求人情報
2021.1.9掲載
特任研究員の募集1
【募集人員】 | 1名 |
【専門分野】 | MOSトランジスタ、強誘電体材料・デバイス、半導体デバイス分野 |
【概要】 | 強誘電体ゲートMOSトランジスタを用いたメモリ・ロジックデバイスおよびAI計算向けニューロモルフィックデバイスの研究。 関連プロジェクト JST-CREST 強誘電体分極と電荷の相互作用を利用した新デバイス・システム(代表:高木信一 東京大学) https://www.jst.go.jp/kisoken/crest/application/2020/201124/201124crest.pdf |
【応募資格】 | 博士号取得者(取得見込みも含む)または同等レベルの方。上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。 Siや強誘電体薄膜などを用いた半導体プロセスの経験 MOSトランジスタ・半導体電子デバイスの設計・作製・評価の経験 |
【職名】 | 特任研究員 |
【勤務形態】 | 常勤 |
【任期】 | 任期付(4年) [年度ごとの更新あり。] |
【着任時期】 | 随時(応相談) |
【勤務地】 | 東京都文京区本郷7-3-1 東京大学工学部10号館 |
【応募書類】 | 履歴書、研究業績の説明(日本語または英語・A4 2ページ以内)、研究業績リスト、主要論文別刷りまたはコピー(3編以内)をPDFファイルにまとめた上、下記照会先までメールにてお送り下さい。 |
【応募締切】 | 随時受付 |
【照会先】 | 東京大学先工学系研究科 電気系工学専攻 教授 高木 信一 E-mail:takagi[at]ee.t.u-tokyo.ac.jp ([at]を@に変えてお送りください) TEL: 03-5841-0419 |
【選考方法】 | 書類審査および面接 |
【採否の決定】 | 書類審査で選抜された方に対して面接審査を行い、採否を決定します。着任時期・期間など、詳細についてはご相談させていただきます。 |
【関連リンク】 | 高木研究室ホームページ(http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/) |
特任研究員の募集2
【募集人員】 | 1名 |
【専門分野】 | シリコンフォトニクス、半導体光集積回路、光エレクトロニクス分野 |
【概要】 | シリコンフォトニクスとスピントロニクスを融合した光電変換デバイスの研究。 関連プロジェクト JST未来社会創造 スピントロニクス光電インターフェースの基盤技術の創成(代表:中辻知 東京大学) https://www.jst.go.jp/pr/info/info1467/pdf/info1467.pdf |
【応募資格】 | 博士号取得者(取得見込みも含む)または同等レベルの方。上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。 SiやInP等を用いた半導体プロセスの経験 光導波路素子の設計・作製・評価の経験 |
【職名】 | 特任研究員 |
【勤務形態】 | 常勤 |
【任期】 | 任期付(3年) [年度ごとの更新あり。延長の可能性あり。] |
【着任時期】 | 随時(応相談) |
【勤務地】 | 東京都文京区本郷7-3-1 東京大学工学部10号館 |
【応募書類】 | 履歴書、研究業績の説明(日本語または英語・A4 2ページ以内)、研究業績リスト、主要論文別刷りまたはコピー(3編以内)をPDFファイルにまとめた上、下記照会先までメールにてお送り下さい。 |
【応募締切】 | 随時受付 |
【照会先】 | 東京大学先工学系研究科 電気系工学専攻 教授 竹中 充 E-mail:takenaka[at]mosfet.t.u-tokyo.ac.jp ([at]を@に変えてお送りください) TEL: 03-5841-6733 |
【選考方法】 | 書類審査および面接 |
【採否の決定】 | 書類審査で選抜された方に対して面接審査を行い、採否を決定します。着任時期・期間など、詳細についてはご相談させていただきます。 |
【関連リンク】 | 竹中研究室ホームページ(http://www.mosfet.k.u-tokyo.ac.jp/) |