研究室のメンバーが、一生懸命がんばった成果をご紹介します。
学会発表等受賞記録
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応用物理学会講演奨励賞とIEEE EDS Japan Chapter Student Award を受賞しました。
受賞者 : 韓 在勲
論文名 :”貼り合わせInGaAsP/SiハイブリッドMOS型光変調器に関する検討”(2017:応用物理学会)
論文名 :"Extremely High Modulation Efficiency III-V/Si Hybrid MOS Optical Modulator Fabricated by Direct Wafer Bonding"(2017:IEEE) 平成28年度学科長特別賞と平成28年度 電気学会東京支部 電気学術女性活動奨励賞を受賞しました。
受賞者 : 横山 千晶(2017:学内、電気学会)
The 2015 Roger A. Haken Best Student Paper Awardを受賞しました。Updated !!
受賞者 : Xiao Yu
論文名 : "Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2nm”"
(2016:IEDM)植之原留学生学術奨励賞を受賞しました。
受賞者 : 亢 健
論文名 : "Ge-on-insulator基板を用いたGe CMOSフォトニクスに関する研究"
(2015:電気電子情報学術振興財団)平成26年度優秀修士論文賞を受賞しました。
優秀修士論文賞
受賞者 : 西 康一
論文名 : "Sb系半導体を用いたSi上III-V-On- Insulator MOSFETの研究"
(2015:学内)平成26年度優秀博士論文賞を受賞しました。
優秀博士論文賞
受賞者 : 金 栄現
論文名 : "SiGe光変調器/減衰器に向けた歪誘起によるプラズマ分散効果及び自由キャリア吸収増大に関する研究"
(2015:学内)科学技術分野の文部科学大臣表彰における科学技術賞を研究部門で受賞しました。
受賞者 :高木 信一
業績名 :CMOS中のキャリア輸送特性の理解と高性能化に関する研究
(2015:科学技術分野の文部科学大臣表彰)第6回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました。
受賞者 :SangHyeon Kim(First Author), Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
論文名 :"Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors,"
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 105, 043504 (2014).
(2015:応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会)EDS Paul Rappaport Awardを受賞して、IEDM2014プレナリーセッションで表彰されました。
受賞者 :R. Zhang,
共著者 :P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi,
論文名 :"High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation,"
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 60, no. 3, pp. 927 – 934, 2013.
DOI: 10.1109/TED.2013.2238942(2014:IEDM)植之原留学生学術奨励賞を受賞しました。
受賞者 : 程 勇鵬 (2014:電気電子情報学術振興財団)平成25年度優秀修士論文賞・優秀博士論文賞・工学系研究科長賞(研究最優秀)を受賞しました。
優秀修士論文賞 受賞者 : ハン ジェフン
論文名 : "プラズマ後窒化を用いたhigh-k/SiGe MOS界面の研究"(2014:学内)優秀博士論文賞 受賞者 : 田中丸 周平
論文名 : "高信頼ソリッド・ステート・ストレージシステムに関する研究"(2014:学内)優秀博士論文賞・工学系研究科長賞(研究最優秀) 受賞者 : 金 相賢
論文名 : "プラットフォーム上III-VロジックLSIの為のInGaAs-On-Insulator MOSFET に関する研究"(2014:学内)第20回シリコンフォトニクス研究会 若手ポスター賞を受賞しました。
受賞者 :亢 健
論文名 :”GeOxパッシベーションによるGe MSM光受光器の暗電流削減”
Affiliation : 東京大学 大学院工学系研究科(2013:シリコンフォトニクス研究会)2013 IEEE Andrew S. Grove AWARDを受賞しました。
受賞者 :高木 信一
論文名 :”For contributions to the understanding of transport properties in inversion layers of high-performance MOSFETs.”
Affiliation : IEEE(2013)-
第60回(2013年春季)応用物理学会POSTER Awardを受賞しました。
受賞者 :CHANG, Chih-Yu(チョウ・シウ)
共著者 :M.Yokoyama , S.-H.Kim, O,Ichikawa, T.Osada, M.Hata, M. Takenaka and S. Takagi
論文名 :”Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks”
Winners ; Chin.-Yu Chang , Masafumi Yokoyama , Sang-Hyeon Kim, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
Affiliation : The University of Tokyo (2013:応用物理学会) 平成24年度優秀修士論文賞を受賞しました。
受賞者 : 野口 宗隆
論文名 : "Zn拡散により形成したp型ソース領域をもつプレーナ型InGaAs TFET"
( Planer-type InGaAs TFETs with source regions formed by Zn diffusion. ) (2013:学内)平成24年度 電気学会東京支部
電気学術女性活動奨励賞を受賞しました。
受賞者 : 吉田 望(2013:電気学会)
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第60回(2013年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
受賞者 : Zhang Rui(ジャーン・ルイ)
論文名 :”High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks”
共著者 :J. C. Lin, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi (2013:応用物理学会) IEEE EDS Japan Chapter Student Award
受賞者 : Sang-Hyeon Kim(キム・サンヒョン)
論文名 : "Sub-60 nm deeply scaled Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
共著者 : M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O.Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)IEEE EDS Japan Chapter Best Student Paper Award
受賞者 : Zhang Rui(ジャーン・ルイ)
論文名 : "High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
共著者 : P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)-
工学系研究科長賞を受賞しました。
受賞者 : Zhang Rui(ジャーン・ルイ)
論文名 : "Formation of Ge Gate Stack Structures by Plasma Post Oxidation and Their Applications to Ge CMOS Devices" (2012:学内) -
山崎貞一賞を受賞しました
高木 信一
"Si MOSFETのチャネル内キャリア輸送特性の解明と高移動度化への先駆的貢献" (2012)
第12回(平成24年度)山崎貞一賞 半導体及び半導体装置分野
”金”メダルと表彰状が授与されました。
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Tech-On!で4ページにわたり掲載されました。
受賞者 :高木 信一
記事名 : "東芝の自由な気風が生んだ、高速MOSFETの先駆的研究――山崎貞一賞を受賞した東大の高木氏に聞く" (2012)
掲載媒体 : Tech-On!(2012/12/18) -
ECS - The ELECTROCHEMICAL SOCIETY -Symposium on HIgh Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics IX, The Best Paper Award.
受賞者 :高木 信一
共著者 :R.Zhang, T.Hoshii, N.Taoka and M.Takenaka
論文名 : "MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs," (2011) 応用物理学会 講演奨励賞を受賞しました。
受賞者:SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名:”MOS界面バッファ層の導入とチャネルIn組成変調による極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化”(2012:応用物理学会)The INC8 Japan Nano Day Best Poster Award.
受賞者 : SangHoon Shin
論文名 : "Experimental Characterization of MOS Interface Charges using Potential Fluctuation in Conductance Measurement" (2012)優秀卒論賞と工学部長賞をダブル受賞しました。
受賞者 : Han jaehoon(ハン ジェフン)
論文名 : "MOS型光変調器実現に向けたSiGe MOS界面に関する研究" (2012:学内)工学系研究科長賞(研究)を受賞しました。
受賞者 : 鈴木 麗菜
論文名 : "高誘電体膜を用いたInGaAs MOS構造の界面制御と絶縁膜薄膜化" (2012:学内)グローバルCOEプログラム優秀論文発表賞を受賞しました。
受賞者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名 : "III-V-OI MOSFETでの移動度向上技術" (2012:学内GCOE)2011年度固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会・論文賞を受賞しました。
受賞者 : Zhang Rui(ジャーン・ルイ)
論文名 : "プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3 /GeOxゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS" (2012:学内)-
第3回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました。
受賞者 : 張 睿,岩崎敬志,田岡紀之,竹中 充,高木信一
論文名 : "Al2O3 /GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation" , Appl. Phys. Lett., vol. 98, 112902 (2011:応用物理学会)
写真は代表して高木先生(中央)Zhang君(左)だけです。 -
応用物理学会 講演奨励賞を受賞しました。
受賞者 : 横山 正史
共著者 : 金 相賢,張 睿,田岡紀之,卜部友二,前田辰郎,高木秀樹,安田哲二,山田 永,市川 磨,福原 昇,秦 雅彦,杉山正和,中野義昭,竹中 充,高木信一
論文名 : "基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化", 1a-P7-7 (2011:応用物理学会)
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IEEE EDS Japan Chapter Student Award
受賞者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名 : "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
受賞者 : Zhang Rui(ジャーン・ルイ)
論文名 : "High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
IEDM (2011) -
Semiconductor Todayで記事として取り上げられました。
発表者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
記事タイトル : InGaAs buffer/channel structure boosts effective mobility 4.2x that of silicon
掲載媒体 : Semiconductor Today(4 Junuary 2012)- -
IEDMの発表がTech-On!で記事として取り上げられました。
発表者 : Rui Zhang(講演番号:28.3)
論文名 : 1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation. IEDM (2011)
記事タイトル : 【IEDM】Ge MOSFETのゲート絶縁膜のスケーリングに道、東大が1nmを切るEOTと高移動度を両立
掲載媒体 : Tech-On!(2011/12/8),ELECTRO IQ -The Portal for Electronics Manufacturing- -
IEDMの発表がTech-On!で記事として取り上げられました。
発表者 : SangHyeon KIM(金 相賢)(講演番号:13.4)
論文名 : Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering. IEDM (2011)
発表者 : Noriyuki. TAOKA(田岡 紀之)(講演番号:27.2)
論文名 : Impact of Fermi Level Pinning inside Conduction Band on Electron Mobility of InxGa1-xAs MOSFETs and Mobility Enhancement by Pinning Modulation. IEDM (2011)
記事タイトル : 【IEDM】III-V族MOSFETのブースタ技術が登場、2軸性ひずみや界面制御の効果を東大などが実証
掲載媒体 : Tech-On!(2011/12/8),ELECTRO IQ -The Portal for Electronics Manufacturing- -
工学系研究科長賞(研究)を受賞しました。
受賞者 : Junkyo Suh
論文名 : "Strain Engineered Silicon Germanium on Insulator P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Ge Condensation (酸化濃縮法を用いた歪制御SiGe-On-Insulator PMOSFET)" (2011:学内)
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6月12日にプレスリリースした研究が新聞各紙に掲載されました。
発表者 : Masafumi YOKOYAMA(横山 正史)
リリースタイトル : "世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOS トランジスタの実現 〜従来のシリコントランジスタの性能向上限界200%を突破〜"
掲載媒体 :
化學工業日報(2011/6/13)
化合物/ Ge トランジスタ Si性能比200%突破期待
日刊工業新聞(2011/6/15)
電子移動度4.2倍に化合物半導体とゲルマニウム使用 次世代素子を開発 -
VLSIシンポジウムでハイライト論文に選ばれました。
発表者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名 : "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On- Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"VLSI symposium(2011)
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工学系研究科長賞(研究)と平成22年度 優秀修士論文賞をダブルで受賞しました。
受賞者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名 : "Metal Source/Drain In III-V MOSFETs using Metal semiconductor Alloy" (2011:学内) -
IEEE EDS Japan Chapter Student Award
受賞者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名 : "Self-aligned Metal Source/Drain InXGa1-XAs n-MOSFETs Using Ni-InGaAs Alloy"IEDM (2010) -
IEDMの発表が記事として取り上げられました。
発表者 : SangHyeon KIM(金 相賢)
論文名 : Self-aligned Metal Source/Drain InxGa1-xAs n-MOSFETs Using Ni-InGaAs Alloy. IEDM (2010)
記事タイトル : 【IEDM】メタル・ソース・ドレインを備えるIII-V族チャネルFETを自己整合プロセスで,東大などが実現
掲載媒体 : Tech-On!(2010/12/9),ELECTRO IQ -The Portal for Electronics Manufacturing- -
IEDMでハイライト論文に選ばれました。
発表者 : Masafumi YOKOYAMA(横山 正史)
論文名 : "Extremely-Thin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated by Direct Wafer Bonding"IEDM (2010) -
VLSIシンポジウムでハイライト論文に選ばれました。
発表者 : Masafumi YOKOYAMA(横山 正史)
論文名 : "次世代LSIに向けたSi基板上に集積されたIII-V-OIチャネルMOSトランジスタの開発"VLSI symposium(2010)
掲載媒体 : 日経産業新聞(2010/6/25)化學工業日報(2010/6/16) 日刊工業新聞(2010/6/16)
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平成21年度優秀修士論文賞
受賞者 : Kiyohito MORII(森井 清仁)
論文名 : "気相ドーピング法によって形成したソース・ドレイン接合を有する高性能 GeO2/Ge nMOSFETs "(2010:学内) -
第57回応用物理学関係連合講演会プレビュー発表会で感謝状をいただきました
受賞者 : Masafumi YOKOYAMA(横山 正史)
論文名 : "極薄ボディIII-V族半導体FET"(2010 応用物理学会)
掲載媒体 : Tech-On!NEニュース(Web),化學工業日報 The Chemical Daily(新聞)
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IEEE EDS Japan Chapter Student Award
受賞者 : Kiyohito MORII(森井 清仁)
論文名 : "High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping"(2009 IEDM) 2009 SSDM Paper Award
受賞者 :池田圭司、山下良美、原田真臣、山本豊二、中払周、平下紀夫、守山佳彦、手塚勉、田岡紀之、渡辺一世、広瀬信光、杉山直治、高木信一
論文名:
"High Mobility sub-60nm Gate Length Germanium-On-Insulator Channel pMOSFETs with Metal Source/Drain and TaN MIPS Gate "(SSDM (2008) p. 32-33)
IEEE EDS Japan Chapter Student Award
受賞者 : Yosuke NAKAKITA(中北 要佑)応用物理学会講演奨励賞
2007年 (応用物理学会)
受賞者 :Dissanayake Sanjeewa
栄えある研究以外での受賞記録〜文武両道!!
高木・竹中研チーム フットサル優勝!
2012年10月 2012年度電気系秋のスポーツ大会
出場メンバー:金相賢,金閔洙、金栄現、張志宇、金佑彊、高島成也、嘉陽田達矢
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高木・竹中研チーム フットサル3位!
2009年10月 2009年度電気系秋のスポーツ大会
出場メンバー(たぶん):岩崎敬志、富山 健太郎、飯田 亮、黒田 浩一、Junkyo SUH 、Sunghoon LEE、キム サンヒョン、趙 毅
(応援に行けず写真も取れずメンバーもうろ覚えでごめんなさい。) 高木・竹中研チーム総合3位入賞!
2008年6月 2008年度電気系春スポーツ大会
出場メンバー:笹田 崇、富山 健太郎、中川 翔太、森井 清仁、岩崎 敬志、キム サンヒョン、趙 毅(予選トーナメントのみ。写真がなくてごめんなさい。)稲垣 素子(涙の無理矢理強制出場)