TAKAGI & TAKENAKA Laboratory Group

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求人情報

特任助教または特任研究員の募集

【募集人員】1名
【専門分野】Siフォトニクス、半導体光集積回路、光エレクトロニクス分野
【概要】Siフォトニクス・プラットフォーム上に、SiGeやGe、III-V族化合物半導体を集積した光変調器や受光器、各種パッシブ導波路素子等の設計・作製・評価を行い、光通信や光インターコネクションなどへの応用を目指す。
【応募資格】博士号取得者(取得見込みも含む)または同等レベルの方。上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。
  • SiやGe, InP等を用いた半導体プロセスの経験
  • 電子線描画とドライエッチングを用いた微細加工プロセスの経験
  • ウェハボンディングを用いた異種材料集積プロセスの経験
  • 光変調器や受光器、各種パッシブ素子などの光導波路素子の設計・作製・評価の経験
  • Siフォトニクスを用いた光集積回路の設計・作製・評価の経験
【職名】特任助教または特任研究員
【勤務形態】常勤
【任期】任期付(2017年3月まで) [2018年3月まで年度ごとの更新あり。最長2022年3月まで延長の可能性あり。]
【着任時期】2016年(応相談)
【勤務地】東京都文京区本郷7-3-1 東京大学工学部10号館
【応募書類】履歴書、研究業績の説明(日本語または英語・A4 2ページ以内)、研究業績リスト、主要論文別刷りまたはコピー(3編以内)、興味ある研究課題(A4 2ページ以内)をPDFファイルにまとめた上、下記照会先までメールにてお送り下さい。
【応募締切】随時
注意:応募状況により募集を締め切ります。早めに応募書類を提出ください。
【照会先】東京大学先工学系研究科 電気系工学専攻 准教授 竹中 充
E-mail:takenaka[at]mosfet.t.u-tokyo.ac.jp ([at]を@に変えてお送りください)
TEL: 03-5841-6733
【選考方法】書類審査および面接
【採否の決定】書類審査で選抜された方に対して面接審査を行い、採否を決定します。着任時期・期間など、詳細についてはご相談させていただきます。
【関連リンク】竹中研究室ホームページ(http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/

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