioff and low subthreshold slope planar-type InGaAs tunnel FETs with Zn-diffused source junctions,
   International Electron Devices Meeting (IEDM’13), 28.1, Washington D. C., 11 December 2013.
7. J.-H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
   Impact of Ge composition on the interface trap density at Al2O3/Si1-xGex MOS interface with plasma post-nitridation,
   IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2013), 1.3, Washington D.C., 4 December 2013.
8. K. Nishi, M. Yokoyama, S. H. Kim, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   Impact of interfacial InAs layers on GaSb MOS interface properties,
   IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2013), 11.11, Washington D.C., 6 December 2013.
9. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   Electrical properties of metal/GaSb junctions using metal-GaSb alloys,
   IEEE Semiconductor Interface Specialists conference (SISC2013), 9.4, Washington D.C., 6 December 2013.
10. M. Takenaka and S. Takagi
    III-V/Ge device engineering for CMOS photonics,
    International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC2013), L3-5, Las Vegas, 3 December 2013 (invited).
11. M. Takenaka and S. Takagi
    Heterogeneous integration for CMOS photonics,
    3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), E-3, Tokyo, 20 November 2013 (invited).
12. T. Kayoda, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi
    Feasibility study of high-performance optical modulators using semiconductor-metal transition in graphene,
    3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), P-14, Tokyo, 19 November 2013.
13. T. J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka, and S. Takagi
    Surface leakage reduction for Ge metal-semiconductor-metal photodetector by GeOx passivation,
    3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), P-18, Tokyo, 19 November 2013.
14. Y. Ikku, M. Yokoyama, M. Noguchi, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Reduction in crosstalk of carrier-injection mach-zehnder interferometer optical switches by using III-V CMOS photonics platform,
    3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), P-27, Tokyo, 19 November 2013.
15. J. -H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    EOT scaling of plasma post-nitrided SiGe gate stack for high performance MOS optical modulators,
    3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), P-40, Tokyo, 19 November 2013.
16. Y. Kim, J. Han, M. Takenaka, and S. Takagi
    Low temperature Al2O3 surface passivation for carrier injection type Si/strained SiGe/Si waveguide modulator,
    3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), P-41, Tokyo, 19 November 2013.
17. Y. Cheng, Y. Ikku, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Waveguide InGaAs MSM photodetector for chip-scale optical interconnects on III-V CMOS photonics platform,
    Asia Communications and Photonics Conference (ACP2013), ATh3A.4, Beijin, 14 November 2013.
18. S. Takagi, R. Zhang, S.-H. Kim, M. Yokoyama, M. Takenaka
    Performance enhancement technologies in III-V/Ge MOSFETS,
    224th ECS Meeting, Symposium E12, 2223, San Francisco, 29 October 2013 (invited).
19. S. Takagi, S.-H. Kim, M. Yokoyama, W.-K. Kim, R. Zhang and M. Takenaka
    Ultra-thin body MOS device technologies using high mobility channel materials
    IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (IEEE S3S’13), 9a.1, Monterey, October 7-10, 2013 (invited).
20. S. Takagi and M. Takenaka
    High mobility CMOS technologies using III-V/Ge channels
    IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC’13), MP-CK-3, Tainan, 7 October 2013 (invited).
21. S.-H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Physical understanding of electron mobility in uniaxially strained InGaAs-OI MOSFETs,
    43rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC’13), B4L-A1, Bucharest, 18 September 2013.
22. Y. Ikku, M. Yokoyama, N. Noguchi, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Low-crosstalk 2 ´ 2 InGaAsP photonic-wire optical switches using III-V CMOS photonics platform,
    European Conference on Optical Communication (ECOC’13), London, P.2.19, 24 September 2013.
23. M. Yokoyama, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    GaSb-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding technology
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), PS-6-33, Fukuoka, 26 September 2013 (Late News).
24. M. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Electrical characteristics of Ge/Si hetero-junction tunnel field-effect transistors and their post annealing effects
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), B-6-2, Fukuoka, 27 September 2013.
25. W. K. Kim, Y. Kin, Y. H. Kim, S.H. Kim, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Sb-diffused source/drain ultra-thin body Ge-on insulator nMOSFETs fabricated by Ge condensation
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), D-6-5L, Fukuoka, 27 September 2013 (Late News).
26. Y. Kim, J. Han, M. Takenaka and S. Takagi
    Low temperature surface passivation for carrier injection type SiGe optical modulator,
    International Conference on Group IV Photonics (GFP2013), ThD4, Seoul, 29 August 2013.
27. T. Kayoda, J. Han, M. Takenaka and S. Takagi
    Evaluation of Chemical potential for graphene optical modulators based on the semiconductor-metal transition,
    International Conference on Group IV Photonics (GFP2013), ThD5, Seoul, 29 August 2013.
28. J. Kang, R. Zhang, M. Takenaka and S. Takagi
    Dark current suppression for germanium metal-semiconductor-metal photodetector by plasma post-oxidation passivation,
    International Conference on Group IV Photonics (GFP2013), FA6, Seoul, 30 August 2013.
29. Shinichi Takagi and Mitsuru Takenaka
    III-V/Ge MOS transistor technologies for future ULSI,
    International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs. TFT 4’13), ｃ, 11 July 2013 (invited).
30. Shinichi Takagi, Rui Zhang, and Mitsuru Takenaka
    Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties,
    18th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS’13), Cracow, 26 June 2013 (Plenary).
31. R. Zhang, Ju-Chin Lin, X. Yu, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of plasma post oxidation temperature on interface trap density and roughness at GeOx/Ge interfaces,
    18th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS’13), Cracow, 26 June 2013.
32. J. -H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of plasma post-nitridation on HfO2/Al2O3/SiGe gate stacks toward EOT scaling,
    18th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS’13), Cracow, 27 June 2013.
33. C.-Y. Chang, M. Yokoyama, S.-H. Kim, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks,
    18th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS’13), Cracow, 27 June 2013.
34. R. Zhang, J-C. Lin, X. Yu, M. Takenaka, and S. Takagi
    Examination of physical origins limiting effective mobility of Ge MOSFETs and the improvement by atomic deuterium annealing,
    VLSI Symposium., 3.1, Kyoto, 11 June 2013.
35. S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Strained extremely-thin body In0.53Ga0.47As-On-Insulator MOSFETs on Si substrates,
    VLSI Symposium, 5.1, Kyoto, 11 June 2013.
36. S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    High performance extremely-thin body InAs-On-Insulator MOSFETs on Si with Ni-InGaAs metal S/D by contact resistance reduction technology,
    VLSI Symposium, 5.2, Kyoto, 11 June 2013.
37. W.-L. Cai, M. Takenaka, and S. Takagi
    Evaluation of interface state density of strained-Si MOS interfaces by conductance method,
    Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2013), 3-4, Kyoto, 9 June 2013.
38. S. Takagi, R. Zhang, and M. Takenaka
    High quality Ge gate stacks technologies by using plasma oxidation,
    ICSI-8/ISCSI-VI, C1-3, Fukuoka, 6 June 2013.
39. Y. H. Kim, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, S. Takagi
    Evaluation of propagation loss of Si/SiGe/Si photonic-wire waveguides for Si based optical modulator,
    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), pp. 213-214, Fukuoka, 3 June 2013.
40. M. Kim, Y. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, S. H. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
    Tunnel field-effect transistors with germanium/strained-silicon hetero-junctions for low power applications,
    8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8), pp. 197-198, Fukuoka, 3 June 2013.
41. N. Yoshida, E. Waki, M. Arai, K. Yamazaki, M. Takenaka, and S. Takagi
    Extraction of interface state density at SiO2/SiC interfaces based on impedance measurements with different temperatures,
    6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), pp. 307-308, Fukuoka, 4 June 2013.
42. J.-C. Lin, R. Zhang, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    Characterization of interface properties of Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures,
    6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), pp. 115-116, Fukuoka, 6 June 2013.
43. K. Alam, S. Takagi, and M. Takenaka
    Thickness dependent performance of (111) GaAs UTB nMOSFETs,
    16th International Workshop on Computational Electronics (IWCE’13), pp. 136 - 137, Nara, 4 June 2013.
44. S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka, and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS device technologies for high performance logic applications,
    223rd ECS Meeting, Symposium E5, 856, Toronto, May 2013 (invited).
45. S. Takagi, S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, M. Yokoyama, and M. Takenaka
    Limiting factors of channel mobility in III-V/Ge MOSFETs,
    223rd ECS Meeting, Symposium E5, 858, Toronto, 13 May 2013 (invited).
46. S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Nakane, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Analysis on channel thickness fluctuation scattering in InGaAs-OI MOSFETs,
    Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013), WeD1-3, Kobe, 22 May 2013.
47. M. Yokoyama, Y. Asakuar, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impact of Al2O3 ALD temperature on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties,
    Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013), WeD1-4, Kobe, 22 May 2013.
48. M. Takenaka, R. Zhang, S. Takagi
    MOS interface engineering for high-mobility Ge CMOS,
    IEEE International Reliability Physcis Symposium (IRPS’13), 4C.1, Monterey, 17 April 2013 (invited).
49. S. Takagi, R. Zhang, N. Taoka1, R. Suzuki, S.-H. Kim, M. Yokoyama, and M. Takenaka
    MOS interface control in III-V/Ge gate stacks and the impact on MOSFET performance,
    MRS Spring Meeting, CC1.04, San Francisco, 2 April 2013 (invited).

国内学会・研究会

1. 金栄現, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   歪SiGe 光変調器における歪誘起自由キャリア効果の増大
   第61回応用物理学会春季学術講演会，19a-F8-9，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月19日.
2. 一宮佑希, 横山正史, 野口宗隆, 市川磨, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   InGaAsP細線導波路光スイッチにおける低クロストーク動作
   第61回応用物理学会春季学術講演会，17p-PA2-8，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月17日.
3. 程勇鵬, 一宮佑希, 市川磨, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   III-V CMOSフォトニクス•プラットフォーム上導波路型InGaAs MSMフォトディテクタの作製
   第61回応用物理学会春季学術講演会，17p-PA2-9，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月17日.
4. 倉持美沙，竹中充，一宮佑希，高木信一
   量子井戸インターミキシグを用いた III-V CMOSフォトニクス用マルチバンドギャップ貼り合せ基板の作製
   第61回応用物理学会春季学術講演会，20a-F8-10，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月20日.
5. 韓在勲，張睿，長田剛規，秦雅彦，竹中充，高木信一
   プラズマ後窒化によるAl2O3/SiGe MOS界面改善のGe組成依存性
   第61回応用物理学会春季学術講演会，?????，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月17-20日.
6. 金佑彊, 金栄現, 金相賢, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   Sb拡散ソース・ドレインを有する酸化濃縮基板上反転型極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFET
   第61回応用物理学会春季学術講演会，18p-PA12-5，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月18日.
7. 朝倉佑吏, 韓在勲, 荒木浩司, 宮下守也, 泉妻宏治, 竹中充, 高木信一
   高温Ar熱処理Si基板上 (100) pMOSFETの正孔移動度向上機構
   第61回応用物理学会春季学術講演会，18p-PA12-2，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月18日.
8. 西康一, 金相賢, 横山正史, 横山春喜, 竹中充, 高木信一
   金属GaSb合金を用いた金属/GaSb接合の電気特性
   第61回応用物理学会春季学術講演会，19p-F12-19，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月19日.
9. 田中克久，張睿，竹中充，高木信一
   容量値の時間応答を利用したGe MOS界面における遅い準位の定量的評価
   第61回応用物理学会春季学術講演会，18p-D8-7，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月18日.
10. 横山正史, 西康一, 横山春喜, 竹中充, 高木信一
    基板貼り合わせ法によるGaSb-OI on Si基板の作製とGaSb-OI p-MOSFETの動作実証
    第61回応用物理学会春季学術講演会，19p-F12-20，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月17-20日.
11. 張睿，Winston Chern，玉虓，竹中充，Hoyt Judy，高木信一
    High mobility strained-Ge pMOSFETs with 0.7-nm ultrathin EOT using plasma post oxidation HfO2/Al2O3/GeOx Gate Stacks
    第61回応用物理学会春季学術講演会，19p-F12-15，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月19日.
12. 金ミンス，若林勇希，中根了昌，横山正史，竹中充，高木信一
    Type-II staggered hetero-junction tunnel FETs with Ge sources and biaxial tensile strain Si channels
    第61回応用物理学会春季学術講演会，19p-PG4-4，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月19日.
13. W.-L. Cai, M. Takenaka, and S. Takagi
    Effects of biaxially-tensile strain on properties of Si/SiO2 interface states generated by electrical stress
    第61回応用物理学会春季学術講演会，18a-D8-6，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月18日.
14. X. Yu, R. Zhang, J. Kang, T. Maeda, T. Itatani, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Ultrathin body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs fabricated by transfer of epitaxial Ge films on III-V substrates
    第61回応用物理学会春季学術講演会，19p-F12-14，青山学院大学相模原キャンパス，2014年3月17-20日.
15. 竹中充
    異種半導体集積CMOSおよびフォトニクス融合への展望
    光産業技術振興協会第4回フォトニックデバイス・応用技術研究会，上智大学，2014年1月23日（招待講演）.
16. 金相賢，横山正史，中根了昌，市川磨，長田剛規，秦雅彦，竹中充，高木信一
    強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第 167 回研究集会／電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 1 月研究会，機械振興会館，2014年1月29日（招待講演）.
17. 竹中充、高木信一
    異種半導体集積を用いたCMOSフォトニクス
    レーザー学会第34回年次大会，21aI.5, 北九州国際会議場，小倉， 2014年1月21日（招待講演）.
18. 金栄現、韓在勲、竹中充、高木信一
    Si /歪SiGe/Si導波路コア・キャリア注入型光変調器に向けた低温表面パシベーション
    電子情報通信学会第20回シリコンフォトニクス研究会，P18, 東京工業大学大岡山キャンパス， 2013年10月18日.
19. 韓在勲、張睿、長田剛規、秦雅彦、竹中充、高木信一
    MOS光変調器の高性能化に向けたプラズマ後窒化SiGeゲートスタックのEOTスケーリング
    電子情報通信学会第20回シリコンフォトニクス研究会，P14, 東京工業大学大岡山キャンパス， 2013年10月18日.
20. 嘉陽田達矢、韓在勲、竹中充、高木信一
    半導体-金属遷移を利用したグラフェン光変調器の実現に向けたグラフェン中化学ポテンシャルの評価
    電子情報通信学会第20回シリコンフォトニクス研究会，P17, 東京工業大学大岡山キャンパス， 2013年10月18日.
21. 亢健, 張睿、竹中充、高木信一
    GeOxパッシベーションによるGe MSM受光器の暗電流削減
    電子情報通信学会第20回シリコンフォトニクス研究会，P15, 東京工業大学大岡山キャンパス， 2013年10月18日.
22. 蔡　偉立，竹中　充，高木信一
    Evaluation of Interface State Density of Strained-Si MOS Interfaces by Conductance Method
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，17a-B5-6，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月17日.
23. 嘉陽田達矢，韓　在勲，竹中　充，高木信一
    半導体-金属遷移を利用したグラフェン光変調器の検討
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，19a-P2-18，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月19日.
24. 横山正史，横山春喜，竹中　充，高木信一
    InAs層の導入によるAl2O3/GaSb MOS界面特性の改善
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，17a-B5-9，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月17日.
25. 金　栄現，韓　在勲，竹中　充，高木信一
    歪SiGeキャリア注入型光変調器に向けた低温パシベーション
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，19a-P2-22，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月19日.
26. 林汝靜，張睿，田岡紀之，竹中 充，高木信一
    Characterization of Interface Traps in Au/Al2O3/GeOx/Ge MOS Structures
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，18p-P9-1，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月18日.
27. 張睿，林汝静，玉虓，竹中　充，高木信一
    Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，17p-B5-20，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月17日.
28. 西　康一，金　相賢，横山正史，横山春喜，竹中　充，高木信一
    GaSb pMOSFETのMetal Source/Drainに向けたNi-GaSb/GaSbショットキー接合の低温における形成
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，19p-C8-12，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月19日.
29. キム　ミンス，若林勇希，中根了昌，横山正史，竹中　充，高木信一
    Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，19a-P5-12，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月19日.
30. 韓　在勲，張睿，長田剛規，畑　雅彦，竹中　充，高木信一
    プラズマ後窒化によるHfO2/Al2O3/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，17p-B5-8，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月17日.
31. 一宮佑希，野口宗隆，横山正史，市川　磨，長田剛規，秦　雅彦，竹中　充，高木信一
    InGaAsP細線導波路光スイッチに向けたZn拡散によるp+InGaAsPの形成
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，19a-P2-15，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月19日.
32. 金　佑彊，忻　宇飛，金　栄現，金　相賢，長田剛規，秦　雅彦，竹中　充，高木信一
    酸化濃縮基板へのSb ドーピングにより作製した極薄膜Ge-on-Insulator nMOSFETs
    第74回応用物理学会秋季学術講演会，18p-P10-2，同志社大学京田辺キャンパス，2013年9月18日.
33. 竹中　充，高木信一
    III-V/Ge CMOSフォトニクス実現に向けたデバイス技術
    電気化学会電子材料委員会第77回半導体・集積回路技術シンポジウム，東京工業大学，2013年7月11日（招待講演）

2012年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Electron Mobility Enhancement of Extremely Thin Body In0.7Ga0.3As-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates by Metal–Oxide–Semiconductor Interface Buffer Layers
   Appl. Phys. Exp. 5, 014201 (2012)
2. M. Takenaka and S. Takagi
   Strain Engineering of SiGe Optical Modulators
   IEEE J. Quantum Electronics, vol. 48, no. 1 (2012) pp. 8-16
3. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Effect of Sample Thickness on SiO2/Si Interface Roughness Characterization through Transmission Electron Microscope Measurements in Strained-Si MOSFETs
   J. Electrochem. Soc., vol. 159 H57 (2012)
4. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   In0.53Ga0.47As Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors with a self-aligned metal Source/Drain using Co-InGaAs alloy
   Appl. Phys. Lett.　100, 073504 (2012)
5. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   High Mobility Ge pMOSFET with 1 nm Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation
   IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no. 2, (2012) pp. 335-341
6. R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   1 nm capacitance equivalent thickness HfO2/Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitance with low interface trap density and low gate leakage current density
   Appl. Phys. Lett., 100, 132906 (2012)
7. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   Dark current reduction of Ge photodetector by GeO2 surface passivation and gas-phase doping
   Optics Exp., vol. 20, Issue 8, pp. 8718-8725 (2012)
8. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Strained In0.53Ga0.47As Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors with Epitaxy-based Biaxial Strain
   Appl. Phys. Lett., vol. 100, 193510 (2012)
9. M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Maeda, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   III-V/Ge high mobility channel integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D
   Appl. Phys. Exp., vol. 5, No. 7, 076501 (2012)
10. C．B. Zota, S.-H. Kim, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Characterization of Ni-GaSb alloys formed by direct reaction of Ni and GaSb
    Appl. Phys. Exp., vol. 5, 071201 (2012)
11. T. Hoshii, S. Lee, R. Suzuki, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement in Interface State Density of Al2O3/InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by InGaAs Surface Nitridation
    J. Appl. Phys., vol. 112, 073702 (2012)
12. R. Suzuki, N. Taoka, M. Yokoyama, S.-H. Kim, T. Hoshii, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of atomic layer deposition temperature on HfO2/InGaAs MOS interface properties
    J. Appl. Phys., vol. 112, 084103 (2012)
13. Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Low-driving-current InGaAsP Photonic-wire Optical Switches using III-V CMOS Photonics Platform
    Optics Express, vol. 20, no. 26 (2012) B357-B364

査読のある国際学会での受諾論文

1. S. Takagi and M. Takenaka
   High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform
   13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012), Grenoble, France, 5-7th of March, 2012
2. Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Propagation-Loss Reduction in InGaAsP Photonic-wire Waveguides by InP and Al2O3 Passivation Layers
   16th European Conference on Integrated Optics and technical exhibitions (ECIO 2012), April 18-20 (2012)
3. R. Zhang, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
   VLSI symp. (2012) p. 161-162
4. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Sub-60 nm deeply scaled Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering
   VLSI symp. (2012) p. 177-178
5. C. B. Zota, S. H. Kim, Y. Asakura, M. Takenaka and S. Takagi
   Self-aligned metal S/D GaSb p-MOSFETs using Ni-GaSb alloys
   70th Device Research Conference (DRC), June 18-20, Pennsylvenia State University, University Park, PA, USA, P. 71-72 (2012)
6. M. Takenaka and S. Takagi
   III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits
   Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), June 27–29 (2012), Okinawa, Japan
7. J. H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Improvement of SiGe MOS interfaces by plasma post-nitridation for SiGe high-k MOS optical modulators
   IEEE 9th International Conference on Group IV Photonics (GFP) (2012), p. 144-146
8. Y.-H. Kim, M. Takenaka and S. Takagi
   Numerical analysis of strained SiGe-based carrier-injection optical modulators
   IEEE 9th International Conference on Group IV Photonics (GFP) (2012), p. 126-128
9. Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Low-driving-current InGaAsP Photonic-wire Optical Switches using III-V CMOS Photonics Platform
   37th European Conference and Exhibition on Optical Communication (ECOC) (2012), Tu.4.E.5
10. M. Yokoyama, O. Ichikawa, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Sulfur cleaning for (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.70 and their Al2O3/InGaAs MOS interface properties
    24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2012) Tu-3E.5
11. S.-H. Shin, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Quantitative Analysis of Surface Potential Fluctuation at MOS interfaces Using Conductance Method
    SSDM (2012), p. 831-832
12. S.-H. Jeon, N. Taoka, H. Matsumoto, K. Nakano, S. Koyama, H. Kakibayasi, K. Araki, M. Miyashita, K. Izunome, M. Takenaka and S. Takagi
    Impacts of Surface Roughness Reduction in (110) Si Substrates by High Temperature Annealing on Electron Mobility in n-MOSFETs on (110) Si
    SSDM (2012), p. 813-814
13. S. Takagi, S,-H, Kim, R. Zhang, M. Yokoyama, N. Taoka and M. Takenaka
    III-V/Ge Channel MOS Transistor Technologies for Advanced CMOS (invited)
    SSDM (2012) p. 793-794
14. S. Takagi
    MOS interface properties of high k/III-V gate stacks and the impact on device performance
    9th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (2012), Saratoga Springs, NY, October 3 – 4 (2012)
15. R. Zhang, P.-C. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
    Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3
    Symposium on 5th International SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices, Symposium E of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, Honolulu, Hawaii, USA, 07-12 October (2012) , ECS Trans., 50 (9), 699-706 (2012)
16. S. Takagi, R. Zhang, R. Suzuki N. Taoka, M. Yokoyama, and M. Takenaka
    MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks (invited)
    Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics 10, Symposium E4 of the 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, Honolulu, Hawaii, USA, 07-12 October (2012), ECS Trans., 50 (4), 107-122 (2012)
17. J. H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and and and and S. Takagi
    Plasma post-nitridation toward SiGe high-k MOS optical modulators
    accepted in the 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence -Advanced Nanophotonics and Silicon Device Systems- (ISPEC2012), Tokyo, Japan on 3-5 December, (2012)
18. Y.-H. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi
    Simulation of Si/SiGe/Si double heterostructure based carrier-injection modulator
    accepted in the 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence -Advanced Nanophotonics and Silicon Device Systems- (ISPEC2012), Tokyo, Japan on 3-5 December, (2012)
19. Y. Ikku, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    InGaAsP Photonic-wire Mach-Zehnder Interferometer Switches Fabricated on III-V CMOS Photonics Platform
    accepted in the 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence -Advanced Nanophotonics and Silicon Device Systems- (ISPEC2012), Tokyo, Japan on 3-5 December, (2012)
20. M. Yokoyama, Y. Asakura, H. Yokoyama, M. Takenaka, and S. Takagi
    Roles of interfacial Ga and Sb oxides on GaSb MOS interface properties
    43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (2012) 7.6.
21. J. H. Han, R. Zhang, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Improvement of Al2O3/Si0.75Ge0.25 MOS interface by plasma post-nitridation
    43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (2012) 7.3.
22. S. Takagi
    High Mobility Channel CMOS Transistors - Beyond Silicon
    International Electron Devices Meeting (IEDM) (2012) tutorial, December 8, 2012
23. S. Takagi, R. Zhang, S.-H Kim, N. Taoka, M. Yokoyama, J.-K. Suh, R. Suzuki, Y. Asakura, C. Zota and M. Takenaka
    MOS interface and channel engineering for high-mobility Ge/III-V CMOS
    International Electron Devices Meeting (IEDM) (2012) pp. 505-508
24. R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, M. Takenaka and S. Takagi
    Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces
    International Electron Devices Meeting (IEDM) (2012) pp. 371-374
25. S. Takagi, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka, M. Yokoyama and M. Takenaka
    MOS interface control of high mobility channel materials for advanced CMOS applications
    3rd Molecular Materials Meeting (M3), Singapore, 14 -16 January (2013)
26. R. Zhang, J.-C. Lin, M. Takenaka and S. Takagi
    Ge Oxide Growth by Plasma Oxidation of Ge substrates through Al2O3 Layers
    5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), Jun. 28th –Feb. 1st, 2013, Nagoya University, Nagoya
27. S. Takagi
    III-V channel MOSFET Technology
    S3. Device Technology, SEMICON Korea (2013)
28. S. Takagi, R. Zhang, and M. Takenaka
    High Mobility Ge MOSFETs using 0.7 nm EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
    6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar, "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Feb. 22- 23, 2013, Tohoku University, Sendai

国内学会・研究会

1. 金相賢，横山正史, 田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   Ni-InGaAsメタルS/D及びMOS界面バッファ層を持つ極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETsの短チャネル特性
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
2. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   次世代高性能InxGa1-xAs-OI MOSFETの実現に向けたチャネルエンジニアリング
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
3. 金栄現, 竹中充, 高木信一
   歪SiGeを利用したキャリア注入型光変調器のTCADシミュレーション
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
4. 韓在勲，張睿，長田剛規，秦雅彦，竹中充，高木信一
   MOS型光変調器の実現に向けたSiGe MOS界面の改善に関する研究
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
5. 横山正史, 横山春喜, 竹中充, 高木信一
   GaSb基板表面の自然酸化膜除去
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
6. Rui Zhang, J. C. Lin, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
7. 一宮佑希, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   InPとAl2O3 パッシベーションによるInGaAsP細線導波路の損失改善
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
8. 野口宗隆, 竹中充, 高木信一
   薄膜ボディInGaAs–OI TFET におけるサブスレショルド特性の改善手法の検討
   第73回応用物理学会学術講演会 松山大学／愛媛大学（2012/9/11〜14）
9. 横山正史, 朝倉佑吏, 横山春喜, 竹中充, 高木信一
   GaSb MOS界面特性に与えるGaSb酸化物の影響
   第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
10. R. Zhang, J. C. Lin, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    High Mobility Ge CMOS devices with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
11. R. Zhang, N. Taoka, P.-C. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement of High Ns Mobility of Ge MOSFETs by Reducing GeOx/Ge Interface Roughness
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
12. R. Zhang, N. Taoka, P.-C. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
    Mobility Degradation of Ge MOSFETs in High Ns Region due to Interface States inside Conduction and Valence Bands of Ge
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
13. 忻宇飛, 金栄現, 张睿, 長田剛規, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    酸化濃縮法Ge-On-Insulator層の薄膜化がMOS界面正孔移動度に与える効果
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
14. 金栄現, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    歪SiGe光変調器に向けのSi/SiGe/Siコア光導波路の作製と評価
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
15. 高木信一, 竹中充
    微細MOSFETの将来動向
    応用物理学会シンポジウム・半導体モデリング・シミュレーションの現状と将来展望　招待講演
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
16. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 中根了昌, 長田剛規, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの電子移動度に与える膜厚揺らぎ散乱の影響
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
17. 韓在勲，張睿，長田剛規，秦雅彦，竹中充，高木信一
    プラズマ後窒化SiGe MOS界面の特性評価
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
18. 一宮佑希, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    III-V CMOSフォトニクスを用いた低電流駆動光スイッチ
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
19. 野口宗隆, 金相賢, 横山正史, 市川磨, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    スピンオングラス法によるZn拡散を用いたプレーナ型InGaAs TFETの動作実証
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）
20. 張志宇，横山正史，金相賢，市川磨，長田剛規，秦雅彦，竹中充，高木信一
    InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
    第60回応用物理学会春季学術講演会 神奈川工科大学（2013/3/27〜30）

2011年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. S. Takagi, S. Dissanayake and M. Takenaka
   High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies
   Key Engineering Materials, Vol. 470 (2011) pp 1-7
2. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation
   Appl. Phys. Lett., vol. 98, 112902 (2011)
3. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   Ultrathin Body InGaAs-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with InP Passivation Layers on Si substrates Fabricated by Direct Wafer Bonding
   Appl. Phys. Exp., vol. 4, 054202 (2011)
4. N. Taoka, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota, and S. Takagi
   Nature of Interface Traps in Ge Metal-Insulator-Semiconductor Structures with GeO2 Interfacial Layers
   J. Appl. Phys., vol. 109, 084508 (2011)
5. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Self-aligned metal Source/Drain InP n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors MOSFETs using Ni-InP metallic alloy
   Appl. Phys. Lett., 98, 243501 (2011)
6. N. Taoka, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   AC response analysis of C–V curves and quantitative analysis of conductance curves in Al2O3/InP interfaces
   Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1087-1090
7. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness on Al2O3/Ge MOS Interface Properties
   Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1533-1536
8. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO2
   J. Electrochem. Soc., 158 (8) (2011) G178-G184
9. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
   Suppression of Interface State Generation in Si MOSFETs with Biaxially-Tensile Strain
   IEEE Electron Device Lett., 32, no. 8, (2011) pp. 1005-1007
10. M. Yokoyama, R. Iida, S.-H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Sub-10-nm extremely-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs on Si wafers with ultrathin Al2O3 buried oxide layers
    IEEE Electron Device Lett., 32, no. 9, (2011) pp. 1218 – 1220
11. N. Taoka, K. Ikeda, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota and S. Takagi
    Accurate evaluation of Ge metal—insulator—semiconductor interface properties
    J. Appl. Phys., vol. 110, no. 6, 064506 (2011)
12. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    High performance Extremely-thin Body In0.7Ga0.3As-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D
    Appl. Phys. Exp., vol. 4, No. 11, 114201 (2011)
13. J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
    Appl. Phys. Lett., vol. 99, 142108 (2011)
14. R. Iida, S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, S.-H. Lee, M. Takenaka and S. Takagi
    Planar-type In0.53Ga0.47As channel band-to-band tunneling Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
    J. Appl. Phys., vol. 110, 124505 (2011)
15. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Electron Mobility Enhancement of Extremely Thin Body In0.7Ga0.3As-on-Insulator Metal–Oxide– Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates by Metal–Oxide–Semiconductor Interface Buffer Layers
    Appl. Phys. Exp. 5, 014201 (2012)
16. M. Takenaka and S. Takagi
    Strain Engineering of SiGe Optical Modulators
    IEEE J. Quantum Electronics, vol. 48, no. 1 (2012) pp. 8-16
17. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Effect of Sample Thickness on SiO2/Si Interface Roughness Characterization through Transmission Electron Microscope Measurements in Strained-Si MOSFETs
    J. Electrochem. Soc., vol. 159 H57 (2012)
18. S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    In0.53Ga0.47As Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors with a self-aligned metal Source/Drain using Co-InGaAs alloy
    Appl. Phys. Lett.　100, 073504 (2012)
19. R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T. Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    1 nm capacitance equivalent thickness HfO2/Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitance with low interface trap density and low gate leakage current density
    Appl. Phys. Lett., 100, 132906 (2012)
20. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    High Mobility Ge pMOSFET with 1 nm Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation
    IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no. 2, (2012) pp. 335-341
21. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    Dark current reduction of Ge photodetector by GeO2 surface passivation and gas-phase doping
    Optics Express Letters, vol. 20, no. 8, pp. 8718-8725, 2012.

査読のある国際学会での受諾論文

1. S. Takagi and M. Takenaka
   Advanced CMOS Technologies using III-V/Ge Channels (invited)
   11th International Symposium on VLSI Technology, Sysmtem and Applications (VLSI-TSA), Hsinchu, Taiwan (2011), p. 20-21
2. M. Takenaka and S. Takagi
   III-V CMOS technologies on Si platform (invited)
   MRS spring meeting (2011)
3. S. Takagi and M. Takenaka
   Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform (invited)
   219th Electrochemical Society Meeting, Symposium E3: International Symposium on Graphene, Ge/III-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-CMOS Applications –3, Montreal, Canada, 1-6 May 2011, ECS Trans. 35(3) (2011) pp. 279-298
4. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee,R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Self-aligned metal S/D InP MOSFETs using metallic Ni-InP alloy
   23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)
5. Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Iida, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   ALD Al2O3 Activated Direct Wafer Bonding for III-V CMOS Photonics Platform
   23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)
6. M. Takenaka and S. Takagi
   III-V on Silicon for High-Speed Electronics and CMOS Photonics (invited)
   23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)
7. S. Takagi and M. Takenaka
   High Mobility Material Channel CMOS Technologies based on Heterogeneous Integration (Keynote Speech)
   11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011), June 9 - 10, 2011, Kyoto University (Uji Campus), Kyoto, Japan, pp. 1-6
8. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
   High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
   VLSI symp. (2011) p. 56-57
9. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   High performance Extremely-thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering
   VLSI symp. (2011) p. 58-59
10. M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Maeda, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding
    VLSI symp. (2011) p. 60-61
11. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties
    17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors", 21-24 June 2011 Grenoble - France
12. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Quantitative Analysis of Conductance Curves in Al2O3/InP Interfaces
    17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors", 21-24 June 2011 Grenoble – France
13. J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
    37th Device Research Conference (DRC) (2011) p. 235-236
14. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    Ultralow-dark-current Ge photodetector with GeO2 passivation and gas-phase doped junction
    International Conference on Group IV Photonics (GFP’11), WB-5, London, September 2011, pp. 36-38
15. S. Takagi
    Channel Engineering for Advanced CMOS Devices
    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Short Course, Noyori Conference Hall, Nagoya University, Nagoya, Japan, September 27, 2011, pp. 65-78
16. T. Hoshii, S. H. Lee, R. Suzuk, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, W. Jevasuwan, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    Effects of Nitrided-InGaAs Interfacial Layers formed by ECR nitrogen plasma on Al2O3/InGaAs MOS Properties
    SSDM (2011) E-8-4, p. 943-944
17. R. Suzuki, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, N. Taoka, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Effect of sulfur treatment on HfO2/InGaAs MOS interfaces properties
    SSDM (2011) E-8-3, p. 941-942
18. R. Iida, S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, S. H. Lee, M. Takenaka and S. Takagi
    Device characteristics of planar-type In0.53Ga0.47As channel band-to-band tunneling MOSFETs
    SSDM (2011) D-4-1, p. 843-844
19. S. Takagi
    (III-V/Ge)-On-Insulator CMOS Technology
    37th IEEE International SOI Conference, Tempe Mission Palms Hotel and Conference Center, Tempe, Arizona, USA, 3 - 6 October, 2011
20. S. Takagi, R. Zhang, T. Hoshii and M. Takenaka
    MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs
    Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics 9, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, Massachusetts, on October 10-14, 2011, ECS Trans. 41(3) (2011) pp. 3-20
21. S. Takagi, M. Yokoyama, Y.-H. Kim and M. Takenaka
    Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS
    Symposium on ULSI Process Integration 7, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, Massachusetts, on October 10-14, 2011, ECS Trans. 41(7) (2011) pp. 203-218
22. S. Takagi
    High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era (plenary talk)
    IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC), The Shilla Jeju, Korea, 21 October (2011) pp. 281-290
23. S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, N. Taoka and M. Takenaka
    Ultra-thin body III-V-On-Insulator MOSFETs on Si platform
    15th International Conference on Thin Films (ICTF), Kyoto, Japan, 8-11, November (2011), O-S2-02, pp. 40
24. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
    GeO2 surface passivation and gas phase doping for reducing dark current of Ge photodetector
    1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC’11), P-8, Tokyo, November 2011
25. Y. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
    Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator by Ge Condensation and Regrowth Technique and Waveguide for Optical Modulator
    1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC’11), P-10, Tokyo, November 2011
26. Y. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator Waveguide for Optical Modulator
    accepted in 2011 IEEE Photonics Conference (IPC), (2011), pp. 465-466
27. R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Improvement of HfO2/InGaAs Interfaces by ALD Temperature Control
    SISC (2011) P. 25
28. N.Taoka, M.Yokoyama, S.H.Kim, R. Suzuki, R. Iida, S. Lee, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka, and S.Takagi
    Influence of Interface Traps inside Conduction Band on C-V Characteristics of InGaAs MOS Capacitors
    SISC (2011) 6. 2
29. M. Yokoyama, R. Suzuki, N. Taoka, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Surface cleaning effect on III-V oxide for InGaAs (100), (111)A, and (111)B surfaces and their Al2O3 MOS interfaces by using (NH4)2Sx solution
    SISC (2011) P. 22
30. S. Takagi, R. Zhang, N. Taoka and M. Takenaka
    MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance (invited)
    SISC (2011) 5. 1
31. S. Takagi
    High Mobility Materials: III-V/Ge FETs
    IEDM short course,VLSI Technology Beyond 14nm Node 2011
32. N.Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, R. Iida, S. Lee, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of Fermi Level Pinning inside Conduction Band on Electron Mobility of InxGa1-xAs MOSFETs and Mobility Enhancement by Pinning Modulation
    IEDM (2011) p. 610-614
33. S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R.Nakane, T. Yasuda, M. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering
    IEDM (2011) p. 311-314
34. R. Zhang, N. Taoka, P. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
    1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation
    IEDM (2011) p. 642-644
35. S. Takagi and M. Takenaka
    Non-Si Channel MOS Device Technologies in Nano-CMOS era
    2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS’11), University of Tsukuba, December 15-17 (2011) p. 13
36. S. Takagi and M. Takenaka
    High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform
    13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012), Grenoble, France, 5-7th of March, 2012

国内学会・研究会

1. 横山正史、金相賢、張睿、田岡紀之、卜部友二、前田辰郎、高木秀樹、安田哲二、山田永、市川磨、福原昇、秦雅彦、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一
   基板貼り合わせ法による自己整合型InGaAs nMOSFET/Ge pMOSFET集積化CMOSの実現
   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会, 「VLSIシンポジウム特集 （先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 2011年 7月 21日, 産業技術総合研究所　臨海副都心センター
2. 張睿　岩崎敬志　田岡紀之　竹中充　高木信一
   プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET
   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会, 「VLSIシンポジウム特集 （先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 2011年 7月 21日, 産業技術総合研究所　臨海副都心センター
3. 高木信一,　竹中充
   Non-Si材料チャネルMOSトランジスタの研究開発動向
   日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会, 2011年7月28日（木）慶応大学、日吉キャンパス, p. 1-9
4. 横山正史, 金相賢, 張睿, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二, 山田永, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
   基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化
   第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
5. Junkyo Suh, Ryosho Nakane, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
   Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
   第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
6. 鈴木麗菜, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
   ALD Al2O3界面層を用いたHfO2/InGaAs MOS界面特性の改善
   第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
7. Rui Zhang, Noriyuki Taoka, Takashi Iwasaki, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
   High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
   第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
8. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充，高木信一
   メタルS/D構造及びMOS interface buffer層の導入によるETB InGaAs-OI MOSFETの高性能化
   第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
9. 金栄現, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
   光変調器応用に向けた高Ge組成SiGe-on-Insulator導波路の製作
   第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
10. 田岡紀之, 鈴木麗菜, 横山正史, 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    Al/ALD-Al2O3/InGaAs MOS構造における蓄積容量の解析
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
11. SangHoon Shin，N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Effect of Positive Fixed Charges at MOS interfaces on Surface Potential Fluctuation Determined by Conductance Method
    第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年9月.
12. 田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOSキャパシタにおける伝導帯内界面準位のC-V特性への影響
    ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第16回研究会）, 2012年, 東レ総合研修センター, pp. 17-20
13. シン・サンフン, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    Si MOSキャパシタのコンダクタンス測定における表面ポテンシャル揺らぎの実験的評価
    ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第16回研究会）, 2012年, 東レ総合研修センター, pp. 145-148
14. 高木信一
    異種材料（Si/Ge/化合物半導体）集積化技術
    Electronic Journal 第984回 Technical Seminar, 2012年1月30日、総評会館、東京
15. 竹中充, 高木 信一
    光配線LSI実現に向けたGeナノ光電子集積回路の開発
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
16. 金相賢，横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充，高木信一
    二軸引っ張りひずみによるInGaAs MOSFETの移動度向上とそのメカニズム
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
17. 金相賢，横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二,市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充，高木信一
    MOS interface buffer層の導入、チャネルIn組成変調による極薄膜 InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化とそのメカニズム
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
18. Rui Zhang, Noriyuki Taoka, Po-Chin Huang, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with ~ 1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
19. 鈴木麗菜, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    極薄膜Al2O3 界面層を挿入したHfO2/InGaAs MOS構造のCET薄膜化
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
20. 田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
21. 田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOS界面における伝導帯内界面準位の物理的起源
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
22. 横山正史, 金相賢, 張睿, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二,山田永, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    次世代高性能CMOS 実現に向けた高移動度III-V/Ge チャネルMOSFET の集積化
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.
23. 横山正史, 鈴木麗菜, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    硫化アンモニウム溶液で表面処理したInGaAs(100), (111)A, (111)B のMOS界面特性
    第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月.

2010年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   III-V-on-insulator structures with a buried Al2O3 layer and S passivation: reduction of carrier scattering at the bottom interface
   Appl. Phys. Lett. 96, 142106 (2010) 7 April
2. O. Weber, M. Takenaka and S. Takagi
   Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
   Jpn. J. Appl. Phys., vol. 49 (2010) 074101
3. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka, and S. Takagi
   A Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness for Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs
   IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 57, No. 9, pp. 2057-2066 (2010)
4. K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
   High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping
   IEEE Electron Device Letters, Vol. 31, No. 10, pp. 1092-1094 (2010)
5. T. Hoshii, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
   Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 132102
6. Y. Kondo, M. Deura, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakono, M. Sugiyama
   Dependence of initial nucleation on growth conditions of InAs on Si by micro-channel selective-area Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy
   Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 125601
7. Y. Urabe, M. Yokoyama, H. Takagi, T. Yasuda, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
   Front-Gate InGaAs-On-Insulator Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
   Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 253502
8. M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   Metal-organic vapor phase epitaxy based gas phase doping of arsenic into (100), (110), and (111) Ge
   Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, No. 1 (2011) 010105
9. Y. Nakakita, R. Nakakne, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
   Interface-Controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers
   Jpn. J. Appl. Phys. , vol. 50, No. 1 (2011) 010109
10. S. Takagi and M. Takenaka
    Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
    Jpn. J. Appl. Phys. , vol. 50, No. 1 (2011) 010110
11. S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
    Appl. Phys. Exp., vol. 4, No. 2 (2011) 024201
12. S. Dissanayake, Y. Zhao, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Channel direction, Effective Field and Temperature Dependencies of Hole Mobility in (110)-oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    J. Appl. Phys., vol. 109, No. 3, (2011) 033709

査読のある国際学会での受諾論文

1. Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Ishii, T. Itatani, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi
   Origins for Electron Mobility Improvement in InGaAs MISFETs with (NH4)2S Treatment
   2010 MRS spring meeting, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1252,.
2. S. Takagi
   Nano CMOS
   invited talk, 2010 International Reliability Physics Symposium Reliability Year-in-Review, May 2-6, 2010, Anaheim, CA
3. T. Maeda, S. Talagi, T. Yasuda, N. Miyata, H. Talagi, H. Ishii, T. Itatani, Y. Urabe
   Compatible passivation technology for the integration both of III-V and Ge MOSFETs
   The 4th International Workshop on High k Dielectrics on High Mobility Channel Materials (National Tsing Hua University, Hsinchu,Taiwan, May 15-17, 2010), p.21.
4. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, Y. Urabe, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   III-V-semiconductor-on-insulator MISFETs on Si with buried SiO2 and Al2O3 layers by direct wafer bonding
   IPRM 2010, pp. 500-503
5. Y. Kondo, M. Deura, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakono, M. Sugiyama
   Highly lateral growth of InGaAs on Si(111) with reduced size of selective growth window
   submitted to 15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XV), May 23-28, 2010 • Hyatt Regency, Lake Tahoe
6. S. Takagi and M. Takenaka
   High Mobility CMOS Technologies using Ge-based Channels (invited)
   5th international SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), Stockholm, Sweden, May 24-26, 2010,
7. N. Miyata, H. Ishii, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Origin of Electron Mobility Enhancement in (111)-Oriented InGaAs channel MISFETs
   E-MRS 2010, H: Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials
8. T. Hoshii, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
   Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
   E-MRS 2010, H: Post-Si CMOS electronic devices: the role of Ge and III-V materials
9. S. Takagi and M. Takenaka
   High Mobility Ge-based CMOS Device Technologies
   International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo Institute of Technology (Titech), Tokyo, Japan, June 3-5, pp. 3
10. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    Evidence of Correlation between Surface Roughness and Interface States Generation in Unstrained and Strained-Si MOSFETs
    VLSI symposium (2010), 7.5., pp. 77-78
11. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS technologies on Si platform (invited)
    VLSI symposium (2010), 14. 1, pp. 147-148
12. M. Yokoyama, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    High Mobility III-V-On-Insulator MOSFETs on Si with ALD-Al2O3 BOX layers
    VLSI symposium (2010), 22. 3, pp. 235-236
13. S. Takagi and M. Takenaka
    III-V/Ge CMOS technologies and heterogeneous integrations on Si platform (invited)
    2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010), June 30 - July 2, 2010, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, IEICE Tehcnial Reports, ED2010-78, SDM2010-79, p. 119-124
14. M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Shimogaki, Y. Nakano and M. Sugiyama
    High-temperature phosphorous passivation of Si surface for improved heteroepitaxial growth of InAs as an initial step of III-As MOVPE on Si
    SSDM 2010, K-5-6, (2010) p. 1287-1288
15. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO2
    SSDM 2010, B-2-3, (2010) p. 33-34
16. Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, M. Hata, N. Taoka, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Contributions of Interface-Trap and Minority-Carrier Responses to C-V characteristics of Al2O3/InGaAs Capacitors
    SSDM 2010, C-1-1, (2010) p. 37-38
17. S. Lee, R. Iida, S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Ishii, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
    InGaAs and InGaAs-On-Insulator n-Channel MOSFETsFabricated by Self-Align Gate First Process with Ni/Al2O3 Gate Stacks
    SSDM 2010, P-3-7, (2010) p. 267-268
18. S. Takagi
    Effects of InGaAs Surface Nitridation on InGaAs MOS Interface Properties
    International Symposium on Advanced Gate Stack Technology (ISAGST 2010), 9. 29 – 10. 1, 2010, Troy, New York,
19. S. Takagi, M. Yokoyama, H. Takagi, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Yamada and M. Hata and M. Takenaka
    III-V-On-Insulator MOSFETs on Si Substrates fabricated by direct bonding technique (invited)
    218th Electrochemical Society Meeting, Wafer bonding Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 4 (2010) p. 359-370
20. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, and S. Takagi
    High quality thin body III-V-on-insulator channel layer transfer on Si using direct wafer bonding
    218th Electrochemical Society Meeting, Wafer bonding Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 4 (2010) p. 391-401
21. S. Takagi, K. Tomiyama, S. Dissanayake and M. Takenaka
    Critical Factors for Enhancement of Compressive Strain in SGOI Layers Fabricated by Ge Condensation Technique
    218th Electrochemical Society Meeting, 2010 SiGe, Ge, and Related Compounds; Processing, and Devices Symposium, Las Vegas, Nevada, USA October 10-15, 2010; ECS Trans. vol.33, no. 6 (2010) p. 501-509
22. S. Takagi and M. Takenaka
    Advanced Non-Si Channel CMOS Technologies on Si Platform
    2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), Shanghai, China, November 4, 2010
23. S. Takagi
    Prospective and Critical Issues of Ge-based CMOS Devices
    The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 (シリコン材料の科学と技術フォーラム2010), Okayama, Japan, November 15, 2010
24. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, R. Suzuki, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    ALD Temperature Dependence of Interface Trap Properties at ALD-Al2O3/InP Interfaces
    SISC (2010) P. 16
25. N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, T. Maeda, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Correlation between channel mobility and arsenic oxide in Al2O3/InGaAs n-MISFETs fabricated on (111)A and (100) surfaces
    SISC (2010) 5.2.
26. R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Thin EOT and Low Dit Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated By Novel Post-Oxidation Method
    SISC (2010), 6.3.
27. M. Yokoyama, R. Iida, S. H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Extremely-thin-body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si fabricated by direct wafer bonding
    IEDM (2010) p. 46-49
28. S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R. Iida, S. Lee, R.Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka and S.Takagi
    Self-aligned metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs using Ni-InGaAs alloy
    IEDM (2010) p. 596-599
29. Y. Urabe, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, T. Maeda, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Correlation between Channel Mobility Improvements and Negative Vth Shifts in III-V MISFETs: Dipole Fluctuation as New Scattering Mechanism
    IEDM (2010) p. 142-145
30. T. Hoshii, R. Suzuki, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    ALD-Al2O3/InGaAs MOS Structures with Interfacial Control Layers Formed by Nitridation of InGaAs Surfaces
    2011 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF-11), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, January 20-21 (2011) p. 147-148
31. N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
    Impacts of (NH4)2S treatment and ALD temperature on ALD-Al2O3/InP Interface Properties
    2011 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF-11), Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan, January 20-21 (2011) p. 149-150
32. S. Takagi
    Channel/Stress Engineering for Advanced CMOS Devices: Performance Booster
    (Tutorial 1) Advanced CMOS Device Technologies (1), 16th Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC 2011), Jan. 25, 2011, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, p. 49-87

国内学会・研究会

1. 高木信一
   Si基板上のNon-SiチャネルCMOSの展望
   Selete Symposium 2010, 2010年5月11日（火）, つくば国際会議場
2. 高木信一
   CMOSプラットフォーム上の高移動度チャネルMOSトランジスタ技術
   TRC第７回半導体デバイス分析セミナー, 東京コンファレンスセンター品川, 2010年5月21日（金）
3. 高木信一
   高性能先端CMOSデバイス技術の方向性
   SFJ(セミフォーラムジャパン）2010, プロセスインテグレーションセミナー(1)－新構造・新材料によるCMOS ULSI、プロセスの未来－,グランキューブ大阪, 2010年6月1日
4. 高木信一
   Siプラットフォーム上の高移動度チャネルCMOS技術
   第4回 九州大学稲盛フロンティア研究講演会, 2010年6月11日, 九州大学伊都キャンパス稲盛ホール
5. 安田哲二, 宮田典幸,卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 大竹晃浩,星井拓也, 横山正史, 竹中充, 高木信一
   High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係
   シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（東京大学生産技術研究所, 2010年6月22日） 電子情報通信学会技術研究報告 110巻90 号 p. 49-54.
6. 高木信一
   Siプラットフォーム上のNon-SiチャネルMOSトランジスタ技術
   日経エレクトロニクス半導体技術戦略セミナー「独走する半導体メジャー3社、2兆円投資を支える技術戦略を語る〜Intel, Samsung, TSMCの技術ロードマップから、新材料デバイスまで〜」, 2010年6月29日（火）, 東京コンファレンスセンター品川, pp. 41-49
7. 高木信一, 竹中充
   Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSテクノロジー
   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第127回研究集会「VLSIシンポジウム特集（先端 CMOSデバイス・プロセス技術）」, 2010年7月22日(木), 産業技術総合研究所臨海副都心センター別館
8. 高木信一
   異種材料（Si/Ge/化合物半導体）集積化技術
   Electronic Journal 第614回 Technical Seminar, 2010年11月18日、総評会館、東京
9. 高木信一
   Siプラットフォーム上のNon-SiチャネルCMOSデバイス技術
   SEMIテクノロジーシンポジウム(STS) 2010 特別セッション 社会インフラを支えるエコロジー・化合物デバイス, 2010年12月1日、幕張メッセ国際会議場2F 201会議室
10. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレイン InxGa1-xAs MOSFETs
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第131回研究集会, 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会1月研究会, 「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 2011年1月31日, 機械振興会館, p. 5-8
11. 高木信一
    高移動度チャネルCMOSの現状と課題
    日本学術振興会 薄膜第131委員会/半導体界面制御技術第154委員会・合同研究会, 2011年2月2日, キャンパスイノベーションセンター(CIC)東京, p. 11-19
12. 高木信一, 金相賢, 竹中充
    III-V MOSFETのためのメタルS/D接合技術
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第135回研究集会, 接合技術研究会「先端CMOSデバイスに応えるドーパント制御・接合形成・評価技術」, 2010年3月7日, キャンパス・イノベーションセンター東京, p. 16-20
13. 近藤佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    成長領域狭窄化選択MOVPE によるSi 上InGaAs の高横/縦比成長
    化学工学会第42回秋季大会, 2010-年9月, 京都大学
14. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 霜垣幸浩, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPE を用いたSi 上InGaAs の形状均一化に向けたSi 表面状態とInAs 成長の関係
    化学工学会第42回秋季大会, 2010-年9月, 京都大学
15. 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木 信一
    高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術
    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE), 2010年8月26日(木)- 8月27日(金), 千歳アルカディアプラザ
16. 田岡紀之, 横山正史,金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD-Al2O3/InP界面における遅い準位特性のALD温度依存性
    ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第16回研究会）, 2011年, 東工大, pp. 15
17. 竹中充，横山正史，杉山正和，中野義昭，高木信一
    III-V CMOS photonicsプラットフォーム実現に向けたグレーティングカプラの作製
    2010年秋季応用物理学会
18. Sanjeewa Dissanayake, Yi Zhao, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
    Channel Direction Dependence of Hole Mobility in (110)-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    2010年秋季応用物理学会
19. 李成薫, 飯田亮, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 安田哲二, 板谷太郎, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    自己整合プロセス用いたInGaAs MOSFETの電気特性と活性化アニール温度依存性
    2010年秋季応用物理学会
20. 金相賢，横山正史、田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌、卜部友二, 宮田典幸, 石井裕之, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充， 高木信一
    メタルS/D構造を用いた自己整合型InP MOSFETの作製
    2010年秋季応用物理学会
21. 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    結晶品質を改善したInGaAsエピ層上MISFETのチャネル移動度特性
    2010年秋季応用物理学会
22. 安田哲二，卜部友二, 宮田典幸， 山田永， 秦雅彦， 竹中充， 高木信一
    ALD-Al2O3/InGaAs界面形成過程のIn-Line AES評価
    2010年秋季応用物理学会
23. 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    自己整合プロセスを用いたフロントゲート型InGaAs-On-Insulator MOSFET
    2010年秋季応用物理学会
24. 横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    Al2O3 埋め込み酸化膜とS 処理によるIII-V-OI MOSFET の電子移動度に対するチャネル膜厚依存性の改善
    2010年秋季応用物理学会
25. Rui Zhang，Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
    A Plasma Assisted Top-to-Bottom Assembly of Ge/GeOx/Al2O3 Gate Stack with Superior Electrical Properties
    2010年秋季応用物理学会
26. Rui Zhang, Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    Suppression of ALD-Induced Degradation on ultra thin GeO2 using Low Power Plasma Nitridation
    2010年秋季応用物理学会
27. 高木信一
    イントロダクトリートーク
    シンポジウム「シリコンテクノロジーの未来像を徹底的に考える -Never Ending Silicon Technology-」
    2010年秋季応用物理学会
28. 近藤 佳幸, 出浦桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPEにおけるSi(111)選択成長領域のInAsによる完全被覆 とInGaAs横方向成長への影響
    2010年秋季応用物理学会
29. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPEを用いたSi上InAs成長の基板表面処理条件依存性
    2010年秋季応用物理学会
30. 竹中充，森井清仁，杉山正和，中野義昭，高木信一
    気相ドーピング法を用いたGe フォトディテクターの暗電流低減
    2011年春季応用物理学会
31. 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    InP MISFETの特性: 面方位と(NH4)2S処理の効果
    2011年春季応用物理学会
32. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InGaAs MOSFETにおけるメタルS/D材料としてのNi-InGaAsの評価
    2011年春季応用物理学会
33. 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    メタルS/D構造を用いた自己整合型InxGa1-xAs MOSFETの作製
    2011年春季応用物理学会
34. 横山正史, 飯田亮, 金相賢, 田岡紀之, 卜部友二, 安田哲二, 高木秀樹, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    薄膜BOX層を有するサブ10nm極薄膜InGaAs-OI MOSFET
    2011年春季応用物理学会
35. Rui Zhang, Takashi Iwasaki, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
    Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties
    2011年春季応用物理学会
36. 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    プレーナ型InGaAsチャネル Tunneling Field Effect Transistor
    2011年春季応用物理学会
37. ジェバスワン ウィパコーン, 卜部友二, 前田辰郎, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    Impact of Al(CH3)3 dosage in initial cycles of Al2O3 ALD on MIS properties of InGaAs
    2011年春季応用物理学会
38. 李成薫, 飯田亮, 金相賢, 星井拓也, 田岡紀之, 横山正史, ジェバスワン・ウィパコーン, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦,竹中充，高木信一
    窒素プラズマを用いたAl2O3/InGaAs MOS構造の価電子帯近傍界面特性の改善
    2011年春季応用物理学会
39. 安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InP/InGaAs埋め込みチャネル構造によるMISFET移動度改善
    2011年春季応用物理学会
40. 一宮佑希, 横山正史, 飯田亮, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    ALD Al2O3を用いたIII-V CMOS Photonics用貼り合わせ基板の特性改善
    2011年春季応用物理学会
41. 田岡紀之, 横山正史,金相賢, 鈴木麗菜, 星井拓也, 飯田亮, 李成薫, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD-Al2O3/InP界面におけるコンダクタンスカーブの定量解析
    2011年春季応用物理学会
42. 黒田浩一, Sanjeewa Dissanayake, Junkyo Suh, Younghyun Kim, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一
    Geフォトディテクタ応用に向けた酸化濃縮Ge-On-Insulatorの特性改善
    2011年春季応用物理学会

2009年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka and S. Takagi
   Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation
   Jpn. J. Appl. Phys. vol. 48, no. 4, 04C093 (2009)
2. K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takagi
   Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
   Jpn. J. Appl. Phys.,vol. 48, no. 4, 04C050 (2009)
3. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
   Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially-Strained Si MOSFETs
   IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 5, May, pp. 1152-1156 (2009)
4. T. Irisawa, K. Okano, T. Horiuchi, H. Itokawa, I. Mizushima, K. Usuda, T. Tezuka, N. Sugiyama and S. Takagi
   Electron Mobility and Short Channel Device Characteristics of SOI FinFETs with Uniaxially Strained (110) Channels
   IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 8, August, pp. 1651-1658 (2009)
5. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
   On Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Biaxially-tensile Strained Si MOSFETs
   IEEE Electron Device Letters, Vol. 30, No. 9, pp. 987-989 (2009)
6. T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
   Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge metal-oxide–semiconductor Structures Fabricated by Thermal Oxidation
   J. Appl. Phys., vol. 106 (2009) 073716
7. M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   InGaAsP Photonic Wire Based Ultrasmall Arrayed Waveguide Grating Multiplexer on Si Wafer
   Applied Physics Express, vol. 2 (2009) 122201, November 27
8. H. Ishii, N. Miyata, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
   High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-oriented InGaAs Channels
   Appl. Phys. Express 2 (2009) 121101, November 27
9. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
   Thin Body III-V-Semiconductor-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding
   Appl. Phys. Express 2 (2009) 124501, December 11
10. T. Haimoto, T. Hoshii, S. Nakagawa, M. Takenaka and S. Takagi
    Fabrication and characterization of MIS structures by direct nitridation of InP surfaces
    Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 012107, 7 January
11. S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    High Performance Ultrathin (110)-Oriented Ge-On-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    Appl. Phys. Exp. Vol. 3 (2010) 041302
12. M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama
    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Journal of Crystal Growth, vol. 312 (2010) pp. 1353–1358
13. Y. Kondo, M. Deura, Y. Terada, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Initial growth of InAs on P-terminated Si(111) surfaces to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
    Journal of Crystal Growth, vol. 312 (2010) pp. 1348–1352

査読のある国際学会での受諾論文

1. M. Takenaka, K. Takeda, T. Hoshii, T. Tanemura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
   Source/drain formation by using epitaxial regrowth of n+InP for III-V nMOSFETs
   21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Newport Beach, CA, USA, 10 - 14 May 2009, pp. 111-114
2. M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi and Y. Nakano
   Uniform InGaAs Micro-Discs on Si by Micro-Channel Selective-Area MOVPE
   21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Newport Beach, CA, USA, 10 - 14 May 2009, pp. 48-51
3. S. Takagi
   III-V semiconductor channel MOS Device technologies on Si CMOS platform (invited)
   35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Cirsuits in Europe (WOCSDICE), May 17-20, 2009, Malaga, Spain
4. S. Takagi, N. Taoka and M. Takenaka
   Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (invited)
   10th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Alternate Emerging Dielectrics, 215 th Meeting of The Electrochemical Society, San Francisco, USA, May 24-29, 2009, ECS Trans. vol. 19, no. 2, pp. 67-85 (2009)
5. S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda and M. Takenaka
   Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (invited)
   1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215 th Meeting of The Electrochemical Society, San Francisco, USA, May 24-29, 2009, ECS Trans. vol. 19, no. 5, pp. 9-20 (2009)
6. M. Takenaka, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   Gas phase doping of arsenic into germanium by using MOVPE system for source/drain formation of high performance Ge nMOSFETs
   submitted to Symposium I: Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, E-MRS 2009, Strasbourg (France), June 8-12, 2009
7. M. Yokoyama, M. Takenaka, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
   Demonstration of metal S/D III-V-OI MOSFETs on a Si substrate using direct wafer bonding
   VLSI symposium (2009) pp. 242-243
8. Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
   Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness
   VLSI symposium (2009) pp. 18-19
9. S. H. Kim, S. Nakagawa, T. Haimoto, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
   Metal Source/Drain Inversion-mode InP MOSFETs
   67th Device Research Conference (DRC), (2009), pp. 115-116, June 22 – 24, The Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA
10. M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, and M. Sugiyama
    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step micro-channel selective-area MOVPE
    14th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, 2009.8.12
11. Y. Kondo, M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama
    Initial growth of InAs on P-terminated Si(111) surface to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
    14th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, 2009.8.12
12. S. Takagi
    Ge/III-V Channel CMOS Technologies on Si platform (invited)
    First Korea-Japan Nano Forum, NANO KOREA 2009, August 28th (Fri), 2009
13. S. Takagi
    High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI’s (invited)
    2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), September 13-16 (2009), San Jose, California, pp. 153-160
14. S. Takagi
    High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)
    1st International Workshop on Si based nano-electronics and –photonics (SiNEP-09), 20-23 September 2009, Vigo, Spain, pp. 19-20 (2009)
15. M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    In situ monitoring of the initial nucleation for the formation of uniform InGaAs micro-discs on Si
    CVD-XVII & EUROCVD-17, Vienna, October 4-9 (2009), ECS Trans. 25 (8), pp. 521- (2009)
16. S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    SSDM (2009), p.14-15
17. S. Takagi
    New channel material MOSFETs on Si platform
    G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World’s Leading Scientists, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan, p. 30-31 (2009)
18. T. Yasuda, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, M. Yokoyama, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Relationship between Interface Structures and Electrical Properties in the High-k/III-V System (invited)
    2009 Material Research Society Fall Meeting, Symposium A: High-k Dielectrics on Semiconductors with High Carrier Mobility
19. T. Yasuda, H. Ishii, Y. Urabe, T. Itatani, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Susceptibility of InGaAs MISFETs to Thermal Processes in the Device Fabrication
    SISC (2009) P14
20. T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of plasma nitridation of thermally-grown GeO2/Ge MIS structures on the GeO2 film and interface properties
    SISC (2009) P30
21. T. Hoshii,, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
    SISC (2009) 5.3.
22. K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
    High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping
    IEDM (2009) p. 681-684
23. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, Y. Urabe, H. Ishii, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
    Novel Low Damage and Low Temperature Direct Wafer Bonding Processes Using Buried Oxide Protection Layers for Fabricating III-V-On-Insulator on Si Structures
    2nd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (2010) pp. 387 – 398
24. S. Takagi and M. Takenaka
    High Mobility Ge CMOS Technologies (invited)
    5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Jan. 29(Fri.)-30(Sat.), 2010, Tohoku University, Sendai, Japan, p. 79-80
25. M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
    Ultrasmall Arrayed Waveguide Grating Multiplexer using InP-based Photonic Wire Waveguide on Si wafer for III-V CMOS photonics
    2010 Optical Fiber Communication Conference (OFC), OThS5, San Diego, CA, USA, March 2010

国内学会・研究会

1. 田岡紀之, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 高木信一
   GeMIS界面欠陥の電気的性質 （ハイライト講演）
   シリコンテクノロジー分科会第113回研究集会, pp. 20-25, 2009年6月19日, (電子情報通信学会シリコン材料・デバイス（SDM）研究会, ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術, SDM2009-30, 信学技報vol., No. , p. 21-26), 東京大学駒場リサーチキャンパス
2. 高木信一
   CMOSプラットフォーム上のIII-V MOSトランジスタ技術
   電子材料シンポジウム (EMS28), 2009年7月8-10日, ラフォーレ琵琶湖
3. M. Deura Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
   Improvement in uniformity of InGaAs micro-discs on Si using multi-step growth in micro-channel selective-area MOVPE
   電子材料シンポジウム (EMS28), 2009年7月8-10日, ラフォーレ琵琶湖
4. Y. Terada, M. Deura, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
   Suppression of GaAs(001) surface oxidation by in situ H2S treatment and aluminum termination with MOVPE
   電子材料シンポジウム (EMS28), 2009年7月8-10日, ラフォーレ琵琶湖
5. 趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
   高精度ＴＥＭと新しいデータ分析方法によるＭＯＳ界面ラフネス移動度の定量評価及び引張り歪からの影響
   第73回半導体・集積回路技術シンポジウム, 2009年7月9-10日, 東京農工大学
6. 横山正史、安田哲二、高木秀樹、山田永、福原昇、秦雅彦、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一
   基板貼り合わせを用いたSi基板上メタルS/D III-V-On-Insulator MOSFETの作製とその動作実証
   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第115回研究集会, 2009年7月21日, 東京大学武田ホール
7. 高木信一
   Siプラットフォーム上のIII-VチャネルMOSFET技術
   日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会・ワイドギャップ半導体光デバイス第162委員会合同研究会「III-V MIS 界面評価とデバイスへの応用」, 2009/10/26, キャンパスイノベーションセンター東京, p. 36-43
8. 高木信一
   基板貼り合わせを用いたSi上III-V-On-Insulator MOS トランジスタ技術
   EVGセミナー, The effects of TSV technology for future semiconductor devices〜半導体デバイスに与えるＴＳＶ技術の影響〜, 2009 年 12 月1 日,
9. 竹中充, 森井清仁, 高木信一
   MOVPEを用いた気相ドーピングによる高品質Ge n+/p接合の形成およびGe nMOSFETへの応用
   電気学会 シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会・化合物半導体電子デバイス調査専門委員会合同委員会「高移動度化技術」, 2010年3月5日, 早稲田大学研究開発センター120-5号館
10. 高木信一, 趙毅, 竹中充, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山 晋
    Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果
    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第121回研究集会,「半導体シリコン単結晶ウェーハを特徴づける評価技術」, 2010年3月12日, 学習院大学南2号館200教室, p. 2-7
11. 森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木信一
    気相拡散により形成したソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET
    電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会, 2010年3月26日, 東工大大岡山キャンパス
12. 出浦桃子，近藤佳幸，星井拓也，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和
    微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の原子構造と光学特性解析
    化学工学会第41回秋季大会, 2009年9月16〜18日, 広島大学
13. 近藤佳幸, 出浦 桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    MOVPE 微小領域選択成長におけるSi 上InAs 核発生の成長条件依存性
    化学工学会第41回秋季大会, 2009年9月16〜18日, 広島大学
14. 竹中充、横山正史、種村拓夫、杉山正和、中野義昭、高木信一
    III-V CMOS photonics実現に向けたInP系フォトニックワイヤーの作製
    2009年秋季応用物理学会
15. 竹中充、横山正史、杉山正和、中野義昭、高木信一
    直接基板接合によるSi基板上III-V CMOSトランジスタ
    2009年秋季応用物理学会
16. 安田哲二，高木秀樹 , 横山正史, 石井裕之, 卜部友二, 山田永, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    ALD Al2O3を埋め込み層としたIII-V-On-Insulator構造の形成とバックゲートMISFET特性
    2009年秋季応用物理学会
17. 星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一
    界面窒化によるECRスパッタSiO2/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上
    2009年秋季応用物理学会
18. 中川翔太，横山正史, 山田永, 秦雅彦, 竹中充，高木信一
    InAlAs酸化界面制御層を用いたInP MOS界面特性の向上
    2009年秋季応用物理学会
19. 金相賢，中川翔太，灰本隆志，中根了昌，竹中充，高木信一
    メタルソース•ドレインを用いたInP MOSFETの作製と電気特性
    2009年秋季応用物理学会
20. 横山正史，安田哲二，山田永，福原昇，秦雅彦，杉山正和，中野義昭，竹中充，高木信一
    基板貼り合わせによるSi基板上メタルS/D III-V-OI n-MOSFETの移動度向上とp-MOSFET動作
    2009年秋季応用物理学会
21. 安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸 , 板谷太郎 , 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一
    InP/InGaAs埋め込みチャネルを持つMIS構造の界面特性
    2009年秋季応用物理学会
22. 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 秦雅彦, 竹中充,高木信一
    硫化アンモニウム溶液処理したⅢ-Ⅴ表面上のMIS界面評価
    2009年秋季応用物理学会
23. 石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 安田哲二, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    硫化アンモニウム溶液処理によるInGaAs n-MISFETの特性改善
    2009年秋季応用物理学会
24. 寺田雄紀， 出浦桃子, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    MOVPE におけるin situ AlP パッシベーションによるGaAs 表面準位抑制
    2009年秋季応用物理学会
25. 出浦桃子，近藤佳幸，竹中充，高木信一，中野義昭， 杉山正和
    微小領域選択MOVPE によるSi 上InGaAs 結晶最表部における双晶消滅層の形成と評価
    2009年秋季応用物理学会
26. 近藤佳幸，出浦桃子，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和
    微小領域選択MOVPE における表面P 終端Si からのInAs 均一核発生
    2009年秋季応用物理学会
27. S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Electrical Properties of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
    2009年秋季応用物理学会
28. Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Takagi, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, M. Yokoyama and S. Takagi
    Present Status of III-V MISFET Development at AIST
    CINT Users Conference, September 29-30, 2009, Hilton Hotel, Santa Fe, NM
29. 高木信一
    Siプラットフォーム上のIII-VチャネルMOSFET技術
    日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会・ワイドギャップ半導体光デバイス第162委員会合同研究会「III-V MIS 界面評価とデバイスへの応用」, 2009/10/26, キャンパスイノベーションセンター東京, p. 36-43
30. 高木信一
    Siプラットフォーム上のIII-V/GeチャネルMOSトランジスタ技術
    2010年春季応用物理学会
31. 寺田雄紀, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    MOVPE in situ AlP パッシベーション層の膜厚最適化によるGaAs MOS の界面準位低減
    19a-TK-4, 2010年春季応用物理学会
32. 近藤佳幸，出浦桃子，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和
    選択MOVPE によるSi 上InGaAs 成長の成長領域狭窄化による横方向成長促進
    19a-TW-8, 2010年春季応用物理学会
33. 卜部友二, 高木秀樹， 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    Si基板上に貼り合わせたInGaAsﾁｬﾈﾙを用いたMISFETの実現
    18a-B-10, 2010年春季応用物理学会
34. 石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一
    InGaAs(111)A面上への高品質MIS界面形成と高電子移動度の実現
    20a-P16-12, 2010年春季応用物理学会
35. 星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一
    ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al2O3/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上
    20a-P16-11, 2010年春季応用物理学会
36. 趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一
    高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
    18a-B-3, 2010年春季応用物理学会
37. 趙毅, 竹中充, 高木信一
    二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構
    18a-B-4, 2010年春季応用物理学会
38. 竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一
    III-V CMOS photonics技術を用いた超小型InP系AWGの作製
    17a-N-8, 2010年春季応用物理学会
39. 森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木 信一
    気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET
    18p-B-6, 2010年春季応用物理学会
40. 横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一
    極薄膜III-V-OI MOSFETにおける電子移動度の向上
    18a-B-11, 2010年春季応用物理学会
41. 富山健太郎, Dissanayake Sanjeewa, 竹中充, 高木信一
    酸化濃縮法により生成したSGOI中の圧縮ひずみと酸化前基板構造の関係
    17p-TJ-11, 2010年春季応用物理学会
42. 出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和
    微小領域選択MOVPE を用いたSi 上InGaAs 多段階成長の時間発展
    19a-TW-9, 2010年春季応用物理学会

2008年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
   Epitaxial Lateral Over Growth of InGaAs on SiO2 from (111) Si Micro Channel Areas
   Physica Status Solidi (c)., Volume 5, Issue 9, July, pp. 2733-2735 (2008)
2. H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka and S. Takagi
   Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge Metal-Oxide-Semiconductor structures fabricated by thermal oxidation
   Appl. Phys. Lett., Volume 93, Issue 3, 21 July, 032104 (2008)
3. O. Weber and S. Takagi
   Experimental Examination and Physical Understanding of the Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si N-MOSFETs
   IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 9, September, pp. 2386-2396 (2008)
4. H. Tsuchiya and S. Takagi
   Influence of Elastic and Inelastic Scatterings on Drive Current of Quasi-Ballistic MOSFETs
   IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 9, September, pp. 2397-2402 (2008)
5. S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
   (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method
   Thin Solid Films, vol. 517, Issue 1, 3 November, pp. 178-180 (2008)
6. M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
   Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
   Journal of Crystal Growth 310 (2008) 4768-4771
7. M. Deura, T. Hoshii, T. Yamamoto, Y. Ikuhara, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
   Dislocation-Free InGaAs on Si (111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
   Applied Physics Express 2, 011101 (2009)

査読のある国際学会での受諾論文

1. S. Takagi
   High Performance Nano CMOS Platform utilizing carrier transport enhancement
   4th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC4), 4/14-17/2008, Hitotsubashi Memorial Hall, Tokyo, 2008
2. S. Takagi
   Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels
   2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA), 21-23/4/2008 (22/4), Ambassador Hotel, Hsinchu, Taiwan, p. 91-92, 2008
3. M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugaharaa, S. Takagi and Y. Nakano
   Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
   14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV), 2nd - 6th june 2008, Metz, France
4. S. Takagi
   Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels
   2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Yumoto Fujiya Hotel, Hakone, JAPAN, September 9 -11, 2008, p. 9-12
5. S. Takagi
   High mobility channel MOSFET
   ESSDERC Tutorials “T1: CMOS at the bleeding edge",38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 15 September 2008, Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh - United Kingdom
6. S. Takagi
   Devices for high performance CMOS
   Workshop on Germanium and III-V MOS Technology, 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 19 September 2008, Edinburgh International Conference Centre, Edinburgh - United Kingdom
7. S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
   Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs
   SSDM (2008) p. 1060-1061
8. T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
   Improvement of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
   SSDM (2008) p. 12-13
9. K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takagi
   Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs
   SSDM (2008) p. 34-35
10. K. H. Park, K. Hirakawa and S. Takagi
    Anomalous Temperature Dependence of Electron Mobility in Si MOSFETs with p+poly-Si Gates
    IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE-NMDC) 2008, Oct. 20-22,2008, Kyoto University, Kyoto, Japan, p. 207
11. M. Takenaka, S. Tanabe, S. Dissanayake, S. Sugahara and S. Takagi
    Ge Photodetector integrated with Ge-on-Insulator MOSFET by using Oxidation Condensation Technique
    The 21st Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS’08), Newport Beach, CA, 9-13 November, 2008
12. T. Yasuda, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Impact of Cation Composition and Substrate Orientation on Electrical Properties of ALD-Al2O3/III-V Interfaces
    39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P7
13. T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
    Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
    39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) 6.4
14. T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
    Improvement of MIS Interfacial properties by direct nitridation of InP surfaces
    39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P16
15. Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
    Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs
    IEDM (2008) pp. 577-580
16. Y. Nakakita, R. Nakane, T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka and S. Takagi
    Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers
    IEDM (2008) pp. 877-880

国内学会・研究会

1. S. Takagi, O. Weber and M. Takenaka
   Combination Effects of Uniaxial and Biaxial Stress on Mobility Enhancements in Strained Si and SiGe MOSFETs
   International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, March 6-7/2008, Tokyo, p. 457-462
2. M. Takenaka, T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
   Micro Selective Area MOVPE growth of InGaAs on Si substrates for III-V-OI MOSFETs
   International Symposium on Secure-Life Electronics -Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, March 6-7/2008, Tokyo, p. 463-467
3. 高木信一
   Ge MOSFETの現状と課題
   28p-G-2, 2008年春季応用物理学会
4. 灰本隆志、竹中充、高木信一
   SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性
   30a-H-9, 2008年春季応用物理学会
5. 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
   熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性
   29p-H-12, 2008年春季応用物理学会
6. 杉山正和，出浦桃子，星井拓也，山本剛久，幾原雄一，田尻寛男，木村滋，中根了昌, 竹中 充，菅原聡，高木信一，中野義昭
   微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析
   28p-ZT-15, 2008年春季応用物理学会
7. 中川翔太，横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充，高木信一
   InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
   29p-H-19, 2008年春季応用物理学会
8. 森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
   メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定
   29a-P11-15, 2008年春季応用物理学会
9. 竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一
   高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング
   29a-P11-25, 2008年春季応用物理学会
10. 田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価
    28p-ZR-9, 2008年春季応用物理学会
11. 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
    微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成
    28p-ZT-17, 2008年春季応用物理学会
12. 笹田崇，松原寛, 竹中充，高木信一
    GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性
    29p-H-13, 2008年春季応用物理学会
13. 中北要佑，中根了昌，竹中充，高木信一
    Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製
    29a-P11-24, 2008年春季応用物理学会, 2008年春季応用物理学会
14. 出浦桃子，星井拓也，杉山正和，中根了昌，竹中充，菅原聡，高木信一，中野義昭
    微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響
    28p-ZT-16, 2008年春季応用物理学会
15. 高木信一
    チャネルエンジニアリングによる高性能CMOSデバイス技術
    VDECデザイナーズ・フォーラム2008, VDECデザイナーズフォーラム特別講演 〜デバイス技術者から回路設計者へのメッセージ〜, 2008. 6. 6., 武田ホール
16. 高木信一
    ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望
    電子情報通信学会シリコン材料・デバイス（SDM）研究会, ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術, SDM2008-42~57, 信学技報vol. 108, No. 80, p. 1-6 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」, p. 2-7）, 2008. 6. 9, 東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所
17. 高木信一
    先端CMOSのためのデバイス性能向上技術
    SEMI Forum Japan 2008, テクニカルセミナー「フロントエンドプロセスセミナー-32nmノードデバイスに向けた、最先端フロントエンドプロセス-」, 2008年6月19-20日, グランキューブ大阪（大阪国際会議場）, p. 1-26
18. M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
    Effect of Ga on growth mechanism in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si (微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の成長機構に対するGa 組成の影響)
    第27回電子材料シンポジウム, 2008年7月9日(水)〜11日(金), ラフォーレ修善寺, B-5 (2008)
19. 高木信一
    新チャネル材料を使った高電流駆動力CMOS デバイス技術
    第72回半導体集積回路技術シンポジウム, 電気化学会電子材料委員会, 2008年7月10日・11日, 東京農工大学, pp. 81-84
20. 出浦桃子，星井拓也，杉山正和，中根了昌，菅原聡，竹中充，高木信一，中野義昭
    微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成
    化学工学会第73年会, 2008年8年3月17日〜19日, 静岡大学　浜松キャンパス
21. 安田哲二，宮田典幸，石井裕之，板谷太郎，市川磨，福原昇，秦雅彦，大竹晃浩，灰本隆志，星井拓也，竹中充，高木信一
    InGaAs上へのAl2O3のALD成長による良好なMIS界面特性の実現
    2008年秋季応用物理学会
22. 土屋英昭, 王威, 高木 信一
    秋季バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング
    2008年秋季応用物理学会
23. S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
    Electrical Characteristics of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    2008年秋季応用物理学会
24. 灰本隆志、星井拓也、竹中充、高木信一
    InP表面の直接窒化によるMIS界面特性の改善
    2008年秋季応用物理学会
25. 竹中充、田辺聡、S. Dissanayake、菅原聡、高木信一
    酸化濃縮法を用いたGe PDとGe-on-Insulator MOSFETの集積化の検討
    2008年秋季応用物理学会
26. 出浦桃子，星井拓也，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和
    微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長過程
    2008年秋季応用物理学会
27. 出浦桃子，星井拓也，山本剛久，幾原雄一，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和
    微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsのGa組成と結晶構造
    2008年秋季応用物理学会
28. 朴敬花、平川一彦、高木信一
    p+ポリシリコンゲートを有するSi MOSFET中の電子移動度の温度依存性
    2008年秋季応用物理学会
29. 高木信一
    最先端CMOSデバイスにおけるひずみSi技術
    半導体計測・評価技術ネットワーク第3回ワークショップ, 2008年11月19日, つくば国際会議場
30. S. Takagi, M. T.akenaka and M. Sugiyama
    III-V族半導体チャネルMOSトランジスタ技術 (MOS Transistor Technologies using III-V Semiconductor Channels)
    SEMI Technology Symposium (STS) Session 8 Advanced Device -32nm/22nm node device and process technology-,December 5 (2008), Tokyo

2007年度

査読のある学会誌の掲載論文

1. S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara
   Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels
   Solid-State Electronics, vol. 51 (2007.02.017) (2007) 526 - 536
2. T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
   Effect of Tensile Strain on Gate Current of strained-Si n-MOSFETs
   Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2122-2126
3. T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
   Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy
   Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2117-2121
4. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
   Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge
   Microelectronic Engineering, vol. 84, Issue 9-10 (2007) pp. 2314 - 2319
5. M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
   Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
   Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 9A (2007) pp. 5930 - 5934
6. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
   Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance
   IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 1, pp. 21-39. Jan. (2008)

査読のある国際学会での受諾論文

1. S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
   (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
   5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 57-58
2. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
   Advanced CMOS technologies using high mobility channels based on column-IV materials (invited)
   5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 137-139
3. O. Weber and S. Takagi
   New Findings on Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si nFETs and its Physical Understanding
   VLSI Symp. (2007) p. 130-131
4. S. Takagi
   Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)
   Device Research Conference (DRC), 20-22/6/2007, University of Notre Dame, South Bend, IN, USA, p. 5-8
5. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
   Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)
   15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007) , June 20-23/2007, Athene, Greece, pp. 2314 - 2319
6. S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
   Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices
   presented in Second International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007), Faculty of Engineering, University of Peradeniya, Sri Lanka, 8-11/08/2007
7. S. Takagi
   Channel Engineering on Si-based CMOS Devices (invited)
   7th International Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), September 4-7, 2007, Dresden, Germany
8. H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara and M. Takenaka and S. Takagi
   Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method
   Ext. Abs. SSDM, p. 18-19 (2007)
9. T. Hoshii, M. Deura, M. Shichijo, M. Sugiyama, S. Sugahara, M.Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
   Formation of InGaAs-On-Insulator Structures by Epitaxial Lateral Over Growth from (111) Si
   Ext. Abs. SSDM, p. 132-133 (2007)
10. S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
    Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)
    4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Dallas, USA, 2007/9/25-28
11. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
    Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited)
    ULSI Process Integration Symposium, 212th Electrochemical Society, 10/7-12/2007, Washington, DC. (S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
    Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
    ECS Trans. Vol. 11, No. 6 (2007) pp. 61-74)
12. S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
    Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs
    34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 132 (2007)
13. T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano, and S. Takagi
    Control of Lateral and Vertical Selective Area Growth of InGaAs on (111) Si Substrates using MOVPE for III-V FET Applications
    34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 164 (2007)
14. S. Takagi
    High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials (invited)
    International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices, 2007/11/9, Tokyo, p. 92-113 (2007)
15. S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and Shinichi Takagi
    Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
    5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 233-234 (2007)
16. S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka
    Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation
    the 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 65-66 (2007)
17. O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
    Examination of Additive Mobility Enhancements for Uniaxial Stress Combined with Biaxially Strained Si, Biaxially Strained SiGe and Ge Channel MOSFETs
    Tech. Dig. IEDM, p. 719-722 (2007)
18. S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, K. Usuda, N. Hirashita, M. Takenaka and N. Sugiyama
    Carrier-Transport-Enhanced CMOS using New Channel Materials and Structures (invited)
    presented in International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) Dec. 12-14 (2007)

国内学会・研究会

1. 高木信一
   非シリコン半導体とシリコンテクノロジー ~ Ge/III-V族半導体チャネル高性能CMOS技術 ~
   2007年国際固体素子･材料コンファレンス（SSDM）ショートコース「Emerging Silicon Technology」, 2007年9月18日、つくば国際会議場, p. 55-82
2. Sanjeewa Dissanayake, Hiroshi Kumagai, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara and Shinichi Takagi
   (110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
   7p-ZL-2, 2007年秋季応用物理学会【講演奨励賞受賞記念講演】
3. Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
   Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method
   7p-ZL-3, 2007年秋季応用物理学会
4. Olivier Weber，高木信一
   (110)方向一軸ひずみSi MOSFETにおける伝導帯ワーピングの実験的検証
   7a-ZL-6, 2007年秋季応用物理学会
5. 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
   GeO2/Ge MIS界面における界面準位密度のエネルギー依存性に与える界面形成方法の影響
   7p-ZM-10, 2007年秋季応用物理学会
6. 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
   微小孔を介したSi基板上InGaAs成長におけるモフォロジー向上
   7p-E-13, 2007年秋季応用物理学会
7. 出浦桃子，杉山正和，星井拓也，中根了昌，竹中充，菅原聡，高木信一，中野義昭
   Si 上III/V 族化合物半導体の選択MOVPE における初期核発生過程の観察と制御
   7p-E-14, 2007年秋季応用物理学会
8. 高木信一, 竹中充,　杉山正和
   異種半導体材料とシリコンの融合で拓く先端デバイス ~ Si上のGe/III-VチャネルCMOSを核としたEverything On a Chip の夢
   「先端知機能材料デバイスラボ・フォーラム2007」, 2007.11.16, 武田ホール
9. 高木信一
   高移動度チャネルMOSトランジスタ技術の現状と将来（プレナリートーク）
   「ゲートスタック研究会　-材料・プロセス・評価の物理-」（第13回研究会）, 2008 年1月14-15日, 東レ総合研修センター, p. 7-12
10. 高木信一
    Ge MOSFETの現状と課題
    28p-G-22, 008年春季応用物理学会
11. 灰本隆志、竹中充、高木信一
    SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性
    30a-H-9, 2008年春季応用物理学会
12. 松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一
    熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性
    29p-H-12, 2008年春季応用物理学会
13. 杉山正和，出浦桃子，星井拓也，山本剛久，幾原雄一，田尻寛男，木村滋，中根了昌, 竹中 充，菅原聡，高木信一，中野義昭
    微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析
    28p-ZT-15, 2008年春季応用物理学会
14. 中川翔太，横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充，高木信一
    InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
    29p-H-19, 2008年春季応用物理学会
15. 森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定
    29a-P11-15, 2008年春季応用物理学会
16. 竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一
    高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング
    29a-P11-25, 2008年春季応用物理学会
17. 田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一
    GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価
    28p-ZR-9, 2008年春季応用物理学会
18. 星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一
    微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成
    28p-ZT-17, 2008年春季応用物理学会
19. 笹田崇，松原寛, 竹中充，高木信一
    GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性
    29p-H-13, 2008年春季応用物理学会
20. 中北要佑，中根了昌，竹中充，高木信一
    Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製
    29a-P11-24, 2008年春季応用物理学会
21. 出浦桃子，星井拓也，杉山正和，中根了昌，竹中充，菅原聡，高木信一，中野義昭
    微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響
    28p-ZT-16, 2008年春季応用物理学会

2006年度

査読のある国際学会での受諾論文

1. T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
   Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of strained-Si n-MOSFETs
   Ext. Abs. SSDM (2006) p. 164-165
   
2. H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida and S. Takagi
   Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge
   Ext. Abs. SSDM (2006) p. 398-399
   
3. T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
   Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth
   Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1050-1051
   
4. S. Takagi and S. Sugahara
   Comparative Study on Influence of Subband Structures on Electrical Characteristics of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MISFETs
   Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1056-1057
   
5. M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
   Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
   Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1088-1089
   
6. S. Takagi
   High Performance CMOS Device Technologies in Nano CMOS Era (invited)
   IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2006. 10. 22-25, Gyeongju, Korea, p. 86-87

国内学会・研究会

1. S. Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
   Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures
   31p-ZG-15, 2006年秋季応用物理学会
   
2. S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
   (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
   2007年春季応用物理学会
   
3. 田辺聡, 上原貴志, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一
   GOI (Ge-On-Insulater) MOSチャネル中の正孔の速度−電界特性
   2007年春季応用物理学会
   
4. 上原貴志, 田辺聡, 松原寛, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一
   原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善
   2007年春季応用物理学会
   
5. 出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭
   Si上高品質III/V 族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPE バッファ層の初期成長過程観察
   2007年春季応用物理学会
   
6. 星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一
   Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性
   007年春季応用物理学会
   
7. 熊谷寛, 七条真人, 松原寛, 菅原聡, 高木信一
   Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性
   2007年春季応用物理学会
   
8. 松原寛, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
   低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価
   2007年春季応用物理学会
   
9. 西川昌志, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
   オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe MOS構造の電気特性
   2007年春季応用物理学会
10. 高木信一, 杉山正和, 菅原聡
    III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較“, 2007年春季応用物理学会

2005年度

査読のある国際学会での受諾論文

1. S. Takagi, K. Takeda, S. Sugahara and T. Numata
   Examination of the Universality of Hole Mobility in Strained-Si p-MOSFETs
   Ext. Abs. SSDM (2005) p. 38-39

国内学会・研究会

1. 熊谷寛、七条真人、石川寛人、星井拓也、菅原聡、高木信一
   Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と電気特性
   2005年秋季応用物理学会
   
2. S. Takagi, K. Takeda and S. Sugahara
   Carrier Transport Properties of Si-Based High Mobility/Velocity Channel MOSFETs for Future CMOS
   International Symposium on Advanced Electronics for Future Generations − Secure-Life Electronics for Quality Life and Society −,2005年10月11−12日, 武田ホール, p. 147-152
   
3. 高木信一
   新構造チャネル高性能CMOSデバイス技術
   先端知機能材料デバイスラボラトリーズF&RICオープンフォーラム2005「知の融合と開放」, 2005年11月11日, 東京大学武田先端知ビル5階 武田ホール
   
4. 熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
   Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価
   ゲートスタック研究会 — 材料・プロセス・評価の物理 —（第１１回研究会）, 2006年2月3日(金)〜4日(土), 東レ総合研修センター, p. 177-182
   
5. 高木信一
   高速/低消費電力CMOSのための基板・デバイス・プロセス技術
   2006年春季応用物理学会
   
6. 上原貴志, 松原寛, 菅原聡, 高木信一
   低温MBE成長を用いた超薄層Ge-on-Insulator(GOI) p-channel メタルS/D MOSFET
   25a-X-11, 2006年春季応用物理学会
   
7. 菅原聡, 中根了昌, 高木信一
   オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET
   25a-X-12, 2006年春季応用物理学会
   
8. 高木信一, 菅原聡
   III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi n-MOSFETの電気特性の比較
   26p-X-1, 2006年春季応用物理学会
   
9. 七条真人, 菅原聡, 高木信一
   III-V on Insulator (III-V-O-I) MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法
   26p-X-2, 2006年春季応用物理学会
10. 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
    ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果
    26a-X-7, 2006年春季応用物理学会

2004年度

査読のある国際学会での受諾論文

1. S. Takagi
   Physical Origin of Drive Current Enhancement in Ultra-thin Ge-On-Insulator (GOI) MOSFETs under Full Ballistic Transport
   Ext. Abs. SSDM2004, p. 10-11

国内学会・研究会

1. 高木 信一,　熊谷 寛,　西川 昌志,　武田 浩司,　菅原 聡
   Ge系MOSトランジスタへの期待”, 30p-S-2, 2005年春季応用物理学会
   
2. 武田 浩司, 熊谷 寛, 西川 昌志, 菅原 聡, 高木 信一
   ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ
   31a-P5-26, 2005年春季応用物理学会
3. 熊谷 寛, 西川 昌志, 武田 浩司, 菅原 聡, 高木 信一
   SiN/Ge MIS キャパシタのCV特性に与える基板タイプの影響
   1a-P6-28, 2005年春季応用物理学会

2003年度

国内学会・研究会

1. 高木信一
   極薄GOIチャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力に与える面方位の効果
   2004年春季応用物理学会
2. 高木信一
   極薄GOI (Ge-On-Insulator) チャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力
   2004年春季応用物理学会